芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔，包括氧化硅微盘和硅柱，氧化硅微盘通过硅柱支撑在基片上，氧化硅微盘的侧面为斜面，斜面与氧化硅微盘底面的夹角为45?~90?。本发明专利技术的芯片上的氧化硅微盘谐振腔侧壁倾角大，易于实现耦合。本发明专利技术还公开了芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔的制备方法，利用本方法制备出的片上氧化硅微盘谐振腔品质因子高，且侧壁倾角大，易于实现耦合；制备流程与传统的集成电路工艺相兼容，具有操作简单、可重复性强和易于集成等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔，包括氧化硅微盘（1）和硅柱（3），所述氧化硅微盘（1）通过所述硅柱（3）支撑在基片上，所述氧化硅微盘（1）的侧面为斜面（2），其特征在于，所述斜面（2）与所述氧化硅微盘（1）底面的夹角为45o~90o。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜校顺，李冠宇，杨超，刘沛，肖敏，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：