一种电子空穴复合率低的In-Bi2WO6光催化剂及其制备方法技术

技术编号:9757823 阅读:174 留言:0更新日期:2014-03-13 08:27
一种电子空穴复合率低的In-Bi2WO6光催化剂及其制备方法,分别将五水硝酸铋、二水钨酸钠和六水硝酸铟按一定比例溶于水中,搅拌均匀后超声分散得前驱液,用微波水热法以300W的功率在140℃-240℃保温30-120min,得到电子空穴复合率低的In-Bi2WO6光催化剂,其主要成分为正交相的Bi2WO6,且Bi2WO6中含有In3+。本发明专利技术结合了微波和水热法的优点,工艺简单易控,制备周期短,合成的In-Bi2WO6光催化剂具有较低的电子空穴复合率低,光生电子空穴在光催化降解有机污染物的反应中起着至关重要的作用,这种较低的电子空穴复合率直接影响着光催化剂的光催化性能。

【技术实现步骤摘要】
—种电子空穴复合率低的ln-Bi2W06光催化剂及其制备方法
本专利技术属于功能材料领域,涉及一种电子空穴复合率低的In-Bi2W06光催化剂及其制备方法。
技术介绍
近些年来,一些具有可见光响应的新型钨酸盐光催化材料陆续被研究者们发现。钨酸盐等半导体材料,因其特有的结构和物理化学性质,使其具有良好的应用前景,如应用于磁性器件、闪烁材料、缓蚀剂和催化剂等,成为近几年的研究热点。自从钨酸铋(Bi2W06)的可见光催化活性被Akihiko Kudo和Statoshi Hijii等于1999年发现报道后,一种新型的具有可见光响应且可见光催化活性较好的窄带隙光催化材料Bi2W06(禁带宽度仅为2.8eV左右),引起了研究者们广泛的关注。Bi2W06是一种典型的半导体材料,通过光照作用,电子受光激发跃迁并留下相应的空穴,形成电子-空穴对,这些光生电子-空穴对由于氧化还原能力极强,而极易与有机物及高分子聚合物间发生氧化还原反应,并且其具有较窄的禁带宽度而对可见光响应良好。但同时也正因为其禁带宽度相对较窄,使得光生电子-空穴的复合几率增加,降低了光量子的效率,从而影响到Bi2W06的光催化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子空穴复合率低的In?Bi2WO6光催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将Bi(NO3)3·5H2O和Na2WO4·2H2O按照Bi:W=2:1的摩尔比放入容器中,并将In(NO3)3·6H2O加入到容器中,其中In的加入量x=2%?20%,x=nIn/(nBi+nIn)×100%,nBi和nIn分别为Bi和In的摩尔量;步骤2:将水加入到容器中,室温下搅拌均匀,配制成混合溶液,再将混合溶液进行超声振荡,得前驱液,调节前驱液的pH值为1.5?2.0;步骤3:将前驱液移入微波水热反应釜中,再将微波水热反应釜放入微波水热反应仪中,设定功率为300W,在140℃?240℃下保温...

【技术特征摘要】
1.一种电子空穴复合率低的In-Bi2W06光催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将Bi(N03)3.5H20和Na2W04.2H20按照B1: W=2:1的摩尔比放入容器中,并将In (N03) 3.6H20 加入到容器中,其中 In 的加入量 x=2%_20%,x=nIn/ (nBi+nIn) X 100%, nBi 和 nIn分别为Bi和In的摩尔量;步骤2:将水加入到容器中,室温下搅拌均匀,配制成混合溶液,再将混合溶液进行超声振荡,得前驱液,调节前驱液的pH值为1.5-2.0;步骤3:将前驱液移入微波水热反应釜中,再将微波水热反应釜放入微波水热反应仪中,设定功率为300W,在140°C _240°C下保温30_120min后停止反应;步骤4:待反应温度降至室温后,取出微波水热反应釜,分离出其中的沉淀物,再将沉淀物洗涤、超声分散、恒温干燥,得到电子空穴复合率低的In-Bi2W06光催化剂。2.根据权利要求1所述的电子空穴复合率低的In-Bi2W06光催化剂的制备方法,其特征在于:所述步骤2的混合溶液中Bi (N03) 3 * 5H20的浓度为0.lmol/L-0.6mol/L, Na2W04.2H20的浓度为 0.05mol/L-0.3mol/L。3.根据权利要求1或2所述的电子空穴复合率低的In-Bi2W06光催化剂的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员:谈国强黄靖
申请(专利权)人:陕西科技大学
类型:发明
国别省市:

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