本发明专利技术提供一种能正确地判定层叠型电子元器件的导体层的层叠方向的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法、层叠方向判定装置、将层叠型电子元器件的导体层的层叠方向朝一定方向对齐的层叠型电子元器件带的制造方法、以及层叠型电子元器件连的制造装置。层叠型电子元器件的层叠方向判定装置(3)包括测定单元(11、12)和判定单元(13)。测定单元(11、12)获取与从用于对导体层和非导体层层叠而成的层叠型电子元器件(200)进行观察的观察面检测到的红外线能量相关的测定值。判定单元(13)设定对应于测定条件的阈值，将该阈值与测定值进行比较，并基于该比较结果来判定层叠型电子元器件(200)的导体层的层叠方向。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠型电子元器件的层叠方向判定方法、层叠型电子元器件的层叠方向判定装置、层叠型电子元器件带的制造方法、以及层叠型电子元器件带的制造装置
本专利技术涉及对层叠在层叠型电子元器件的内部的导体层的层叠方向进行判定的层叠方向判定方法、层叠方向判定装置、将层叠型电子元器件的导体层的层叠方向朝一定方向对齐的层叠型电子元器件带的制造方法、以及层叠型电子元器件带的制造装置。
技术介绍
电子元器件中有的像LED等那样具有极性。在检查时或安装时，对这种电子元器件需要预先使其极性向一定方向对齐。因此，以往公开了电子元器件的对齐装置的专利技术(参照专利文献I)。该对齐装置利用照相机对从容器沿着传送路径进行移动的电子元器件的外观进行拍摄，并基于外观上的特征即极性显示来判定电子元器件的极性的方向。然后，从传送路径排除极性方向不同的电子元器件并使其返回容器，从而使电子元器件的极性向一定方向对齐。 现有技术文献 专利文献专利文献1:日本专利特开2002-332113号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题 如图1(A)所示，层叠型电子元器件即层叠陶瓷电容器没有极性，是使导体层即内部电极205与非导体层即陶瓷电介质201交替层叠的结构。由于层叠陶瓷电容器200是这样的结构，因此，弯曲允许值或焊料收缩引起的应力允许值等因安装在印刷基板上时的安装方向而不同。即，如图1 (B)、图1 (C)所示，若未将层叠陶瓷电容器200的导体层的层叠方向向一定方向对齐并安装到印刷基板230上，则产品的品质会产生偏差。对所有的层叠型电子元器件来说都会发生该问题，因此，为了使产品的品质稳定，在安装元器件之前需要预先判定层叠型电子元器件的导体层的层叠方向。然而，在专利文献I记载的对齐装置中，对于外观上没有显著特征的层叠型电子元器件，无法判定层叠在内部的导体层的层叠方向。例如，在图1(A)所示的长方体形状的层叠陶瓷电容器200的情况下，若其高度t与宽度W之差微小，则从外观上完全无法判定导体层的层叠方向。因此，本专利技术的目的在于提供一种能正确地判定层叠型电子元器件的导体层的层叠方向的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法、层叠方向判定装置、将层叠型电子元器件的导体层的层叠方向朝一定方向对齐的层叠型电子元器件带的制造方法、以及层叠型电子元器件带的制造装置。 解决技术问题所采用的技术方案(I)本专利技术的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法包括测定工序和判定工序。在测定工序中，在预先设定的测定条件下获取与从包含用于对导体层和非导体层层叠而成的层叠型电子元器件进行观察的观察面在内的区域检测到的红外线能量相关的测定值。在判定工序中，设定对应于测定条件的阈值，将该阈值与测定值进行比较，并基于该比较结果来判定层叠型电子元器件的导体层的层叠方向。层叠型电子元器件具有以下特性:从其外表面检测到的红外线能量因有无加热、加热方向、加热温度等测定条件、以及导体层的层叠方向而异。例如，在未对层叠型电子元器件加热时，与其观察面与导体层垂直的情况相比，其观察面与导体层平行的情况下的与所检测到的红外线能量相关的测定值较大。此外，在以例如50°C对层叠型电子元器件的下表面进行加热、并将上表面作为观察面时，与观察面与导体层垂直的情况相比，观察面与导体层平行的情况下的与所检测到的红外线能量相关的测定值较小。通过利用这样的特性能正确地判定层叠型电子元器件的导体层的层叠方向。(2)在(I)中，与从包含观察面在内的区域检测到的红外线能量相关的测定值是从观察面的第一区域、以及不同于第一区域的第二区域分别检测的检测值的差分。在层叠型电子元器件中，如上所述，与导体层平行的面和与导体层垂直的面的与所检测到的红外线能量相关的测定值因测定条件而异。由于层叠型电子元器件具有这样的特性，因此，求出从观察面的第一区域、以及不同于第一区域的第二区域分别检测的检测值的差分，并将该差分与预先设定的阈值进行比较，能正确地判定层叠型电子元器件的导体层的层叠方向。(3)在(2)中，第一区域是呈长方体形状的层叠型电子元器件的夹着长边方向的边的相邻两个面中的一个面。第二区域是呈长方体形状的层叠型电子元器件的夹着长边方向的边的相邻两个面中的另一个面。在该结构中，呈长方体形状的层叠型电子元器件的夹着长边方向的边的相邻两个面是与导体层平行的面和与导体层垂直的面。对于该两个面，由于导体层的层叠方向不同，因此，与从各个面检测到的红外线能量相关的测定值根据测定条件而不同。因此，通过计算出各个面的检测值的差分，并与根据测定值设定的阈值进行比较，能正确地判定层叠型电子元器件的导体层的层叠方向。(4)在(2)中，第一区域是除层叠型电子元器件的外部电极之外的区域。第二区域是层叠型电子元器件以外的区域。在层叠型电子元器件或传送块存在温度变化的情况下，若仍旧使用初始设定的阈值，则有时会无法正确地进行判定。在这样的情况下，处于层叠型电子元器件周围的、层叠型电子元器件以外的构件也与层叠型电子元器件相同地发生温度的变化，因此，利用这一现象进行测定。即，求出与除层叠型电子元器件的外部电极之外的区域中的红外线能量相关的测定值和与在层叠型电子元器件以外的区域中获取到的红外线能量相关的测定值的差分。例如，在量产工序中，将利用照相机同时拍摄的旋转圆板设定为第二区域，将其红外线能量作为基准值，能将层叠型电子元器件的第一区域中的红外线能量作为相对值来求出。由此，能消除层叠型电子元器件或传送块的温度变化的影响，因此，能正确地判定层叠型电子元器件的导体层的层叠方向。(5)在(2)中，第一区域是红外线能量因层叠型电子元器件的姿态而发生变化的区域。第二区域是红外线能量与层叠型电子元器件的姿态无关而不发生变化的、层叠型电子元器件上的区域。在该结构中，将与在第二区域中获取到的红外线能量相关的测定值作为基准值来求出红外线能量的相对值。例如，由于外部电极和侧边缘的区域等的红外线能量与层叠型电子元器件的姿态无关而不发生变化，因此，通过将与在该区域中获取到的红外线能量相关的测定值作为基准值，求出红外线能量的相对值，能消除层叠型电子元器件或传送块的温度变化的影响。因此，能正确地判定层叠型电子元器件的导体层的层叠方向。(6)在(I)至(5)中的任一项中，为了获取与红外线能量相关的测定值而预先设定的测定条件包含有无对层叠型电子元器件加热、加热方向、及加热温度中的至少一个。从包含用于观察层叠型电子元器件的观察面在内的区域检测到的红外线能量相关的测定值能通过根据预先设定的测定条件改变阈值来判定导体层的层叠方向。例如，在不对层叠型电子元器件加热时，与垂直于导体层的面相比，与导体层平行的面的与红外线能量相关的测定值较大。此外，在将层叠型电子元器件的上表面设定为观察面、并以例如50°C对层叠型电子元器件的下表面(底面)进行加热时，与平行于导体层的面相比，与导体层垂直的面的与红外线能量相关的测定值较大。此外，在将层叠型电子元器件的上表面设定为观察面、并对层叠型电子元器件的上表面加热时，与垂直于导体层的面相比，与导体层平行的面的与红外线能量相关的测定值较大。由此，平行于导体层的面和垂直于导体层的面的与红外线能量相关的测定值因预先设定的测定条件而异。因此，通过根据测定条件来改变阈值，能更正确地判定层叠型电子本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种层叠型电子元器件的层叠方向判定方法，其特征在于，包括：测定工序，在该测定工序中，在预先设定的测定条件下获取与从包含用于对导体层和非导体层层叠而成的层叠型电子元器件进行观察的观察面在内的区域检测到的红外线能量相关的测定值；以及判定工序，在该判定工序中，设定对应于所述测定条件的阈值，将该阈值与所述测定值进行比较，并基于该比较结果来判定所述层叠型电子元器件的导体层的层叠方向。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.06 JP 2011-1497351.一种层叠型电子兀器件的层叠方向判定方法，其特征在于，包括: 测定工序，在该测定工序中，在预先设定的测定条件下获取与从包含用于对导体层和非导体层层叠而成的层叠型电子元器件进行观察的观察面在内的区域检测到的红外线能量相关的测定值；以及 判定工序，在该判定工序中，设定对应于所述测定条件的阈值，将该阈值与所述测定值进行比较，并基于该比较结果来判定所述层叠型电子元器件的导体层的层叠方向。2.如权利要求1所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法，其特征在于，所述测定值是从所述观察面的第一区域和不同于所述第一区域的第二区域分别检测的检测值的差分。3.如权利要求2所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法，其特征在于，所述第一区域是呈长方体形状的所述层叠型电子元器件的夹着长边方向的边的相邻两个面中的一个面， 所述第二区域是所述两个面中的另一个面。4.如权利要求2所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法，其特征在于，所述第一区域是除所述层叠型电子元器件的外部电极之外的区域， 所述第二区域是所述层叠型电子元器件以外的区域。5.如权利要求2所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法，其特征在于，所述第一区域是红外线能量因所述层叠型电子元器件的姿态而发生变化的区域， 所述第二区域是红外线能量与所述层叠型电子元器件的姿态无关而不发生变化的、层叠型电子元器件上的区域。6.如权利要求1至5的任一项所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法，其特征在于，所述测定条件包含有无对所述层叠型电子元器件加热、加热方向、及加热温度中的至少一个。7.如权利要求1至6的任一项所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法，其特征在于，在所述测定条件下对形状及特性与被测定对象的层叠型电子元器件相同、导体层的层叠方向为已知的基准层叠型电子元器件进行测定的情况下，基于与从所述基准层叠型电子元器件的观察面检测到的红外线能量相关的测定值来设定所述阈值。8.如权利要求1至7的任一项所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法，其特征在于，所述测定工序中的所述层叠型电子元器件是比常温要高的温度状态。9.如权利要求1至8的任一项所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法，其特征在于，所述测定工序包括: 拍摄步骤，在该拍摄步骤中拍摄所述层叠型电子元器件的观察面的热图像；以及 基于在所述拍摄步骤中所拍摄到的热图像来获取所述测定值的步骤。10.如权利要求1至9的任一项所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定方法，其特征在于，所述测定值为温度。11.一种层叠型电子元器件的层叠方向判定装置，其特征在于，包括: 测定单元，该测定单元在预先设定的测定条件下获取与从包含用于对导体层和非导体层层叠而成的层叠型电子元器件进行观察的观察面在内的区域检测到的红外线能量相关的测定值；以及判定单元，该判定单元设定对应于所述测定条件的阈值，将该阈值与所述测定值进行比较，并基于该比较结果来判定所述层叠型电子元器件的所述导体层的层叠方向。12.如权利要求11所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定装置，其特征在于，所述测定值是从所述观察面的第一区域和不同于所述第一区域的第二区域分别检测的检测值的差分。13.如权利要求12所述的层叠型电子元器件的层叠方向判定装置，其特征在于，所述第一区域是呈长方体...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈村幸辉，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：
国别省市：
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