用于通讯设备的语音处理电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于通讯设备的语音处理电路，包括直流电源、第一电容、第二电容、第一三极管至第四三极管、按钮开关、第一二极管、第二二极管、扬声器、语音合成集成芯片和第一电阻至第九电阻。与现有技术相比，本实用新型专利技术用于通讯设备中进行语音处理，能够有效的提高音质，且电路结构简单、体积小、成本低廉，使通讯设备便于携带，有利于推广和普及。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
用于通讯设备的语音处理电路
[0001 ] 本技术涉及一种通讯设备内部电路，尤其涉及一种用于通讯设备的语音处理电路。
技术介绍
无线通讯是利用无线电波而非电缆来实现设备间的通信，这种通信方式具有快捷简单的安装维护、不受现场地形环境影响、成本不高等优点，丰富的产品可以满足用户在通信距离和通信速率上的不同需求。而现有技术中，用于通讯设备的语音处理电路结构复杂、成本高、体积大、不便于携带，而且，语音处理不够清晰。
技术实现思路
本技术的目的是要提供一种用于通讯设备的语音处理电路。为达到上述目的，本技术是按照以下技术方案实施的:本技术包括直流电源、第一电容、第二电容、第一三极管至第四三极管、按钮开关、第一二极管、第二二极管、扬声器、语音合成集成芯片和第一电阻至第九电阻，所述直流电源的正极同时与所述第一电阻的第一端、所述按钮开关的第一端和所述第二电阻的第一端连接，所述直流电源的负极同时与所述第一电容的第一端和所述第三电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端同时与所述第一电容的第二端和所述语音合成集成芯片的振荡输入端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述第一三极管的集电极和所述第三三极管的集电极连接，所述第三电阻的第二端同时与所述第二三极管的发射极、所述语音合成集成芯片的电源负极端和所述第四三极管的发射极连接，所述第四电阻的第一端与所述第一二极管的负极连接，所述第四电阻的第二端与所述第九电阻的第一端连接，所述第五电阻的第一端同时与所述语音合成集成芯片的第一输出端和所述第一二极管的正极连接，所述第五电阻的第二端与所述第一三极管的基极连接，所述第六电阻的第一端与所述语音合成集成芯片的第二输出端和所述第二二极管的正极连接，所述第六电阻的第二端与所述第二三极管的基极连接，所述第七电阻的第一端与所述第二二极管的负极连接，所述第七电阻的第二端与所述第八电阻的第一端连接，所述第八电阻的第二端与所述第三三极管的基极连接，所述第九电阻的第二端与所述第四三极管的基极连接，所述按钮开关的第二端与所述语音合成集成芯片的触发端连接，所述第一三极管的发射极同时与所述第二三极管的集电极、所述扬声器的第一端和所述第二电容的第一端连接，所述第三三极管的发射极与所述第四三极管的集电极连接，所述第二电容的第二端与所述扬声器的第二端连接。本技术的有益效果是:本技术是一种用于通讯设备的语音处理电路，与现有技术相比，本技术用于通讯设备中进行语音处理，能够有效得提高音质，且电路结构简单、体积小、成本低廉，使通讯设备便于携带，有利于推广和普及。【附图说明】图1是本技术所述用于通讯设备的语音处理电路的电路结构原理图。【具体实施方式】下面结合附图以及具体实施例对本技术作进一步描述，在此技术的示意性实施例以及说明用来解释本技术，但并不作为对本技术的限定。如图1所示:本技术包括直流电源E、第一电容Cl、第二电容C2、第一三极管VTl至第四三极管VT4、按钮开关SB、第一二极管VD1、第二二极管VD2、扬声器BL、语音合成集成芯片IC和第一电阻Rl至第九电阻R9，直流电源E的正极同时与第一电阻Rl的第一端、按钮开关SB的第一端和第二电阻R2的第一端连接，直流电源E的负极同时与第一电容Cl的第一端和第三电阻R3的第一端连接，第一电阻Rl的第二端同时与第一电容Cl的第二端和语音合成集成芯片IC的振荡输入端连接，第二电阻R2的第二端同时与第一三极管VTl的集电极和第三三极管VT3的集电极连接，第三电阻R3的第二端同时与第二三极管VT2的发射极、语音合成集成芯片IC的电源负极端和第四三极管VT4的发射极连接，第四电阻R4的第一端与第一二极管VDl的负极连接，第四电阻R4的第二端与第九电阻R9的第一端连接，第五电阻R5的第一端同时与语音合成集成芯片IC的第一输出端和第一二极管VDl的正极连接，第五电阻R5的第二端与第一三极管VTl的基极连接，第六电阻R6的第一端与语音合成集成芯片IC的第二输出端和第二二极管VD2的正极连接，第六电阻R6的第二端与第二三极管VT2的基极连接，第七电阻R7的第一端与第二二极管VD2的负极连接，第七电阻R7的第二端与第八电阻R8的第一端连接，第八电阻R8的第二端与第三三极管VT3的基极连接，第九电阻R9的第二端与第四三极管VT4的基极连接，按钮开关SB的第二端与语音合成集成芯片IC的触发端连接，第一三极管VTl的发射极同时与第二三极管VT2的集电极、扬声器BL的第一端和第二电容C2的第一端连接，第三三极管VT3的发射极与第四三极管VT4的集电极连接，第二电容C2的第二端与扬声器BL的第二端连接。本技术的技术方案不限于上述具体实施例的限制，凡是根据本技术的技术方案做出的技术变形，均落入本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于通讯设备的语音处理电路，其特征在于：包括直流电源、第一电容、第二电容、第一三极管至第四三极管、按钮开关、第一二极管、第二二极管、扬声器、语音合成集成芯片和第一电阻至第九电阻，所述直流电源的正极同时与所述第一电阻的第一端、所述按钮开关的第一端和所述第二电阻的第一端连接，所述直流电源的负极同时与所述第一电容的第一端和所述第三电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端同时与所述第一电容的第二端和所述语音合成集成芯片的振荡输入端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述第一三极管的集电极和所述第三三极管的集电极连接，所述第三电阻的第二端同时与所述第二三极管的发射极、所述语音合成集成芯片的电源负极端和所述第四三极管的发射极连接，所述第四电阻的第一端与所述第一二极管的负极连接，所述第四电阻的第二端与所述第九电阻的第一端连接，所述第五电阻的第一端同时与所述语音合成集成芯片的第一输出端和所述第一二极管的正极连接，所述第五电阻的第二端与所述第一三极管的基极连接，所述第六电阻的第一端与所述语音合成集成芯片的第二输出端和所述第二二极管的正极连接，所述第六电阻的第二端与所述第二三极管的基极连接，所述第七电阻的第一端与所述第二二极管的负极连接，所述第七电阻的第二端与所述第八电阻的第一端连接，所述第八电阻的第二端与所述第三三极管的基极连接，所述第九电阻的第二端与所述第四三极管的基极连接，所述按钮开关的第二端与所述语音合成集成芯片的触发端连接，所述第一三极管的发射极同时与所述第二三极管的集电极、所述扬声器的第一端和所述第二电容的第一端连接，所述第三三极管的发射极与所述第四三极管的集电极连接，所述第二电容的第二端与所述扬声器的第二端连接。...

【技术特征摘要】
1.一种用于通讯设备的语音处理电路，其特征在于:包括直流电源、第一电容、第二电容、第一三极管至第四三极管、按钮开关、第一二极管、第二二极管、扬声器、语音合成集成芯片和第一电阻至第九电阻，所述直流电源的正极同时与所述第一电阻的第一端、所述按钮开关的第一端和所述第二电阻的第一端连接，所述直流电源的负极同时与所述第一电容的第一端和所述第三电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端同时与所述第一电容的第二端和所述语音合成集成芯片的振荡输入端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述第一三极管的集电极和所述第三三极管的集电极连接，所述第三电阻的第二端同时与所述第二三极管的发射极、所述语音合成集成芯片的电源负极端和所述第四三极管的发射极连接，所述第四电阻的第一端与所述第一二极管的负极连接，所述第四电阻的第二端与所述第九电阻的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡永才，
申请(专利权)人：胡永才，
类型：新型
国别省市：浙江;33