一种增强消光比的装置和光发射机、光接收机、光模块制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种增强消光比的装置和光发射机、光接收机、光模块，涉及通信领域，可以增强消光比。所述装置包括：由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件，用于让光信号通过。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种增强消光比的装置和光发射机、光接收机、光模块
本专利技术涉及通信领域，尤其涉及一种增强消光比的装置和光发射机、光接收机、光模块。
技术介绍
随着用户对带宽需求的不断增长，带宽容量巨大的光纤通信技术日益成熟，光纤接入网成为下一代宽带接入网的有力竞争者，其中尤其以无源光网络(PON，PassiveOptical Network)系统更具竞争力。随着接入带宽的需求越来越高，将导致PON系统中的光模块收发速率也不断提高。然而，对于高调制速率的PON系统，即使在20km的传输距离内也将引起明显的色散代价，由此导致系统接收灵敏度严重下降，传输信号质量劣化严重。现阶段的IOG PON光发射机大多采用电吸收调制器(EML, Electro-absorptionModulated Laser)发射系统。对于10G及以上调制速率的光接入模块，EML显然能很好的解决色散弓I起的信号畸变问题，但是EML成本高昂，且引入了较大的插入损耗(6?8dB)，同时也导致模块功耗居高不下。为了降低成本，希望使用结构简单、易于实现且成本低廉的直接调制激光器DML(Direct Modulated Laser), DML通过改变注入电流来调制半导体激光器的输出，但调制电流会引起有源层折射率的变化，导致光的相位受到调制，存在较大的频率啁啾现象，导致DML只能在较低消光比的情况下才能使用，但这将导致DML的灵敏度下降，并且消光比不在协议限定的消光比范围内。终上所述，如何得到消光比在协议限定的消光比范围内的光发射机，是目前10GPON以及更高速率PON系统所面临的急待解决的工程难题。【专利
技术实现思路
】本专利技术提供了 一种增强消光比的装置和光发射机、光接收机、光模块，所述光模块包括光发射机、光接收机，所述一种增强消光比的装置用于光模块中的发射机和/或光模块中的接收机，能够使光信号通过本专利技术的装置后，其消光比得到增强。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:第一方面，提供了一种增强消光比的装置，应用于光模块中，所述装置包括:由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件，用于让光信号通过。在第一种可能实现的方式中，结合第一方面，所述装置还包括:能量密度控制器，用于使得所述光信号在通过所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件之前调节光信号的能量密度，在通过所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件之后反向调节光信号的能量密度。在第二种可能实现的方式中，结合第一种可能实现的方式，所述能量密度控制器包括:两个会聚透镜，所述两个会聚透镜分别设置在所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件两端；或者，所述能量密度控制器包括:第一波导，所述第一波导包括:包层、直线型导波层，所述直线型导波层的波导两端为向中间呈会聚状或向中间呈发散状，所述具有可饱和吸收效应的材料构成的器件位于所述直线型导波层的横截面处；或者，所述能量密度控制器包括:第二波导，所述第二波导包括:包层、锯齿型导波层，所述锯齿型导波层的波导两端为向中间呈会聚状或向中间呈发散状，所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件至少位于所述锯齿型波导层的齿尖所指向的两侧。在第三种可能实现的方式中，结合第一方面或前两种任一可能实现的方式，所述装置还包括:调制深度控制器，用于使得所述光信号经过所述调制深度控制器和具有可饱和吸收效应的材料构成的器件后，调制深度得以提高。在第四种可能实现的方式中，结合第三种可能实现的方式，所述调制深度控制器具有使所述光信号多次通过所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件的结构。在第五种可能实现的方式中，结合第三或第四种可能实现的方式，在所述能量密度控制器包括两个会聚透镜，或者，包括第一波导的情况下，所述调制深度控制器包括:两个FP部分反射部件，所述FP部分反射部件分别设置在所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件两端。在第六种可能实现的方式中，结合第五种可能实现的方式，在所述能量密度控制器包括两个会聚透镜的情况下，所述FP部分反射部件为FP部分反射膜；所述FP部分反射膜镀在所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件的端面上，或者，镀在所述会聚透镜的外侧端面上。在第七种可能实现的方式中，结合第五种可能实现的方式，在所述能量密度控制器包括第一波导的情况下，所述FP部分反射部件为FP部分反射膜；所述FP部分反射膜镀在所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件的端面上，或者，镀在膜片上并插入导波层中。在第八种可能实现的方式中，结合第四种可能实现的方式，在所述能量密度控制器包括第二波导的情况下，所述调制深度控制器包括:全反射部件；所述全反射部件设置在所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件的外侧。在第九种可能实现的方式中，结合第一方面或前八种任一可能实现的方式，所述装置还包括:消光比提升性能监控装置，用于监测由环境因素或器件性能因素引起的消光比提升性能的变化，并根据所述消光比提升性能的变化调节所述装置。第二方面，提供了一种光发射机，所述光发射机包括:激光器和上述第一方面或九种任一可能的实现方式所述的增强消光比的装置。第三方面，提供了一种光接收机，所述光接收机包括:光电转换装置和上述第一方面或九种任一可能的实现方式所述的增强消光比的装置。第四方面，提供了一种光模块，所述光模块包括:光发射机和光接收机，其中，所述光发射机包括:激光器；所述光接收机包括:光电转换装置；所述光发射机和/或所述光接收机还包括上述第一方面或九种任一可能的实现方式所述的增强消光比的装置。本专利技术提供了 一种增强消光比的装置和光发射机、光接收机、光模块，所述光模块包括光发射机、光接收机，所述一种增强消光比的装置用于光模块中的发射机和或光模块中的接收机，能够使激光器发出的光通过本专利技术的装置后，其消光比得到增强。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为一种具有可饱和吸收效应的材料构成的器件的透射率随Ein/Esat变化曲线.-^4 ，图2为本专利技术实施例提供的一种增强消光比的装置；图3为本专利技术实施例提供的另一种增强消光比的装置；图4为本专利技术实施例提供的另一种增强消光比的装置；图5为本专利技术实施例提供的另一种增强消光比的装置；图6为本专利技术实施例提供的另一种增强消光比的装置；图7为现有技术中IOG bit/s DML直接发出的光信号的功率随时间的变化曲线；图8为DML直接发出的光信号经过本专利技术实施例提供的任一增强消光比的装置后的光信号的功率随时间的变化曲线；图9为本专利技术实施例提供的一种光发射机；图10为本专利技术实施例提供的一种光接收机；图11为本专利技术实施例提供的一种光模块；图12为本专利技术实施例提供的另一种增强消光比的装置。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面结合附图对本专利技术实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增强消光比的装置，其特征在于，应用于光模块中，所述装置包括：由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件，用于让光信号通过。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种增强消光比的装置，其特征在于，应用于光模块中，所述装置包括:由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件，用于让光信号通过。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括:能量密度控制器，用于使得所述光信号在通过所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件之前调节光信号的能量密度，在通过所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件之后反向调节光信号的能量密度。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于， 所述能量密度控制器包括:两个会聚透镜，所述两个会聚透镜分别设置在所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件两端；或者， 所述能量密度控制器包括:第一波导，所述第一波导包括:包层、直线型导波层，所述直线型导波层的波导两端为向中间呈会聚状或向中间呈发散状，所述具有可饱和吸收效应的材料构成的器件位于所述直线型导波层的横截面处；或者， 所述能量密度控制器包括:第二波导，所述第二波导包括:包层、锯齿型导波层，所述锯齿型导波层的波导两端为向中间呈会聚状或向中间呈发散状，所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件至少位于所述锯齿型波导层的齿尖所指向的两侧。4.根据权利要求1-3任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括:调制深度控制器，用于使得所述光信号经过所述调制深度控制器和具有可饱和吸收效应的材料构成的器件后，调制深度得以提高。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述调制深度控制器具有使所述光信号多次通过所述由具有可饱和吸收效应的材料构成的器件的结构。6.根据权利要求4或5所述的装置，其特征在于，在所述能量密度控制器包括两个会聚透镜，或者，包括第一波导的情况下，所述调制深度控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：周敏，王磊，廖振兴，林华枫，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：
国别省市：