多层板和半导体封装制造技术

本发明专利技术提供一种多层板和半导体封装，所述半导体封装具有改善的热耗散性能。多层板包含：各向异性导电部件，其包含绝缘基底，所述绝缘基底为铝基板的阳极氧化膜且其中在厚度方向上形成若干通孔，且还包含多个导电通路，所述导电通路由填充于所述通孔中的导电材料形成且在所述导电通路彼此绝缘的情况下在所述厚度方向上延伸穿过所述绝缘基底；热传导层，其包含热传导部分且配置于所述各向异性导电部件的至少一个表面上；以及热耗散部分，其由导电材料形成且从所述绝缘基底突出。

【技术实现步骤摘要】
多层板和半导体封装
本专利技术涉及包含各向异性导电部件(anisotropically-conductive member)的多层板(mult1-layered board)以及使用所述多层板的半导体封装。
技术介绍
三维安装技术已知是半导体安装技术的趋势。通过采用此技术，甚至使用老一代的设计规则制造的半导体装置也可展现与最新半导体装置相同的性能，且不同类型的半导体装置之间的数据传输速率可提升。作为三维安装技术的应用实例，IC芯片(半导体装置)和各向异性导电膜(各向异性导电部件)交替叠加在其中的配置在JP2009-164095A的图6中揭示。
技术实现思路
组成各向异性导电部件的绝缘基底的热导率较低，且具体来说，在例如三维安装类型的具有配置于各向异性导电部件的两个表面上的半导体装置的半导体封装中，从半导体装置产生的热可能被限于半导体封装中。考虑上文提到的情况制作本专利技术，且其目的是改善使用各向异性导电部件制造的半导体封装的热耗散性能。本专利技术的专利技术人发现，通过使用特定多层板作为在半导体封装中使用的各向异性导电部件可改善热耗散性能，且因此实现本专利技术。也就是说，本专利技术提供以下配置⑴到(7)。(I) 一种多层板，包括:各向异性导电部件，其包括绝缘基底，所述绝缘基底为铝基板的阳极氧化膜且其中在厚度方向上形成若干通孔，且还包括多个导电通路，所述导电通路由填充于所述通孔中的导电材料形成且在所述导电通路彼此绝缘的情况下在所述厚度方向上延伸穿过所述绝缘基底；热传导层，其包括热传导部分且配置于所述各向异性导电部件的至少一个表面上；以及热耗散部分，其由导电材料形成且从所述绝缘基底突出。(2)根据(I)的多层板，其中所述热传导层包括所述热传导部分、由导电材料形成的互连部分，以及使所述热传导部分和所述互连部分彼此绝缘的绝缘部分。(3)根据(2)的多层板，其中所述绝缘部分由树脂形成。(4)根据(I)到(3)中任一者的多层板，其中从所述阳极氧化膜突出的所述热耗散部分具有35 μ m或超过35 μ m的高度。(5)根据(I)到(4)中任一者的多层板，其中所述热传导部分嵌入在所述阳极氧化膜中。(6)根据(I)到(5)中任一者的多层板，其中所述热传导层配置于两个或两个以上各向异性导电部件之间。(7) 一种半导体封装，包括根据(I)到(6)中任一者的多层板，以及配置于所述多层板的至少一个表面上的半导体装置。根据本专利技术，可改善使用各向异性导电部件制造的半导体封装的热耗散性能。【附图说明】图1A是示意性说明根据第一实施例的多层板的平面图，图1B是其仰视图，且图1C是沿着图1A的线A-A'和图1B的线A-A'截取的横截面图。图2是示意性说明采用根据第一实施例的多层板的半导体封装的横截面图。图3A是示意性说明根据第二实施例的半导体封装的平面图，其中省略了半导体装置，且图3B是沿着图3A的线B-B'截取的横截面图。图4是说明根据第三实施例的半导体封装的示意图。图5是示意性说明根据第四实施例的半导体封装的横截面图。图6是示意性说明根据第五实施例的半导体封装的横截面图。图7是示意性说明根据第六实施例的半导体封装的横截面图。图8A到8D是示意性说明制造根据第一和第二实施例以及第四到第六实施例的各向异性导电部件的方法的横截面图。图9A到9F是示意性说明制造根据第三实施例的各向异性导电部件的方法(方法I)的横截面图。图1OA到IOG是示意性说明制造根据第三实施例的各向异性导电部件的方法(方法2)的横截面图。图1lA到IlF是示意性说明制造根据第三实施例的各向异性导电部件的方法(方法3)的横截面图。图12A到12G是示意性说明制造根据第三实施例的各向异性导电部件的方法(方法4)的横截面图。图13A到13E是示意性说明制造根据第三实施例的各向异性导电部件的方法(方法5)的横截面图。图14A到14D是示意性说明制造根据第三实施例的各向异性导电部件的方法(方法6)的横截面图。图15A到I?是示意性说明制造根据第三实施例的各向异性导电部件的方法(方法7)的横截面图。图16A到16E是示意性说明制造根据第三实施例的各向异性导电部件的方法(方法8)的横截面图。【具体实施方式】根据本专利技术的多层板包括:各向异性导电部件，其具有绝缘基底，所述绝缘基底为铝基板的阳极氧化膜且其中在厚度方向上形成若干通孔，且具有多个导电通路，所述导电通路由填充于所述通孔中的导电材料形成且在所述导电通路彼此绝缘的状态下在厚度方向上延伸穿过所述绝缘基底；热传导层，其具有热传导部分且配置于所述各向异性导电部件的至少一个表面上；以及热耗散部分，其由导电材料形成且从所述绝缘基底突出。根据本专利技术的半导体封装包括根据本专利技术的多层板以及配置于所述多层板的至少一个表面上的半导体装置。下文中，将描述本专利技术的实施例。第一实施例多层板图1A是示意性说明根据第一实施例的多层板的平面图，图1B是其仰视图，且图1C是沿着图1A的线A-A'和图1B的线A-A'截取的横截面图。根据第一实施例的多层板I是这样的多层板，其具有由各向异性导电部件11形成的层以及配置于所述各向异性导电部件11的一个表面上的热传导层21。热耗散部分31 —体式地被提供于各向异性导电部件11的一部分中。各向异性导电部件各向异性导电部件11具有绝缘基底12以及由导电材料形成的多个导电通路13。导电通路13经提供为在所述导电通路彼此绝缘的状态下在厚度方向上延伸穿过绝缘基底12。导电通路13经配置处于如下状态中:每一导电通路13的一端在绝缘基底12的一个表面处暴露，且每一导电通路13的另一端在绝缘基底12的另一表面处暴露。每一导电通路13在绝缘基底12中存在的至少一部分优选地近似平行于绝缘基底12的厚度方向。下文将描述绝缘基底和导电通路。绝缘基底组成各向异性导电部件的绝缘基底是具有通孔的铝基板的阳极氧化膜。也就是说，绝缘基底是通过对铝基板进行阳极氧化而获得的氧化铝膜。绝缘基底的厚度优选范围是`从I μ m到1000 μ m,更优选范围是从5 μ m到500 μ m,且再更优选范围是从?ο μ m到300 μ m。绝缘基底中的导电通路之间的宽度优选等于或大于5nm且更优选范围是从IOnm到200nm。当绝缘基底中的导电通路之间的宽度位于此范围中时,绝缘基底可令人满意地充当绝缘障壁。举例来说，在JP2012-089481A的段落到中描述的绝缘基底可用作所述绝缘基底。铝基板的阳极氧化膜绝缘基底是铝基板的阳极氧化膜，且可通过对铝基板进行阳极氧化且使通过阳极氧化形成的微孔(micropore)经历穿孔(perforation)来制造。此处,将在稍后将描述的制造各向异性导电部件的方法中描述阳极氧化和穿孔步骤。微孔是指不穿透在对铝基板进行阳极氧化时形成的膜的孔，且通过使微孔经历稍后将描述的穿孔步骤而获得的孔称为通孔。铝基板[0051 ] 铝基板不受特定限制，且可使用任何已知铝基板。本专利技术中使用的铝基板以及可采用的对铝基板进行的处理步骤与JP2009-164095A的段落到中描述的相同。导电通路组成各向异性导电部件的导电通路由导电材料形成。导电材料的实例包含电阻率等于或小于IO3 Ω.αιι的材料，且其具体实例包含例如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层板，包括：各向异性导电部件，其包括绝缘基底，所述绝缘基底为铝基板的阳极氧化膜且其中在厚度方向上形成若干通孔，且还包括多个导电通路，所述导电通路由填充于所述通孔中的导电材料形成且在所述导电通路彼此绝缘的情况下在所述厚度方向上延伸穿过所述绝缘基底；热传导层，其包括热传导部分且配置于所述各向异性导电部件的至少一个表面上；以及热耗散部分，其由所述导电材料形成且从所述绝缘基底突出。

【技术特征摘要】
2012.09.26 JP 2012-212545;2013.05.16 JP 2013-103811.一种多层板,包括: 各向异性导电部件，其包括绝缘基底，所述绝缘基底为铝基板的阳极氧化膜且其中在厚度方向上形成若干通孔，且还包括多个导电通路，所述导电通路由填充于所述通孔中的导电材料形成且在所述导电通路彼此绝缘的情况下在所述厚度方向上延伸穿过所述绝缘基底； 热传导层，其包括热传导部分且配置于所述各向异性导电部件的至少一个表面上；以及 热耗散部分，其由所述导电材料形成且从所述绝缘基底突出。2.根据权利要求1所述的多层板，其中所述热传导层包括所述热传导部分、由导电材料形成的互连部分，以及使所述热传导部分和所述互连部分彼此绝缘的绝缘部分。3.根据权利要求2所述的多层板，其中所述绝缘部分由树脂形成。4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的多层板，其中从所述阳极氧化膜突出的所述热耗散部分具有35 μ m或超过35 μ m的高度。5.根据权利要求4所述的多层板，其中所述热传导部分嵌入在所述阳极氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下広祐，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP