基于三维VS2/ZnO复合纳米结构的柔性场电子发射阴极材料及其制备方法技术

技术编号:9991898 阅读:90 留言:0更新日期:2014-05-02 07:10
本发明专利技术公开了一种三维VS2/ZnO复合纳米结构及制备方法,其包括VS2纳米薄片和ZnO纳米颗粒,以所述VS2纳米薄片为骨架,所述ZnO纳米颗粒均匀分布在所述VS2纳米薄片的表面与边缘,形成所述三维VS2/ZnO复合纳米结构。本发明专利技术还提供了基于此三维VS2/ZnO复合纳米结构的柔性增强PET(聚对苯二甲酸乙二酯)衬底场电子发射阴极材料及制备方法。本发明专利技术制备方法具有成本低,制备条件简单,重复性高,杂质少等优点。本发明专利技术柔性三维VS2/ZnO纳米复合结构及场电子发射阴极材料结晶性高,结构稳定,比表面积大,边缘超薄,具有优秀柔性场电子发射性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:宋长青郁可尹海宏朱自强
申请(专利权)人:华东师范大学
类型:发明
国别省市:

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