锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜、制备方法及其应用技术

一种锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，其化学式为SnO2：xSb5+,yBi5+，其中，0.005≤x≤0.15，0.005≤y≤0.08。该锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜的可见光透过率达95%，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜的制备方法及其应用。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，其化学式为SnO2：xSb5+,yBi5+，其中，0.005≤x≤0.15，0.005≤y≤0.08。该锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜的可见光透过率达95%，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本专利技术还提供该锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜的制备方法及其应用。【专利说明】锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜、制备方法及其应用【
】本专利技术涉及一种锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。【
技术介绍
】薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的薄膜，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，仍未见报道。【
技术实现思路
】基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜、其制备方法该锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜电致发光器件及其制备方法。一种锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，其化学式为SnO2:xSb5+, yBi5+，其中，0.005 ^ X ^ 0.15，0.005 ≤ y ≤ 0.08。在优选实施例中，所述锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜是纳米线结构的锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，所述纳米线直径为30nm~200nm。一种锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜的制备方法，包括以下步骤:根据SnO2:xSb5+, yBi5+各元素的化学计量比将SnO2, Sb2O5和Bi2O5粉体,经过混合后，在 900°C ~1300°C下烧结得到靶材，其中，0.005 ^ X ^ 0.05，0.005 ^ y ^ 0.08 ；将衬底装入脉冲激光沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0XlO-3Pa^l.0XlO^5Pa ；调苄基靶间距为45mnT95mm，衬底的温度为250 V~750 °C，工作气体的流量为10sccnT40sccm，工作压强为3Pa~30Pa，脉冲激光能量为80W~300W，进行脉冲激光沉积得到化学式为SnO2:xSb5+, yBi5+的锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜。在优选的实施例中,所述工作气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气或氮气。在优选的实施例中，基靶间距为60mm，衬底的温度为500°C，工作气体的流量为20SCCm，工作压强为10Pa，脉冲激光能量为150W;一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述阳极层的材料为锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，该锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜的化学式为 SnO2:xSb5+, yBi5+，其中，0.005 ^ x ^ 0.15，0.005 ^ y ^ 0.08。一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:提供透明的玻璃衬底；在所述衬底上形成阳极层，所述阳极层为锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，该锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜的化学式为SnO2:xSb5+, yBi5+,其中，0.005 < X < 0.15，0.005 ≤ y ≤ 0.08;在优选的实施例中，所述阳极层的制备包括以下步骤:根据SnO2:xSb5+, yBi5+各元素的化学计量比将SnO2, Sb2O5和Bi2O5粉体，经过混合后，在 900°C ~1300°C下烧结得到靶材，其中，0.005 ^ X ^ 0.15，0.005 ^ y ^ 0.08 ；将衬底装入脉冲激光沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0XlO-3Pa^l.0XlO^5Pa ；调苄基靶间距为45mnT95mm，衬底的温度为250 V~750 °C，工作气体的流量为10sccnT40sccm，工作压强为3Pa~30Pa，脉冲激光能量为80W~300W，进行脉冲激光沉积得到化学式为SnO2:xSb5+, yBi5+的铋共掺杂氧化锡导电薄膜。在所述阳极层上形成发光层，在所述发光层上形成阴极。上述锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜(SnO2:xSb5+, yBi5+)的透过率测试曲线中，在可见光470nnT790nm波长范围平均透过率达95%，能够应用于薄膜电致发光显示器中。 【【专利附图】【附图说明】】图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图；图2为实施例1制备的锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜的透过率测试曲线；图3为实施例1制备的锑铋共掺杂氧化锡纳米线透明导电薄膜的电镜扫描图。图4为实施例1制备的薄膜电致发光器件与对比例比较的亮度与电压关系图。【【具体实施方式】】下面结合附图和具体实施例对锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜、其制备方法和薄膜电致发光器件及其制备方法作进一步阐明。一实施方式的锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，其化学式为SnO2:XSb5+，yBi5+，其中，0.005 ^ X ^ 0.15，0.005 ≤y ≤0.08。优选的，锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜是纳米线结构的锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，纳米线直径为30nm~200nm。上述锑铋共掺杂氧化锡纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤:步骤SI 1、根据SnO2:xSb5+, yBi5+各元素的化学计量比将SnO2, Sb2O5和Bi2O5粉体，经过混合后，在900 V~1300 °C下烧结得到靶材，其中，0.005 ^ X ^ 0.15，0.005 ≤y ≤0.08 ；将衬底装入脉冲激光沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0X10_3Pa~1.0X10_5Pa。在本实施方式中，衬底为透明的玻璃；衬底先后用甲苯、丙酮和乙醇超声清洗5分钟，然后用蒸馏水冲洗干净，氮气风干后送入反应室；优选的，在1250°C下烧结得到靶材；反应室的真空度为5.0X 10_4Pa。步骤S13、调苄基靶间距为45mnT95mm，衬底的温度为250°C ^750°C，工作气体的流量为10sccnT40sccm，工作压强为3Pa~30Pa，脉冲激光能量为80W~300W，进行脉冲激光沉积得到化学式为SnO2:xSb5+, yBi5+的锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜；在优选的实施例中,工作气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气或氮气。在优选的实施例中，基靶间距为60mm，衬底的温度为500°C，工作气体的流量为20sCCm，工作压强为lOPa，脉冲激光能量为150W。该方法是采用激光烧蚀靶材，靶材中的氧化锡，氧化锑和氧化铋等材料被烧蚀成原子或离子团的粒子，粒子在基底上沉积的过程中，通过通入大量的惰性气体，使粒子钝化，在基板上分散成核，然后在各个成核点垂直生长，形成柱状的纳米线。请参阅图1，一实施方式的薄膜电致发光器件100，该薄膜电致发光器件100包括依次层叠的衬底1、阳极2、发光层3以及阴极4。衬底I为透明的玻璃衬底。阳极2的材料为锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，该锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜的化学式为SnO2:xSb5+, yBi5+,其中，0.005 < X < 0.15，0.005 ^ y ^ 0.08。发光层3为有机发光层，如Alq3,阴极4的材质为银(Ag)。上述薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:步骤S21、在衬底I上形成阳层2。本实施方式中，衬底I为玻璃衬底,先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗并用氮气吹干本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锑铋共掺杂氧化锡导电薄膜，其特征在于，其化学式为SnO2：xSb5+,yBi5+，其中，0.005≤x≤0.15，0.005≤y≤0.08。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，冯小明，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：