一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法技术

一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：将粒度为0.1~2µm的氧化镁1~20wt%、AlN-AlON混合粉体80~99wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1500~2000℃的温度下30~180分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体。本发明专利技术制备的AlON陶瓷粉体为片状结构，显微结构均匀。

【技术实现步骤摘要】
—种片状AION陶瓷粉体的制备方法
本专利技术涉及，属于陶瓷制备
。
技术介绍
AlON陶瓷材料具有优良的耐高温性能、高温力学性能和热学性能，被广泛应用于航空航天、电子、机械、冶金等领域。但是，由于其抗氧化能力较差，在有氧存在的条件下约1000°C左右开始氧化，因此，严重制约该材料的应用领域。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供。其技术方案为: ，将粒度为0.r2Mm的氧化镁l~20wt%、AlN-AlON混合粉体80~99被％混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下150(T2000°C的温度下30~180分钟烧制，研磨制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为0.3^3Mm的AlN粉体和Al2O3粉体以摩尔比为I飞的比例均匀混合制成的。本专利技术与现有技术相比，其优点为: 1、本专利技术制备的片状AlON陶瓷粉体显微结构均匀，片与片之间成一定角度，并与机体相连； 2、每一个晶粒表面为片状AlON相连形成网络结构，在与其他晶体复合时形成弱界面联系。【附图说明】图1是实施例1制备的片状AlON陶瓷粉体的XRD照片；图2是实施例2制备的片状AlON陶瓷粉体显微照片。【具体实施方式】实施例1 将粒度为0.1Mm的氧化镁lwt%、AlN-AlON混合粉体99wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下2000°C的温度下180分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为0.3Mm的AlN粉体和Al2O3粉体以摩尔比为I的比例均匀混合制成的。实施例2 将粒度为0.1Mm的氧化镁lwt%、AlN-AlON混合粉体99wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1800°C的温度下60分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为0.3Mm的AlN粉体和Al2O3粉体以摩尔比为2的比例均匀混合制成的。实施例3 将粒度为2Mm的氧化镁20wt%、AlN-A10N混合粉体80wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1500°C的温度下30分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为IMm的AlN粉体和Al2O3粉体以摩尔比为3.5的比例均匀混合制成的。实施例4 将粒度为IMm的氧化镁10wt%、AlN-A10N混合粉体90wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1700°C的温度下90分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为2Mm的AlN粉体和Al2O3·粉体以摩尔比为5的比例均匀混合制成的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：将粒度为0.1~2µm的氧化镁1~20wt%、AlN‑AlON混合粉体80~99wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1500~2000℃的温度下30~180分钟烧制，研磨制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN‑AlON混合粉体是粒度为0.3~3µm的AlN粉体和Al2O3粉体以摩尔比为1~5的比例均匀混合制成的。

【技术特征摘要】
1.一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法，其特征在于:将粒度为0.l~2Mm的氧化镁I~20wt%、AlN-A10N混合粉体80~99￥丨％混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下150(T20...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐竹兴，王洪忠，褚为静，邢新明，
申请(专利权)人：山东理工大学，
类型：发明
国别省市：山东;37