【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无窗电离装置
本专利技术涉及无窗电离装置。
技术介绍
电磁能可以用于便于经由光化学应用(例如软电离和光裂解)的未知气体的成分的检查。电磁波谱的真空紫外(VUV)区特别有用于这些应用,原因是VUV光子的能量(一般为6-124eV)对应于多数化学物质的电子激发和电离能量。真空紫外(VUV)光一般限定为具有在10-200纳米的范围内的波长的光。多数现有的系统涉及例如使用共振灯、频率倍增激光器或同步加速器远离待曝光的区域生成VUV光,并且典型地通过使VUV光穿过窗口设法将该光输送到感兴趣的区域。然而,在该波长范围内的窗口材料和折射光学器件是稀有的或不存在,因此常常不能引导或集中VUV光。使用的窗口典型地吸收该波长谱内的大部分光,并且折射光学器件在非完美清洁环境中会被污染。另外,激光器和同步加速器会极其昂贵并且会需要大量的电力和空间。所谓的“无窗”光电离装置(“电离装置”)允许光谱的更大部分入射到样本上。然而,在已知无窗电离装置中,等离子体的正离子(“等离子体离子”)和等离子体的电子(“等离子体电子”)可以穿过等离子体的光理想地传输通过的孔径。等离子体离子存在于电离 ...
【技术保护点】
一种电离装置,其包括:配置成生成等离子体的等离子体源,所述等离子体包括光、等离子体离子和等离子体电子,所述等离子体源包括孔径,所述孔径布置成使得所述光的至少一部分穿过所述孔径并且入射在气体样本上;电离区域;以及等离子体偏转装置,所述等离子体偏转装置包括配置成建立电场的多个电极,其中所述电场基本上防止所述等离子体离子进入所述电离区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.28 US 13/170,2821.一种电离装置,其包括: 配置成生成等离子体的等离子体源,所述等离子体包括光、等离子体离子和等离子体电子,所述等离子体源包括孔径,所述孔径布置成使得所述光的至少一部分穿过所述孔径并且入射在气体样本上; 电离区域;以及 等离子体偏转装置,所述等离子体偏转装置包括配置成建立电场的多个电极,其中所述电场基本上防止所述等离子体离子进入所述电离区域。2.根据权利要求1所述的电离装置,其中所述等离子体偏转装置还包括配置成建立磁场的磁体,其中所述磁场基本上防止所述等离子体的电子进入所述电离区域。3.根据权利要求2所述的电离装置,其中所述电场和所述磁场大致正交。4.根据权利要求2所述的电离装置,其中所述电场和所述磁场大致平行。5.根据权利要求2所述的电离装置,其中所述电场和所述磁场大致反平行。6.根据权利要求2所述的电离装置,其中所述电场在轴向方向上定向并且所述磁场在径向方向上定向。7.根据权利要求2所述的电离装置,其中所述电场和所述磁场在径向方向上定向。8.一种质谱仪,其包括质量分析器、检测器和离子源,其中所述离子源包括根据权利要求I所述的电离装置。9.一种将样本气体暴露于激发光的方法,所述方法包括: 生成包括光、等离子体离子和等离子体电子的等离子体; 使来自所述等离子体的所述光的至少一部分穿过孔径到达电离区域; 使气体样本穿过所述电离区域;以及 生成电场以基本上防止所述等离子体离子进入所述电离区域。10.根据权利要求9所述的方法,其还包括生成磁场以基本上防止所述等离子体电子进入所述电离区域。11.根据权...
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