晶圆中的划线制造技术

晶圆中的划线。一种晶圆包括布置成行和列的多个芯片。多条第一划线位于多个芯片的行之间。多条第一划线中的每一条划线都包括其中具有金属部件的含金属部件划线和平行于含金属部件划线且邻接含金属部件划线的不含金属部件划线。多条第二划线位于多个芯片的列之间。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】晶圆中的划线。一种晶圆包括布置成行和列的多个芯片。多条第一划线位于多个芯片的行之间。多条第一划线中的每一条划线都包括其中具有金属部件的含金属部件划线和平行于含金属部件划线且邻接含金属部件划线的不含金属部件划线。多条第二划线位于多个芯片的列之间。【专利说明】晶圆中的划线
本专利技术涉及晶圆，更具体而言，涉及晶圆中的划线。
技术介绍
集成电路(IC)制造商开始使用日益更小的尺寸和相应的技术来制造更小的高速半导体器件。随着这些进展，也增大了维持收率和生产量的挑战。半导体晶圆通常包括通过切线彼此分离开的管芯(在从晶圆切割之前也被称为芯片)。晶圆内的个体芯片包含电路，并且通过切割将管芯彼此分离开。在半导体制造工艺的过程中，在一些形成步骤之后，必须不断地对晶圆上的半导体器件(例如，集成电路)进行测试以维持并保证器件质量。通常，在晶圆上同时制造测试电路和实际器件。典型的测试电路包括多个测试焊盘(通常被称为测试线)，其在测试期间通过探测针电连接至外部端子。测试焊盘可以位于划线中。选择测试焊盘来测试晶圆的不同特性，诸如阈值电压、饱和电流和漏电流。除了测试焊盘之外，还在划线中形成其他结构，诸如框架单元、伪金属图案等。在通过测试焊盘测试晶圆之后，将晶圆切割分成管芯，通常通过使用切割片(blade)实施切割步骤。因为测试焊盘由金属形成，测试焊盘对切割片具有高阻力。另一方面，也位于划线中的多种其他材料包括例如低k介电层。低k介电层是多孔的且机械性弱，并且对切割片具有极低的阻力。因为被切割的不同材料之间的机械强度存在差异，可能发生层压或碎裂。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一方面，提供了一种晶圆，包括:多个芯片，布置成行和列；多条第一划线，位于所述多个芯片的行之间，其中，所述多条第一划线中的每一条划线都包括:含金属部件划线，在其中包含金属部件；和不含金属部件划线，平行于所述含金属部件划线且邻接所述含金属部件划线；以及多条第二划线，位于所述多个芯片的列之间。在所述的晶圆中，所述多条第二划线中的每一条划线都包括:另一含金属部件划线，在其中包含金属部件；以及另一不含金属部件划线，平行于所述另一含金属部件划线且邻接所述另一含金属部件划线。在所述的晶圆中，在所述多条第二划线中的每一条划线中基本不包含金属部件。所述的晶圆还包括:半导体衬底，延伸到所述多个芯片的每一个芯片中；以及多个图像传感器，位于所述半导体衬底以及所述多个芯片的每一个芯片中。在所述的晶圆中，所述含金属部件划线中的金属部件选自基本上由测试焊盘、金属线、通孔和它们的组合所组成的组。在所述的晶圆中，所述含金属部件划线邻接第一密封环，而所述不含金属部件划线邻接第二密封环，并且所述第一密封环和所述第二密封环分别位于所述多个芯片的第一芯片和第二芯片中。在所述的晶圆中，所述含金属部件划线包括多个介电层的一部分，并且所述不含金属部件划线包括延伸至所述多个介电层中的沟槽。在所述的晶圆中，所述不含金属部件划线的宽度大于约5μπι。根据本专利技术的另一方面，提供了一种器件，包括:管芯，包含第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘；密封环，位于所述管芯中并且包含第一边、第二边、第三边和第四边，其中，所述第一边、所述第二边、所述第三边和所述第四边分别平行且邻近于所述第一边缘、所述第二边缘、所述第三边缘和所述第四边缘；第一管芯边缘区域，位于所述第一边和所述第一边缘之间，在所述第一管芯边缘区域中不形成金属部件；第二管芯边缘区域，位于所述第二边和所述第二边缘之间，在所述第二管芯边缘区域中形成金属部件，并且所述管芯的第二边缘没有暴露出所述第二管芯边缘区域中的金属部件。所述的器件还包括:第三管芯边缘区域，位于所述第三边和所述第三边缘之间，在所述第三管芯边缘区域中不形成金属部件，并且所述第三管芯边缘区域和所述第一管芯边缘区域互连来形成第一 L形区域；以及第四管芯边缘区域，位于所述第四边和所述第四边缘之间，在所述第四管芯边缘区域中形成另一些金属部件，所述管芯的第四边缘没有暴露出所述第四管芯边缘区域中的金属部件，并且所述第四管芯边缘区域和所述第二管芯边缘区域互连来形成第二 L形区域。在所述的器件中，所述管芯还包括:半导体衬底，包括位于所述密封环中的第一部分和位于所述密封环外的第二部分；以及多个图像传感器，位于所述半导体衬底中。上述的器件还包括:位于所述第二管芯边缘区域中并且平行于所述第二边缘的第五边缘，所述第五边缘是所述半导体衬底的边缘，并且所述第二边缘是位于所述管芯中的载具的边缘。在所述的器件中，所述管芯还包括:半导体衬底，包括位于所述密封环中的第一部分和位于所述密封环外的第二部分；以及多个图像传感器，位于所述半导体衬底中，其中，所述第二边缘比所述第五边缘离所述密封环的第二边更远。在所述的器件中，所述金属部件选自基本上由测试焊盘、金属线、通孔和它们的组合所组成的组。在所述的器件中，所述第二边和所述第二边缘之间的距离大于约20μπι。根据本专利技术的又一方面，提供了一种方法，包括:沿着第一不含金属部件划线切割晶圆，其中，所述晶圆还包括第一含金属部件划线，所述第一含金属部件划线位于所述第一不含金属部件划线和所述晶圆中的一行芯片之间并且邻接所述第一不含金属部件划线和所述晶圆中的该行芯片；以及沿着垂直于所述第一不含金属部件划线的第二不含金属部件划线切割所述晶圆。所述的方法还包括:在沿着所述第一不含金属部件划线和所述第二不含金属部件划线切割所述晶圆的步骤之前，蚀刻所述晶圆的半导体衬底以形成沟槽，其中，所述沟槽位于所述第一不合金属部件划线和所述第二不含金属部件划线中。在上述方法中，所述晶圆包括载具，在所述蚀刻步骤之后，所述载具保持未被蚀亥IJ，并且在沿着所述第一不含金属部件划线和所述第二不含金属部件划线切割所述晶圆的步骤期间，不切割所述半导体衬底。在所述的方法中，在所述蚀刻步骤中形成的沟槽形成栅格，并且所述栅格的栅格线将所述晶圆的芯片彼此间隔开。在所述的方法中，所述第二含金属部件划线位于所述第二不含金属部件划线和另一行芯片之间并且邻接所述第二不含金属部件划线和所述另一行芯片。【专利附图】【附图说明】为了更全面理解实施例及其优点，现在将结合附图所进行的以下描述作为参考，其中:图1示出根据一些示例性实施例的晶圆的俯视图，其中每个划线都包括含金属图案划线和不含金属图案划线；图2和图3是图1中示出的晶圆的一部分的示例性截面图；图4示出从图1中示出的晶圆切割的管芯的俯视图；以及图5示出根据一些可选的实施例的晶圆，其中在X方向上延伸的每条划线包括含金属图案划线和不含金属图案划线，而在Y方向上延伸的划线不包含金属图案。【具体实施方式】在下面详细论述本专利技术的实施例的制造和使用。然而，应该理解，实施例提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的专利技术构思。所论述的具体实施例是说明性的，而不用于限制本专利技术的范围。根据各示例性实施例提供了划线结构。论述了实施例的变化。在所有的各个附图和示例性实施例中，相似的参考标号用于表示相似的元件。图1示出根据一些示例性实施例的晶圆100的俯视图。晶圆100包括芯片10和邻接划线12。在每个芯片10中，形成密封环14(图2和图3)。在一些实施例中，可以具有一个以上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆，包括：多个芯片，布置成行和列；多条第一划线，位于所述多个芯片的行之间，其中，所述多条第一划线中的每一条划线都包括：含金属部件划线，在其中包含金属部件；和不含金属部件划线，平行于所述含金属部件划线且邻接所述含金属部件划线；以及多条第二划线，位于所述多个芯片的列之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈愉婷，杨敦年，刘人诚，洪丰基，林政贤，蔡双吉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71