一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含：(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物，(B)式1至式6的苷，其中R1为烷基、芳基或烷芳基，R2为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，R3为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，R4为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，R5为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，该苷中的单糖单元(X1、X2、X3、X4、X5或X6)的总数在1至20的范围内，且X1至X6为如在相应式1至式6中以矩形所指示的结构单元，及(C)含水介质。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含：(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物，(B)式1至式6的苷，其中R1为烷基、芳基或烷芳基，R2为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，R3为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，R4为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，R5为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，该苷中的单糖单元(X1、X2、X3、X4、X5或X6)的总数在1至20的范围内，且X1至X6为如在相应式1至式6中以矩形所指示的结构单元，及(C)含水介质。【专利说明】包含苷的化学机械抛光(CMP)组合物本专利技术本质上涉及一种化学机械抛光(CMP)组合物及其用于抛光半导体工业的基材的用途。本专利技术CMP组合物包含特定苷且显示改进的抛光性能。在半导体工业中，化学机械抛光(缩写为CMP)为一项熟知应用于制造先进光子、微机电及微电子材料及装置(例如半导体晶片)的技术。在制造半导体工业中所用的材料及装置期间，采用CMP来平坦化金属和/或氧化物表面。CMP利用化学与机械作用的相互影响来达到待抛光表面的平坦度。化学作用由化学组合物(也称为CMP组合物或CMP浆料)提供。机械作用通常由抛光垫实现，抛光垫典型地压至待抛光表面上且安装于移动压板上。压板通常按直线、旋转或轨道移动。在典型的CMP方法步骤中，旋转晶片固持器使待抛光晶片接触抛光垫。CMP组合物通常施加于待抛光晶片与抛光垫之间。在现有技术中，已知一般包含苷的CMP组合物，且其描述于例如以下参考文献中。US6616514公开一种CMP浆料，其包含(a)研磨剂、(b)含水介质及(C)不解离质子的另一指定有机多元醇。该类多元醇的实例包括甘露醇、山梨醇、甘露糖、木糖醇、山梨糖、蔗糖及糊精。 US6866793公开一种CMP浆料，其包含(a)本体溶液、(b)多种粒子及(C)至少一种以特定浓度进一步指定的选择性吸附添加剂，其中该吸附添加剂可包含非离子表面活性剂。非离子表面活性剂的实例包括(尤其包括)烷基化糖(sugar alkylate)及糖酯。US6974777公开一种抛光基材的方法,该方法包括:(i)使包含(A)金属层(选自由铜、钽、钛、钨、镍、钼、钌、铱及铑组成的群)及(B)介电层的基材与CMP体系接触，该CMP体系包含:(a) (I)研磨剂，选自由氧化铝、二氧化硅、其共同形成的产物、经涂布的金属氧化物粒子、聚合物粒子及其组合组成的群，(2)抛光垫或(3)项目(I)及(2)的组合，(b)两亲性非离子表面活性剂，(C)氧化剂，及(d)液体载体，(ii)研磨至少一部分基材来抛光基材。两亲性非离子表面活性剂可为-脱水山梨糖醇烷基酸酯或聚氧乙烯脱水山梨糖醇烷基酸酯，或-烷基多聚葡萄糖(例如购自Henkel的Plantaren⑧表面活性剂)，或烷基葡萄糖的乙氧基化酯或二酯(例如PEG-120甲基葡萄糖二油酸酯等，购自Amerchol)。US7071105公开一种CMP体系，其包含(a) 二氧化铈、(b)带有pKa为约4至约9的官能基的特定抛光添加剂，及(c)液体载体，其中该抛光体系的pH值约为7或小于7且不含大量与无机研磨剂静电结合的交联聚合物研磨粒子。该CMP体系可任选地进一步包含表面活性剂，且合适的非离子表面活性剂为例如脱水山梨糖醇C6,烷基酸酯或聚氧乙烯脱水山梨糖醇C6,烷基酸酯。本专利技术一个目的为提供一种CMP组合物，其适于对介电基材的表面进行CMP和/或显示改进的抛光性能，特别是二氧化娃的高材料移除率(material removal rate, MRR)及氮化娃或多晶娃的低MRR的组合。此外，寻求一种能产生高度的梯段高度减小(stepheight reduction, SHR)且将为即用型的CMP组合物。此外，要提供一种相应的CMP方法。因此，发现一种CMP组合物，其包含:(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物，(B)式I至式6的苷，【权利要求】1.一种化学机械抛光(CMP)组合物，包含:(A)选自由二氧化铈及包含二氧化铈的复合粒子组成的群的粒子，(B)式I至式6的 苷， 2.根据权利要求1的CMP组合物，其中所述苷(B)中的单糖单元(X1、X2、X3、X4、X5或X6)的总数在I至5的范围内。3.根据权利要求1或2的CMP组合物，其中所述苷为式I的苷且其中R1为烷基、芳基或烷芳基，R2为H或Xl，R3为H或Xl，R4为H或Xl，R5为H或Xl。4.根据权利要求1的CMP组合物，其中所述苷为式Ia的苷， 5.根据权利要求4的CMP组合物，其中 6.根据权利要求4的CMP组合物，其中R1为CH2R18,且R18为H、烷基、芳基或烷芳基。7.根据权利要求4-6中任一项的CMP组合物，其中R12、R13、R14及R15为H。8.根据权利要求4-7中任一项的CMP组合物，其中k为I至5的整数。9.根据权利要求1-8中任一项的CMP组合物，其中所述粒子㈧为二氧化铈。10.根据权利要求1-9中任一项的CMP组合物，其中所述苷(B)的浓度在所述CMP组合物的0.01重量％至2重量％范围内。11.根据权利要求1-10中任一项的CMP组合物，其中所述苷(B)为葡糖苷。12.根据权利要求1-11中任一项的CMP组合物，其中所述CMP组合物的pH值在5至8.5的范围内。13.根据权利要求4的CMP组合物，其中 (A)为二氧化铈， (B)为式Ia的苷， 其中R1为CH2R8,且R8为C3-C29烷基或苯基，R2、R3、R4 及 R5 为 H，k为I至5的整数， (C)为水。`14.制造半导体装置的方法，包括在如权利要求1-13中任一项所定义的CMP组合物存在下，化学机械抛光包含二氧化硅的基材。15.如权利要求1-13中任一项所定义的CMP组合物的用途，用于化学机械抛光包含二氧化硅及氮化硅或多晶硅的基材。【文档编号】C09G1/02GK103764775SQ201280043273 【公开日】2014年4月30日 申请日期:2012年9月4日 优先权日:2011年9月7日【专利技术者】Y·李, M·劳特尔, R·朗格 申请人:巴斯夫欧洲公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·李，M·劳特尔，R·朗格，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：
国别省市：
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