本发明专利技术涉及一种LED模块，其具有多个LED芯片（1），该多个LED芯片具有电接口（2）并且通过电连接部（3）串联。存在至少一个短路连接部（4），其将接口或连接部中的两个彼此导电连接，并且跨接LED芯片中的至少一个。通过建立或中断这种短路连接部（4）来调节LED芯片的电和/或光特性、特别是运行电压。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高电压LED多芯片模块以及用于调节LED多芯片模块的方法
本专利技术涉及一种LED多芯片模块，其能够以高电压运行。
技术介绍
其中使用了发光二级管(LED)的发光装置可以包括单个的LED芯片或也可以包括多个共同连接成模块的LED芯片。在US2010/0006868A1中描述了一种LED元器件，其具有用于以不同的预定交流电压运行的LED串联和并联电路。当需要的运行电压相对较高时，为了将电网电压与LED多芯片模块的运行电压匹配，通常使用驱动器电路，其可以特别简单、紧凑、高效以及成本低廉地设计。典型地例如280V的高运行电压能通过LED的串联电路来实现。在此出现的问题是，实际的运行电压由于LED的制造公差而波动。因此寻求这样的可能性，即将LED多芯片模块的运行电压保持在一个预定的狭小的公差范围中。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提出了如何以可靠和成本低廉的方式将LED多芯片模块的特性、特别是其运行电压调节至预定值。该目的利用具有权利要求1的特征的LED多芯片模块来实现，或者是利用具有权利要求7或权利要求8的特征的、用于调节LED多芯片模块的方法来实现。设计方案由从属权利要求中得出。LED多芯片模块具有多个LED芯片，这些LED芯片具有多个电接口并且通过多个电连接部串联。存在至少一个短路连接部，其将这些接口或连接部中的两个彼此导电连接并跨接LED芯片中的至少一个或电阻，使得运行电压处于在150V和350V之间的范围中。在LED多芯片模块的一个实施方式中，运行电压处于在270V和300V之间的范围中。在LED多芯片模块的另一个实施方式中，运行电压处于在250V和290V之间的范围中。在LED多芯片模块的另一个实施方式中，短路连接部通过能断开的接合线实现。在LED多芯片模块的另一个实施方式中，短路连接部通过能结构化的金属层的印制导线实现。在LED多芯片模块的另一个实施方式中，在连接部中的至少一个中和/或在至少一个短路连接部中接入有电阻，并且电阻这样确定大小，即该电阻将运行电压提高了在0.1V和3V范围之间、特别是在IV和3V范围中的值。在一种用于调节LED多芯片模块的方法中，具有多个电接口的LED芯片通过多个电连接部串联，以及在这些接口或这些连接部之间建立至少一个短路连接部。在另一种用于调节LED多芯片模块的方法中，具有多个电接口的LED芯片通过多个电连接部串联。在这些接口和这些连接部之间建立不同的短路连接部。随后中断短路连接部中的至少一个。在该方法的实施方式中，在150V和350V之间的范围中、在其它的实施方式中在270V和300V之间的范围中或在250V和290V之间的范围中调节运行电压。在该方法的其它的实施方式中，调节LED多芯片模块的至少一个光学特性。光学的特性例如可以是在LED多芯片模块运行时发出的射束的亮度、其颜色、其显色性指数(colour rendering index,CRI)或其发射特性。为了能实现这种调节,该LED多芯片模块特别是可以由具有不同的光学特性的LED芯片构造而成。在该方法的其它的实施方式中，设置电阻，该电阻通至少一个短路连接部或通过另一个短路连接部跨接。通过中断跨接电阻的短路连接部，将该电阻连接在这些接口或这些连接部中的两个之间。运行电压通过该电阻提高了在0.1V和3V范围之间的值。在该方法的其它的实施方式中，LED芯片中的一个配有其它电连接部，使得其它的LED芯片的、与该LED芯片的接口中的一个连接的这些接口也与该LED芯片的各另一个接口连接。中断这些其它电连接部中的两个，使得每个接口仅仅分别与另一个接口连接。利用该方法的这个设计方案特别可能的是，使并联的LED串联电路互相匹配:在布置中最后的LED根据选择中断其它的电连接部而连接在这些串联电路中的一个上，使得有关的串联电路由此延长。【附图说明】以下结合附图给出LED多芯片模块以及方法的实例的具体的描述。图1示出LED芯片的布置的简图，LED芯片通过接合线连接并且配有短路连接部。图2示出根据图1的、在断开短路连接部之后的布置。图3示出LED芯片的布置的简图，LED芯片通过印制导线连接并且配有短路连接部。图4示出根据图3的、在断开短路连接部之后的布置。图5示出LED芯片的简图，LED芯片通过印制导线连接并且配有跨接的电阻。图6示出跟据图5的、在断开跨接之后的布置。图7示出LED芯片的布置的简图，LED芯片通过印制导线连接并且配有用于实现不同的电路装置的其它电连接部。图8示出根据图7的、用于电路装置的实例的布置。图9示出根据图7的、用于电路装置的另一个实例的布置。图10以俯视图示出LED多芯片模块的简图。图11示出具有电流调节器的LED驱动器电路。图12示出根据11的具有输入端电容器的LED驱动器电路。【具体实施方式】图1示出LED芯片I的串联电路的简图。LED芯片I可以例如在由蓝宝石构成的基底上制造而成。为了电连接LED，在LED芯片I的顶侧上具有接口 2，其通过电连接部3彼此连接。LED串联电路可以彼此并联，并且分别包括相同数量的、或也包括不同数量的LED。短路连接部4在接口 2中的几个之间建立了电连接，这些接口由此被短路连接，使得相关的LED芯片I在串联电路运行时不起作用。短路连接部4可以如同在图1的实例中那样分别短接相同的LED芯片I的两个接口 2，或对此替代地也在接口 2之间设置不同的LED芯片I。在图1的实施例中，连接部3和短路连接部4分别是接合线5。图2示出根据图1的、在断开接合线5中的一个之后的布置，接合线设计为短路连接部4。相关的LED芯片I以这种方式激活地，也就是说，被包括在串联电路中。通过断开适合选择的短路连接部4，可以将LED芯片I的串联电路的运行电压调节到预期值上。接合线5例如通过机械的工具或通过应用激光器来断开。为了调节LED多芯片模块的运行电压，首先将串联电路的LED芯片I如在图1中所示出的那样通过短路连接部4跨接，从而可以设定实际的运行电压处于预定的运行电压之下。在测量运行电压期间或在测量运行电压之后，中断这么多的短路连接部4，直至至少近似地达到预定的运行电压、或者说处于可接受的公差界限之内。精细调校可以根据需求例如借助可激光调整的电阻来实现。通过中断所选择的短路连接部4，替代或除了运行电压之外，可以将LED多芯片模块的光学特性，例如亮度、颜色、发射特性或类似方面与相应的要求匹配。图3以在配有接口 2的顶侧上的俯视图示出LED芯片I的串联电路的简图。在图3的实施例中，连接部3和短路连接部4分别是印制导线，其例如可以形成在结构化的金属层中。设计为短路连接部4的印制导线6中的一个或多个可以中断，例如借助激光束来分开，以便将一个或多个LED芯片I包括入串联电路中。图4示出根据图3的、在断开印制导线6中的一个之后的布置，该印制导线设计为短路连接部4。相关的LED芯片I以这种方式接通并且被包括入串联电路中。在图3和4的实施例中也可以通过中断所选择的短路连接部4来改变或调整LED多芯片模块的光学特性。图5示出根据图3的、具有附加的电阻7和8的布置的简图。在图5左侧绘出的电阻7并联于在串联电路中依次的两个LED芯片I之间的电连接部3中的一个。另外右边绘出的电阻8并联于短路连接部4中的一个。通过在本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED多芯片模块，?具有多个LED芯片（1），多个所述LED芯片具有多个电的接口（2）并且通过多个电的连接部（3）串联，以及?具有预设的运行电压，其特征在于，?存在至少一个短路连接部（4），所述短路连接部将所述接口（2）或所述连接部（3）中的两个彼此导电连接，以及?所述短路连接部（4）跨接所述LED芯片（1）中的至少一个或电阻（8），从而使得所述运行电压处于在150V和350V之间的范围中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.04 DE 102011078620.11.一种LED多芯片模块， -具有多个LED芯片(1)，多个所述LED芯片具有多个电的接口(2)并且通过多个电的连接部(3)串联，以及 -具有预设的运行电压， 其特征在于， -存在至少一个短路连接部(4 )，所述短路连接部将所述接口( 2 )或所述连接部(3 )中的两个彼此导电连接，以及 -所述短路连接部(4)跨接所述LED芯片(I)中的至少一个或电阻(8)，从而使得所述运行电压处于在150V和350V之间的范围中。2.根据权利要求1所述的LED多芯片模块，其中，所述运行电压处于在270V和300V之间的范围中。3.根据权利要求1所述的LED多芯片模块，其中，所述运行电压处于在250V和290V之间的范围中。4.根据权利要求1至3中任一项所述的LDE多芯片模块，其中，所述短路连接部(4)通过能断开的接合线(5)形成。5.根据权利要求1至3中任一项所述的LDE多芯片模块，其中，所述短路连接部(4)通过能断开的印制导线(6)形成。6.根据权利要求1至5中任一项所述的LDE多芯片模块，其中，在所述连接部(3)中的至少一个中和/或在至少一个 所述短路连接部(4)中接入有电阻(7，8)，并且所述电阻(7，8)的大小确定为使得所述电阻将所述运行电压提高了在0.1V和3V范围之间的值。7.一种用于调节LED多芯片模块的方法，其中 -具有多个电的接口(2)的多个LED芯片(I)通过电的连接部(3)串联，以及 -在所述接口( 2 )或所述连接部(3 )之间建立至少一个短路连接部(4 )。8.一种用于调节...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗克·鲍曼，乌尔里希·比布尔，安德烈亚斯·比贝尔斯多夫，胡贝特·迈瓦尔德，汉斯约里·舍尔，阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔，
申请(专利权)人：欧司朗有限公司，
类型：
国别省市：
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