一种柔性显示基板及柔性显示器制造技术

技术编号:9868406 阅读:58 留言:0更新日期:2014-04-03 06:10
本发明专利技术实施例提供了一种柔性显示基板及柔性显示器,涉及显示技术领域,可避免弯曲时,对薄膜晶体管造成破坏;该柔性显示基板包括第一柔性衬底基板、以及设置在所述第一柔性衬底基板上的多个显示元件,所述显示元件包括薄膜晶体管;进一步所述柔性显示基板还包括设置在所述第一柔性衬底基板远离所述薄膜晶体管一侧的第二柔性衬底基板,以及设置在所述第一柔性衬底基板和所述第二柔性衬底基板之间的多个突起结构;其中,任一个突起结构在所述第二柔性衬底基板上的投影与一个显示元件中的所述薄膜晶体管在所述第二柔性衬底基板上的投影重叠。用于避免弯曲时对薄膜晶体管造成破坏的柔性显示基板和柔性显示器。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性显示基板及柔性显示器
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种柔性显示基板及柔性显示器。
技术介绍
柔性显示技术在近几年有了飞速的发展,由此带动柔性显示器从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大进步。无论是濒临消失的阴极射线管(Cathode Ray Tube,简称CRT),还是现今主流的液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD),本质上都属于传统的刚性显示器。与传统的刚性显示器相比,柔性显示器具有诸多优点,例如耐冲击,抗震能力强,重量轻,体积小,携带更加方便等。目前,柔性显示器主要可分为三种:电子纸(柔性电泳显示)、柔性有机电致发光二级管(Organic Light-Emitting Diode,简称0LED)、以及柔性IXD。其中,构成柔性显示器的阵列基板通常要用到由SiNx(氮化硅)或SiOx(氧化硅)层构成的例如栅绝缘层、层间绝缘层、钝化层等,然而由于SiNx或SiOx层其韧性较差,在柔性显示器扭曲时,很容易造成SiNx或SiOx层的断裂,从而破坏阵列基板上薄膜晶体管,进而对显示质量造成影响。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种柔性显示基板及柔性显示器,可避免弯曲时,对薄膜晶体管造成破坏。 为达到上述目的,本专利技术的实施例采用如下技术方案:一方面,提供一种柔性显示基板,包括第一柔性衬底基板、以及设置在所述第一柔性衬底基板上的多个显示元件,所述显示元件包括薄膜晶体管;进一步所述柔性显示基板还包括设置在所述第一柔性衬底基板远离所述薄膜晶体管一侧的第二柔性衬底基板,以及设置在所述第一柔性衬底基板和所述第二柔性衬底基板之间的多个突起结构;其中,任一个突起结构在所述第二柔性衬底基板上的投影与一个显示元件中的所述薄膜晶体管在所述第二柔性衬底基板上的投影重叠。可选的,相对所述多个显示元件,任意相邻两个所述突起结构间隔设置。进一步优选的,所述突起结构与所述显示元件--对应。可选的,所述突起结构在所述第二柔性衬底基板上的投影面积大于所述薄膜晶体管在所述第二柔性衬底基板上的投影面积。可选的,所述突起结构为长方体、或正方体、或圆柱体、或多边体。可选的,所述突起结构的厚度为0.2-2 U m0优选的,所述突起结构设置在所述第二柔性衬底基板上,所述第一柔性衬底基板和设置有所述突起结构的所述第二柔性衬底基板通过OCA光学胶相粘结。可选的,所述显示元件还包括与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极。可选的,所述显示元件还包括与所述薄膜晶体管的漏极电连接的阳极、以及阴极和位于所述阳极和所述阴极之间的有机材料功能层。另一方面,提供一种柔性显示器,包括上述的柔性显示基板。可选的,在所述柔性显示基板包括与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极的情况下,所述柔性显示器还包括彩膜基板。可选的,在所述柔性显示基板包括与所述薄膜晶体管的漏极电连接的阳极、以及阴极和有机材料功能层的情况下,所述柔性显示器还包括柔性封装基板;其中,所述柔性封装基板与所述柔性显示基板通过粘结胶粘结。本专利技术实施例提供了一种柔性显示基板及柔性显示器,所述柔性显示基板包括第一柔性衬底基板、以及设置在所述第一柔性衬底基板上的多个显示元件,所述显示元件包括薄膜晶体管;进一步所述柔性显示基板还包括设置在所述第一柔性衬底基板远离所述薄膜晶体管一侧的第二柔性衬底基板,以及设置在所述第一柔性衬底基板和所述第二柔性衬底基板之间的多个突起结构;其中,任一个突起结构在所述第二柔性衬底基板上的投影与一个显示元件中的所述薄膜晶体管在所述第二柔性衬底基板上的投影重叠。这样,当所述柔性显示基板发生弯曲时,所述突起结构便可以承载弯曲过程中产生的应力,从而防止所述柔性显示基板在弯曲过程中产生应力破坏所述薄膜晶体管。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种柔性显示基板的结构示意图一;图2为本专利技术实施例提供的一种柔性显示基板的结构示意图二 ;图3为本专利技术实施例提供的一种柔性显示基板的结构示意图三;图4为本专利技术实施例提供的一种柔性显示基板的结构示意图四;图5为本专利技术实施例提供的一种柔性显示基板的结构示意图五;图6为本专利技术实施例提供的一种柔性显示基板的结构示意图六;图7为本专利技术实施例提供的一种柔性显示基板的结构示意图七;图8为本专利技术实施例提供的一种柔性显示基板的结构示意图八;图9为本专利技术实施例提供的一种柔性显示器的结构示意图一;图10为本专利技术实施例提供的一种柔性显示器的结构示意图二。附图标记:01-柔性显示基板;02_柔性封装基板;03_彩膜基板;04_液晶层;05_粘结胶;10-第一柔性衬底基板;11_显示元件;20_薄膜晶体管;30_第二柔性衬底基板;40_突起结构;50_像素电极;60_公共电极;70_阳极;80_阴极;90_有机材料功能层;100-0CA光学胶;110-像素隔离层;201-栅极;202_栅绝缘层;203_有源层;204_源极;205_漏极;300-第三柔性衬底基板;310_红色光阻;320_绿色光阻;330_蓝色光阻。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种柔性显示基板01,如图1-图8所示,所述柔性显示基板01包括第一柔性衬底基板10、以及设置在所述第一柔性衬底基板10上的多个显示元件11,所述显示元件11包括薄膜晶体管20 ;进一步所述柔性显示基板01还包括设置在所述第一柔性衬底基板10远离所述薄膜晶体管20 —侧的第二柔性衬底基板30,以及设置在所述第一柔性衬底基板10和所述第二柔性衬底基板30之间的多个突起结构40。其中,任一个突起结构40在所述第二柔性衬底基板30上的投影与一个显示元件11中的所述薄膜晶体管20在所述第二柔性衬底基板30上的投影重叠。所述薄膜晶体管20包括栅极201、栅绝缘层202、有源层203、源极204和漏极205等;在此情况下,所述柔性显示基板01还包括与所述栅极201电连接的栅线、栅线引线,与所述源极204电连接的数据线、数据线引线。此外,当所述柔性显示基板为液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称IXD)的阵列基板时,如图1和图2所示,所述显示元件11还包括与所述漏极205相连接的像素电极50。当然所述显示元件11还可以包括公共电极60 ;在此情况下,对于共平面切换型(In-Plane Switch,简称IPS)阵列基板而言,如图3和图4所示,所述像素电极50和所述公共电极60同层间隔设置,且均为条状电极;对于高级超维场转换型(Advanced-superDimensional Switching,简称ADS)阵列基板而言,如图5和图6所示,所述像素电极50和所述公共电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性显示基板,包括第一柔性衬底基板、以及设置在所述第一柔性衬底基板上的多个显示元件,所述显示元件包括薄膜晶体管;其特征在于,所述柔性显示基板还包括设置在所述第一柔性衬底基板远离所述薄膜晶体管一侧的第二柔性衬底基板,以及设置在所述第一柔性衬底基板和所述第二柔性衬底基板之间的多个突起结构;其中,任一个突起结构在所述第二柔性衬底基板上的投影与一个显示元件中的所述薄膜晶体管在所述第二柔性衬底基板上的投影重叠。

【技术特征摘要】
1.一种柔性显示基板,包括第一柔性衬底基板、以及设置在所述第一柔性衬底基板上的多个显示元件,所述显示元件包括薄膜晶体管;其特征在于, 所述柔性显示基板还包括设置在所述第一柔性衬底基板远离所述薄膜晶体管一侧的第二柔性衬底基板,以及设置在所述第一柔性衬底基板和所述第二柔性衬底基板之间的多个突起结构; 其中,任一个突起结构在所述第二柔性衬底基板上的投影与一个显示元件中的所述薄膜晶体管在所述第二柔性衬底基板上的投影重叠。2.根据权利要求1所述的柔性显示基板,其特征在于, 相对所述多个显示元件,任意相邻两个所述突起结构间隔设置。3.根据权利要求2所述的柔性显示基板,其特征在于,所述突起结构与所述显示元件--对应。4.根据权利要求1至3任一项所述的柔性显示基板,其特征在于,所述突起结构在所述第二柔性衬底基板上的投影面积大于所述薄膜晶体管在所述第二柔性衬底基板上的投影面积。5.根据权利要求1所述的柔性显示基板,其特征在于,所述突起结构为长方体、或正方体、或圆柱体、或多边体。6.根据权利要求1 所述的柔性显示基板,其特征在于,所述突...

【专利技术属性】
技术研发人员:程鸿飞张玉欣
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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