一种Bi1-xDyxFeO3 低漏电流薄膜及其制备方法技术

一种Bi1-xDyxFeO3低漏电流薄膜及其制备方法，x=0.09～0.12，该薄膜为菱方结构，均匀性好，空间点群为R-3m(166)，在117kV/cm的电场下，其漏电流密度为1.01×10-8～6.39×10-9A/cm2。制备方法：按摩尔比为(1.05-x):1:x将硝酸铋、硝酸铁和硝酸镝溶于乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中，得前驱液；在基片上旋涂前驱液，匀胶后烘烤得干膜，再退火，得Bi1-xDyxFeO3薄膜，重复旋涂前驱液、烘烤、退火至达到所需的薄膜厚度，得Bi1-xDyxFeO3低漏电流薄膜。本发明专利技术设备要求简单，掺杂量易控，能够大幅度减小BiFeO3薄膜的漏电流密度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Bi1?xDyxFeO3低漏电流薄膜，其特征在于：其化学式为Bi1?xDyxFeO3，x=0.09～0.12；在117kV/cm的电场下，其漏电流密度为1.01×10?8～6.39×10?9A/cm2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谈国强，晏霞，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：