偏光薄膜、图像显示装置、以及偏光薄膜的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供具有高二色性比的偏光薄膜。一种偏光薄膜，其包含用下述通式（1）表示的双偶氮化合物。在通式（1）中，Q1表示具有至少1个-SO3M基的苯基，Q2表示具有至少1个-SO3M基的亚萘基，X表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、碳数1～4的硫代烷基、卤代基、或极性基，下标k表示前述X的取代数即0～5的整数，M表示抗衡离子，前述k为2以上的整数时，前述X分别相同或不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种偏光薄膜，其包含用下述通式（1）表示的双偶氮化合物，式（1）中，Q1表示具有至少1个?SO3M基的苯基，Q2表示具有至少1个?SO3M基的亚萘基，X表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、碳数1～4的硫代烷基、卤代基、或极性基，下标k表示所述X的取代数即0～5的整数，M表示抗衡离子，所述k为2以上的整数时，所述X分别相同或不同。FDA0000462963660000011.jpg

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中西贞裕，黑木美由纪，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：
国别省市：