液晶显示设备及其像素驱动方法技术

技术编号:9867840 阅读:108 留言:0更新日期:2014-04-03 04:29
本发明专利技术提供一种液晶显示设备的像素驱动方法,液晶显示设备包含第一级像素、第二级像素、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一扫描线、第二扫描线、复数条资料线、主像素电极、次像素电极与分享电容。所述像素驱动方法包含:在第一致能期间,致能第一扫描线,将第一级像素的主像素电极与次像素电极的充电;在第二致能期间时,停止致能第一扫描线,以降低第一级像素的主像素电极与次像素电极的电压;在第三致能期间,致能第二扫描线,并开启第一级像素的第三晶体管;以及在第四致能期间,停止致能第二扫描线,并于第三致能期间与第四致能期间,利用第三晶体管的分享电容,拉低第一级像素的次像素电极的电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种像素驱动方法,特别是涉及一种液晶显示设备的像素驱动方法。
技术介绍
随着液晶显示面板的技术日益进步,不同厂商之间各自发展出不同类型的液晶显不面板,其中有扭曲向列型(Twisted Nematic, TN)、垂直配向技术(Vertical Alignment,VA)、平面转换(In-Plane Switching, IPS)以及聚合物稳定垂直配向型(PolymerStabilized Vertical Alignment, PSVA)等种类。而以垂直配向(VA)作为液晶显示设备的一种显示模式时,由于在不同视角下观察到液晶指向不同,会导致大视角下观察到的颜色失真。为改善大视角颜色失真,在液晶像素设计时,将一个像素分成两部分,一部份为主像素区,另一部分为次像素区,通过控制两区电压来改善大视角失真,一般称为低色偏(lowcolor shift, LCS)设计。低色偏设计主要分为两类,一类是通过增加数据或扫描线,分别对主像素与次像素控制,其缺点是驱动线的数目增加。另一类是在阵列基板上设计电容,用来控制主像素与次像素电位不一致,以实现低色偏效果。但是,由于在阵列基板设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示设备的像素驱动方法,所述液晶显示设备包含第一级像素、第二级像素、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一扫描线、第二扫描线、复数条资料线、主像素电极、次像素电极与分享电容,其特征在于,所述像素驱动方法包含:在第一致能期间,致能所述第一扫描线,将所述第一级像素的所述主像素电极与所述次像素电极的充电;在第二致能期间时,停止致能所述第一扫描线,以降低所述第一级像素的所述主像素电极与所述次像素电极的电压;在第三致能期间,致能所述第二扫描线,并开启所述第一级像素的所述第三晶体管;以及在第四致能期间,停止致能所述第二扫描线,并于所述第三致能期间与所述第四致能期间,利用所述第三晶体管连接的所述分...

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示设备的像素驱动方法,所述液晶显示设备包含第一级像素、第二级像素、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一扫描线、第二扫描线、复数条资料线、主像素电极、次像素电极与分享电容,其特征在于,所述像素驱动方法包含: 在第一致能期间,致能所述第一扫描线,将所述第一级像素的所述主像素电极与所述次像素电极的充电; 在第二致能期间时,停止致能所述第一扫描线,以降低所述第一级像素的所述主像素电极与所述次像素电极的电压; 在第三致能期间,致能所述第二扫描线,并开启所述第一级像素的所述第三晶体管;以及 在第四致能期间,停止致能所述第二扫描线,并于所述第三致能期间与所述第四致能期间,利用所述第三晶体管连接的所述分享电容,拉低所述第一级像素的所述次像素电极的电压。2.根据权利要求1所述的像素驱动方法,其特征在于,在所述第三致能期间,致能所述第二扫描线以开启所述第一级像素的所述第三晶体管以及所述第二级像素的所述第一晶体管与所述第二晶体管。3.根据权利要求1所述的像素驱动方法,其特征在于,所述像素驱动方法用于垂直配像型(VA)液晶显示设备,且所述第二级像素为所述第一级像素的下一级像素。4.根据权利要求1所述的像素驱动方法,其特征在于,在所述第二致能期间,所述主像素电极与所述 次像素电极的电压会因为馈入效应(feed through effect)而降低。5.根据权利要求1所述的像素驱动方法,其特征在于,所述第二级像素的所述第一晶体管与所述第二晶体管与所述第一级像素的所述第三晶体管共享一条扫描线。6.一种液晶显示设备,其特征在于,所述液晶显示设备包含复数个像素{P(n,m)},n=l,2,…,N,N+l, - ,m=l,2,…,M,M+1,…,并以阵列的形式排列,其中n,m为正整数,其中一个所述像素位于两相邻扫描线(Gate_N, Gate_N+l)与两相邻数据线(Data_M...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈政鸿许哲豪王醉姚晓慧
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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