太阳能电池模块及其制造方法技术

提供一种太阳能电池模块及其制造方法。所述太阳能电池模块包括：基板；下电极，位于基板上；光吸收层，位于下电极上；上电极，位于光吸收层上；保护层，位于上电极上，保护层沿光吸收层的侧壁延伸到下电极，保护层包括吸湿材料。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】提供一种。所述太阳能电池模块包括：基板；下电极，位于基板上；光吸收层，位于下电极上；上电极，位于光吸收层上；保护层，位于上电极上，保护层沿光吸收层的侧壁延伸到下电极，保护层包括吸湿材料。【专利说明】本申请要求于在2012年7月31日在美国专利商标局提交的题为“Thin FilmSolar Cell Module And Method Of Manufacturing The Same” 的第 61/677，768 号美国临时申请、在2013年7月30日提交的第13/954,001号美国专利申请以及在2013年7月12日提交的第13176312.0号欧洲专利申请的优先权，出于所有目的将这些申请通过引用使其全部内容包含于此。
实施例涉及一种薄膜。
技术介绍
当前，预计持续对现有能源(诸如石油或煤)的消耗，因此已经增加了对替代能源的关注。在这些替代能源中，例如通过使用半导体元件将太阳能直接转化为电能的太阳能电池被认为是下一代能源。太阳能电池可以使用p-n结，并且可以根据其材料利用诸如单晶太阳能电池、多晶太阳能电池、非晶硅太阳能电池、化合物基太阳能电池、燃料敏化太阳能电池等的各种装置，以提高效率和性能。在这些太阳能电池中，与发电效率相比，晶体硅太阳能电池会使用高成本的材料并且会涉及复杂的加工工序。因此,对具有低成本的产品的薄膜太阳能电池的关注增加。
技术实现思路
实施例在于一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块包括:基板；下电极，位于基板上；光吸收层，位于下电极上；上电极，位于光吸收层上；保护层，位于上电极上，保护层沿光吸收层的侧壁延伸到下电极，保护层包括吸湿材料。光吸收层可以包括从CIS材料、CIGS材料、非晶硅材料和CdTe材料的组中选择的至少一种。所述太阳能电池模块还可以包括位于下电极上的第一焊带和第二焊带，光吸收层和上电极可以位于第一焊带和第二焊带之间。保护层可以位于第一焊带和第二焊带中的每个焊带的上表面和侧壁上。吸湿材料可以是金属或金属氧化物。吸湿材料可以包括从铝、镁、锰、铁、钙、钡和锶的组中选择的至少一种。所述太阳能电池模块还可以包括位于保护层上的覆盖基板，保护层的折射率可以在覆盖基板的折射率到上电极的折射率的范围内。所述太阳能电池模块还可以包括位于覆盖基板和保护层之间的包封层，包封层接触所述基板。包封层可以包括从乙烯乙酸乙烯酯共聚物树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、乙烯乙酸乙烯酯部分氧化物树脂、硅树脂、酯类树脂和烯烃类树脂的组中选择的至少一种。实施例还在于一种制造太阳能电池模块的方法，所述方法包括下述步骤:在基板上形成下电极；在下电极上形成光吸收层；在光吸收层上形成上电极；以及在上电极上形成保护层，保护层被形成为沿光吸收层的侧壁延伸到下电极，保护层包括吸湿材料。形成保护层的步骤可以包括:去除光吸收层和上电极的一部分，以暴露下电极的一部分；在下电极的暴露的部分上形成保护层。光吸收层可以包括从CIS材料、CIGS材料、非晶硅材料和CdTe材料的组中选择的至少一种。所述方法还可以包括在下电极上形成第一焊带和第二焊带，光吸收层和上电极可以位于第一焊带和第二焊带之间。形成第一焊带和第二焊带的步骤可以包括:去除保护层的一部分，以暴露下电极的第一部分和第二部分；在下电极的相应的第一部分和第二部分上形成第一焊带和第二焊带。保护层可以形成在第一焊带和第二焊带中的每个焊带的上表面和侧壁上。吸湿材料可以是金属或金属氧化物。所述方法还可以包括在保护层上设置覆盖基板，保护层的折射率可以在覆盖基板的折射率到上电极的折射率的范围内。吸湿材料可以是金属氧化物，并且形成保护层的步骤可以包括在沉积金属氧化物时调节氧分压。所述方法可以还包括在覆盖基板和保护层之间形成包封层，包封层接触所述基板。所述包封层可以包括从乙烯乙酸乙烯酯共聚物树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、乙烯乙酸乙烯酯部分氧化物、硅树脂、酯类树脂和烯烃类树脂的组中选择的至少一种。【专利附图】【附图说明】通过参照附图对示例实施例进行的详细描述，对本领域技术人员来说，特征将变得明显，在附图中:图1示出根据示例实施例的薄膜太阳能电池模块的示意性剖视图；图2示出图1中的薄膜太阳能电池模块的光反射率的曲线图；图3到图9示出根据示例实施例的在制造图1中的薄膜太阳能电池模块的方法中的各步骤的剖视图；图10示出根据另一示例实施例的图1中的薄膜太阳能电池模块的变型示例；图11到图13示出根据示例实施例的在制造图10中的薄膜太阳能电池模块的方法中的各步骤的剖视图。【具体实施方式】现在，将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式来实施，且不应该解释为局限于在这里所提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的，并将把示例实施例的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰地示出，可以夸大尺寸。相同的标号始终表示相同的元件。为了描述的简便和清晰，可以夸大、省略或示意性地示出元件，并且元件的尺寸不完全反映实际尺寸。另外，在对元件的描述中，在元件被称作在另一元件“上”或“下”的情况下，该元件可以“直接地”或“间接地”在另一元件或中间元件之上或之下。术语“在……上”或“在……下”是针对附图的描述。图1示出根据示例实施例的薄膜太阳能电池模块的示意性剖视图，图2示出图1中的薄膜太阳能电池模块的光反射率的曲线图。参照图1，根据示例实施例的薄膜太阳能电池模块100可以包括:薄膜太阳能电池120 ;保护层140，形成在薄膜太阳能电池120上；一对焊带130，各自附着到薄膜太阳能电池120的两端中的一端；包封层150，密封薄膜太阳能电池120和一对焊带130 ;覆盖基板160，设置在包封层150上。薄膜太阳能电池120可以通过使用光电效应直接将太阳光的能量转化为电能，薄膜太阳能电池120可以是CIS基薄膜太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、CdTe (碲化镉)薄膜太阳能电池等。为了方便起见，在下文中，薄膜太阳能电池120可以被称为CIGS薄膜太阳能电池，但是薄膜太阳能电池120可以是非晶硅薄膜太阳能电池、CdTe薄膜太阳能电池等。薄膜太阳能电池120可以包括下基板121以及顺序地堆叠在下基板121上的后电极层122、光吸收层124、缓冲层126和透明电极层128。下基板121可以是例如玻璃基板、不锈钢基板、聚合物基板等。例如，玻璃基板可以使用钠钙玻璃，聚合物基板可以使用聚酰亚胺等。为了收集通过光电效应形成的电荷并且反射透过光吸收层124的光以使得光吸收层124对光进行再吸收，后电极层122可以由具有优异的导电性和光反射率的金属材料(诸如钥(Mo)、铝(Al)或铜(Cu))形成。例如，考虑到在硒(Se)气氛中的高温稳定性、与光吸收层124的欧姆接触、高导电性等，后电极层122可以由钥(Mo)形成。另外，后电极层122可以形成为多层，以保证与下基板121的接合以及后电极层122的电阻特性。光吸收层124吸收入射的太阳光，并且可以由例如包括铜(Cu)、铟(In)和硒(Se)的铜铟硒(CIS)基化合物形成，以形成P型半导体层。在另一实施方式中，光吸收层124可以由包括铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)和硒(Se)的铜铟镓硒(Cu(In，Ga) Se2) 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块包括：基板；下电极，位于基板上；光吸收层，位于下电极上；上电极，位于光吸收层上；保护层，位于上电极上，保护层沿光吸收层的侧壁延伸到下电极，保护层包括吸湿材料。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨政烨，安英京，朴凤景，尤里·列别德夫，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR