一种真空镀膜装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种真空镀膜装置及方法，该方法包括：步骤一，将待蒸镀基板的膜面与掩膜板相对设置，待蒸镀基板的膜面上包括至少一个蒸镀区域，掩膜板的图形区尺寸小于任一蒸镀区域尺寸；步骤二，使掩膜板与第一蒸镀区域对位；步骤三，将掩膜板的图形区与蒸发源相对设置，在所述掩膜板和所述蒸发源之间对应设置蒸镀挡板，驱动待蒸镀基板与掩膜板之间相对移动，完成第一蒸镀区域的镀膜。本发明专利技术使用尺寸小于一个蒸镀区域的掩模板，通过控制掩膜板和蒸镀区域之间相对移动，分步完成一个蒸镀区域的蒸镀。既可以保证真空蒸镀所使用的掩膜板的小尺寸，同时能够满足大尺寸显示器模组的生产要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜形成
，特别涉及一种真空蒸镀装置及方法。
技术介绍
目前，在光电及显示领域，特别是有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode, 0LED)、有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor, OTFT)等器件制造领域，有机小分子真空蒸镀的不均匀性、蒸镀掩模板(Mask)强度及精确度的要求等因素制约了OLED显示技术往大尺寸方向的发展。现有技术的真空蒸镀装置中，蒸发源无论采用点蒸发源、线蒸发源、或面蒸发源等，一般均为一步式真空蒸镀，即各层薄膜均一次性蒸镀到整个基板上。图1为现有技术的真空蒸镀装置的剖面结构示意图，包括:用于移动及承载基板I的基板驱动机构(图未不);用于移动及承载掩膜板3的掩模板驱动机构(图未不);用于对基板I和掩模板3进行对位的对位机构(图未示)；蒸发源4。其中，待蒸镀基板I膜面朝下，掩膜板3位于基板I下方，蒸发源4位于掩膜板3下方。基板I表面形成有图形区2 ；图2为现有技术的基板结构的俯视图，包括:基板I ;形成在基板I表面的图形区2 ;基板上对位标记(Mark) 5。其中，基板上对位标记5位于图形区2外侧。图3为现有技术的掩膜板结构的俯视图，包括:掩膜板图形区6 ;掩膜板边框区7 ；掩膜板上对位标记8。其中，掩膜板上对位标记8位于掩膜板边框区7，掩膜板图形区6与基板图形区2尺寸相同。蒸镀时，基板驱动机 构将基板I移动至掩模板3上方；掩膜板上对位标记8与基板上对位标记5通过对位机构进行对位；打开蒸发源4，蒸镀气体向上蒸发至基板I表面，并沉积为与掩模板开口区图形一致的薄膜。现有技术的一步式真空蒸镀装置主要存在以下缺陷:随着基板的大尺寸化，一步式真空蒸镀难以在大尺寸范围内保证薄膜厚度的均匀性；一步式真空蒸镀要求掩模板图形区与基板的图形区尺寸一致，由于掩模板强度及精确度的要求，随着基板的大尺寸化，掩模板的制作难度不断加大。为了解决上述问题， 申请人:申请的一份申请号为201120238890.1的中国技术专利提供了一种真空蒸镀装置，可对大尺寸基板进行分步式真空蒸镀，缩小了蒸镀掩模板尺寸。虽然该专利在真空蒸镀时将大尺寸基板的蒸镀区域划分为若干个蒸镀子区域，进行分步式真空蒸镀以缩小蒸镀掩模板尺寸、在大尺寸范围内保证薄膜厚度的均匀性，但是在对每一个蒸镀子区域进行蒸镀时蒸镀掩膜板尺寸仍与其对应的蒸镀子区域的大小相同，蒸镀子区域的大小受到蒸镀掩膜板尺寸的限制，进而限制了可对应的显示器模组尺寸，由于掩膜板尺寸缩小限定了蒸镀子区域也较小，因此该专利所提供的真空蒸镀装置难以满足大尺寸显示器模组的生产要求。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种蒸镀区域的尺寸不受掩膜板面积限制，能够满足大尺寸显示器模组的生产要求的真空镀膜装置及方法。为实现上述目的，本专利技术的真空镀膜方法，包括:步骤一，将待蒸镀基板的膜面与掩膜板相对设置，其中待蒸镀基板的膜面上包括至少一个蒸镀区域，掩膜板的图形区尺寸小于任一所述蒸镀区域尺寸；步骤二，使所述掩膜板与第一蒸镀区域对位；步骤三，将掩膜板的图形区与蒸发源相对设置，在所述掩膜板和所述蒸发源之间对应设置蒸镀挡板，驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动，使透过掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过整个所述第一蒸镀区域，完成所述第一蒸镀区域的镀膜。进一步，所述待蒸镀基板的膜面上包括多个蒸镀区域，在步骤三之后还包括步骤四，重复上述的步骤二、三完成其他蒸镀区域的镀膜。进一步，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述待蒸镀基板沿平行于所述掩膜板所在平面的第一方向移动。进一步，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿第二方向的尺寸等于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺 寸，所述第一方向垂直于所述第二方向。进一步，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述待蒸镀基板沿平行于所述掩膜板所在平面的第一方向和第二方向移动，所述第一方向垂直于所述第二方向。进一步，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿所述第二方向的尺寸也小于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸。进一步，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述蒸发源和所述掩膜板沿平行于所述基板所在平面的第一方向移动。进一步，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿第二方向的尺寸等于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸，所述第一方向垂直于所述第二方向。进一步，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述蒸发源和所述掩膜板沿平行于所述基板所在平面的第一方向和第二方向移动，所述第一方向垂直于所述第二方向。进一步，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿所述第二方向的尺寸也小于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸。进一步，所述步骤三还包括:所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动过程中，在垂直于所述待蒸镀基板和所述掩膜板之间相对移动方向上实时校正所述第一蒸镀区域和所述掩膜板的图形区相对位置。进一步，所述掩膜板和所述待蒸镀基板上设置有所述掩膜板与所述第一蒸镀区域的对位标记以及所述掩膜板的图形区与所述第一蒸镀区域的校正标记。本专利技术的真空镀膜装置，包括蒸发源、掩膜板、蒸镀挡板和驱动机构，待蒸镀的基板、所述掩膜板、所述蒸镀挡板和所述蒸发源依次相对设置，所述基板的表面包括至少一个蒸镀区域，所述蒸发源和掩膜板间的位置相对固定，所述掩膜板的图形区尺寸小于任一所述蒸镀区域尺寸，所述驱动机构用于在真空镀膜过程中驱动所述待蒸镀的基板和所述掩膜板之间相对移动，使透过所述掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过整个所述蒸镀区域，形成覆盖所述蒸镀区域的薄膜。进一步，所述真空镀膜装置还包括在垂直于所述待蒸镀的基板和所述掩膜板相对移动方向上实时校正所述蒸镀区域和所述掩膜板的图形区相对位置的校正机构。进一步，所述掩膜板和所述待蒸镀基板上设置有所述掩膜板的图形区与所述蒸镀区域的校正标记。进一步，所述真空镀膜装置还包括对所述掩膜板和所述蒸镀区域进行对位的对位机构。进一步，所述掩膜板和所述待蒸镀基板上设置有所述掩膜板与所述蒸镀区域进行对位的对位标记。本专利技术使用尺寸小于基板表面一个蒸镀区域的掩模板，通过控制掩膜板和蒸镀区域之间相对移动，分步完成一个蒸镀区域的蒸镀，使透过掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过整个蒸镀区域，形成覆盖该蒸镀区域的薄膜。既可以保证真空蒸镀所使用的掩膜板的小尺寸，同时适用于基板上每个蒸镀区域很大的蒸镀情况，能够满足大尺寸显示器模组的生产要求。【附图说明】图1为现有技术的真空蒸镀装置的`剖面结构示意图；图2为现有技术的基板结构的俯视图；图3为现有技术的掩膜板结构的俯视图；图4为本专利技术实施例的真空镀膜方法的流程示意图；图5为本专利技术实施例的真空蒸镀装置的剖面结构示意图；图6为本专利技术实施例中蒸镀挡板结构的俯视图；图7为本专利技术实施例中基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空镀膜方法，其特征在于，包括：步骤一，将待蒸镀基板的膜面与掩膜板相对设置，其中待蒸镀基板的膜面上包括至少一个蒸镀区域，掩膜板的图形区尺寸小于任一所述蒸镀区域尺寸；步骤二，使所述掩膜板与第一蒸镀区域对位；步骤三，将掩膜板的图形区与蒸发源相对设置，在所述掩膜板和所述蒸发源之间对应设置蒸镀挡板，驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动，使透过掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过整个所述第一蒸镀区域，完成所述第一蒸镀区域的镀膜。

【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜方法，其特征在于，包括: 步骤一，将待蒸镀基板的膜面与掩膜板相对设置，其中待蒸镀基板的膜面上包括至少一个蒸镀区域，掩膜板的图形区尺寸小于任一所述蒸镀区域尺寸； 步骤二，使所述掩膜板与第一蒸镀区域对位； 步骤三，将掩膜板的图形区与蒸发源相对设置，在所述掩膜板和所述蒸发源之间对应设置蒸镀挡板，驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动，使透过掩膜板的图形区的蒸发气体连续扫过整个所述第一蒸镀区域，完成所述第一蒸镀区域的镀膜。2.如权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述待蒸镀基板的膜面上包括多个蒸镀区域，在步骤三之后还包括步骤四，重复上述的步骤二、三完成除所述第一蒸镀区域之外的其他蒸镀区域的镀膜。3.如权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述待蒸镀基板沿平行于所述掩膜板所在平面的第一方向移动。4.如权利要求3所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿第二方向的尺寸等于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸，所述第一方向垂直于所述第二方向。5.如权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述待蒸镀基板沿平行于所述掩膜板所在平面的第一方向和第二方向移动，所述第一方向垂直于所述第二方向。6.如权利要求5所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿所述第二方向的尺寸也小于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸。7.如权利要求1所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤三中驱动所述待蒸镀基板与所述掩膜板之间相对移动具体为:驱动所述蒸发源和所述掩膜板沿平行于所述基板所在平面的第一方向移动。8.如权利要求7所述的真空镀膜方法，其特征在于，所述掩膜板的图形区沿所述第一方向的尺寸小于所述第一蒸镀区域沿所述第一方向的尺寸，所述掩膜板的图形区沿第二方向的尺寸等于所述第一蒸镀区域沿所述第二方向的尺寸，所述第一方向垂...

【专利技术属性】
技术研发人员：沐俊应，马大伟，王玉，李元虎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司， 合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11