【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非共振双光子吸收记录材料、非共振双光子吸收聚合物光学信息记录介质和记录/再现方法
本专利技术涉及非共振双光子吸收记录材料和非共振双光子吸收化合物。更具体而言,本专利技术提供一种具有高耐湿/热性的记录材料,其通过非共振双光子吸收在记录介质内部进行记录凹坑的三维记录,这确保可以读出被记录的记录凹坑,并且非共振双光子吸收记录能够利用短于700nm的波长范围内的记录光进行,并提供一种双光子吸收化合物
技术介绍
通常,非线性光学效应表示与所施加的光电场的平方、立方或更高次方成正比的非线性光学响应。已知的与所施加的光电场的平方成正比的二阶非线性光学效应的例子包括二次谐波产生(SHG)、光整流、光折变效应、泡克尔斯(Pockels)效应、参量放大、参量振荡、和频光混频(lightsumfrequencymixing)、和差频光混频(lightdifferencefrequencymixing)。此外,与所施加的光电场的立方成正比的三阶非线性光学效应的例子包括三次谐波产生(THG)、光克尔(Kerr)效应、自致折射率改变和双光子吸收。关于表现出这些非线性光学效应的非线性光学材料,迄今为止人们已经发现了大量的无机材料。然而,由于用于优化所期望的非线性光学特性或器件生产所需的各种性质的所谓分子设计是困难的,因此无机材料几乎不能在实践中应用。另一方面,有机化合物不仅能通过分子设计实现对所期望的非线性光学特性的优化,还能控制其他各种性质,因此其实际使用的可能性高。因而,有机化合物作为有前景的非线性光学材料正在引起人们的关注。近年来,在有机化合物的非线性光学特性中,三阶非线性光学效 ...
【技术保护点】
一种非共振双光子吸收记录材料,其包含非共振双光子吸收聚合物化合物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.13 JP 2011-108698;2011.07.13 JP 2011-15481.一种非共振双光子吸收记录材料,其包含非共振双光子吸收聚合物化合物,其中所述非共振双光子吸收聚合物化合物是包含由下式(1)表示的结构的化合物:式(1)其中Y代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的取代基;X代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的二价取代基;X和Y可以彼此相同或不同;n代表1至4的整数;R1代表氢原子或取代基;R2代表二价取代基;R3代表取代基;当存在多个R1、R2或R3时,R1、R2或R3可以与其它各R1、R2或R3相同或不同;l代表1或更大的整数;并且m代表0至4的整数。2.根据权利要求1所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述非共振双光子吸收聚合物化合物的主链包含选自聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚醚和聚酰亚胺中的至少一者。3.根据权利要求1所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述非共振双光子吸收聚合物化合物是包含由下式(2)表示的结构的化合物:式(2)其中Y代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的取代基;X代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的二价取代基;X和Y可以彼此相同或不同;n代表1至4的整数;R1代表氢原子或取代基;R2代表二价取代基;R3代表取代基;当存在多个R1、R2或R3时,R1、R2或R3可以与其它各R1、R2或R3相同或不同;l代表1或更大的整数;并且m代表0至4的整数。4.根据权利要求3所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述由式(2)代表的非共振双光子吸收聚合物化合物是包含下式(3)表示的结构的化合物:式(3)其中Y代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的取代基;n代表1至4的整数;R1代表氢原子或取代基;R2代表二价取代基;R3代表取代基;当存在多个R1、R2或R3时,R1、R2或R3可以与其它各R1、R2或R3相同或不同;l代表1或更大的整数;并且m代表0至4的整数。5.根据权利要求3所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述由式(2)代表的非共振双光子吸收聚合物化合物为包含由下式(4)表示的结构的化合物:式(4)其中Y代表Hammettσ-p值(σp值)为0以上的取代基;n代表1至4的整数;R1代表氢原子或取代基;R2代表二价取代基;R3代表取代基;当存在多个R1、R2或R3时,R1、R2或R3可以与其它各R1、R2或R3相同或不同;l代表1或更大的整数;并且m代表0至4的整数。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的非共振双光子吸收记录材料,其中所述非共振双光子吸收记录材料包含以下聚合物化合物,该聚合物化合物包含由式(1)至(4)中至少一者代表的非共振双光子吸收聚合物化合物作为共聚物组分。7.根据权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收记录材料,其中形成记录层的所述非共振双光子吸收记录材料至少包含(a)权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收聚合物化合物、和(b)能够改变双光子记录前后的反射光强度的材料。8.根据权利要求1至3中任意一项所述的非共振双光子吸收记录材料,其中形成记录层的所述非共振双光子吸收记录材料至少包含(a)权利要求1至3中任...
【专利技术属性】
技术研发人员:津山博昭,牧野雅臣,望月英宏,佐佐木俊央,见上龙雄,
申请(专利权)人:富士胶片株式会社,
类型:
国别省市:
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