投射设备制造技术

一种用于使光刻结构信息成像的投射设备(1)，包含：光学元件(2)，其至少部分具有由导电层材料构成的涂层(14)。涂层(14)包含连续区域(100)，该连续区域不具有遮挡投射光的元件。在该情况下，取决于温度变化，层材料和/或光学元件(2)改变光学特性，尤其是折射率或光学路径长度。提供至少一个单元(3)，用于将能量耦合进层材料中，该至少一个单元耦合能量使得层材料将耦合的能量转变为热能。层材料可包含石墨烯、铬和硫化钼(MoS2)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】投射设备相关申请的交叉引用本申请要求于2011年6月20日提交的德国专利申请N0.10 2011 077 784.9的优先权。通过引用，将该专利申请的全文并入本申请。
本专利技术涉及一种投射设备，例如用于使光刻结构成像。
技术介绍
集成电路以及其他微结构化或纳米结构化部件的工业制造通常利用光刻方法实现。在该情况中，多个图案化层施加至适当的基板上，例如半导体晶片。为了图案化该层，该层首先覆盖有对特定波长范围内的辐射敏感的光刻胶。有利的是，使用具有尽可能短的波长的光用于曝光，因为待制造的结果的横向分辨率直接取决于光的波长。目前，特别的是，使用深紫外(DUV:深紫外，VUV:真空紫外)，或远紫外、极紫外光谱范围内的光或辐射。这还称为EUV=极紫外。DUV或VUV系统的惯用光波长通常为248nm、193nm，有时为157nm。为了获得甚至更高的光刻分辨率，使用直到具有几个纳米波长的软X射线辐射(EUV)的辐射。对于具有13.5nm的波长的光，例如可制造用于光刻目的的辐射源和光学单元。因此，涂覆有光刻胶的相应晶片通过曝光设备曝光。在该情况中，借助于投射透镜，在掩模或掩模母版上制造的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于使光刻结构信息成像的投射设备(1)，包含：光学元件(2)，至少部分具有由导电层材料构成的涂层(14)，其中，所述涂层(14)包含连续区域(100)，该连续区域不具有遮挡投射光的元件，并且取决于温度变化，所述层材料和/或所述光学元件(2)改变光学特性，尤其是折射率或光学路径长度；以及至少一个单元(3)，用于将能量耦合进所述层材料中，使得所述层材料将耦合的能量转变为热能，其中，所述层材料从由石墨烯、铬和硫化钼(MoS2)构成的组中选择。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.20 DE 102011077784.9;2011.06.20 US 61/4981.一种用于使光刻结构信息成像的投射设备(I)，包含: 光学元件(2)，至少部分具有由导电层材料构成的涂层(14)，其中，所述涂层(14)包含连续区域(100)，该连续区域不具有遮挡投射光的元件，并且取决于温度变化，所述层材料和/或所述光学元件(2)改变光学特性，尤其是折射率或光学路径长度；以及 至少一个单元(3)，用于将能量耦合进所述层材料中，使得所述层材料将耦合的能量转变为热能，其中，所述层材料从由石墨烯、铬和硫化钥(MoS2)构成的组中选择。2.根据权利要求1所述的投射设备(I)，其中，耦合单元(3)横向地布置在所述连续区域(100)外部。3.根据权利要求1或2所述的投射设备(I)，其中，所述光学元件(2)布置在场附近。4.根据权利要求1或2所述的投射设备(1)，其中，所述光学元件(2)布置在光瞳附近。5.根据权利要求1至4中任一项所述的投射设备(I)，其中，所述层材料均匀地布置在所述光学元件(13)的表面(113)上的连续区域(100)中。6.根据权利要求1至5中任一项所述的投射设备(I)，其中，所述层材料基本上具有线性电阻。7.根据权利要求1至6中任一项所述的投射设备(1)，其中，所述层材料还包含石墨烯、铬和/或硫化钥(MoS2)。8.根据权利要求1至7中任一项所述的投射设备(I)，其中，所述层材料仅包含单层和/或多层石墨烯。9.根据权利要求7或8所述的投射设备(1)，其中，所述层材料包含掺杂的传导石墨烯。10.根据权利要求7至9中任一项所述的投射设备(I)，其中，所述石墨烯通过化学气相沉积制造。11.根据权利要求7至10中任一项所述的投射设备(I)，其中，所述涂层具有凹槽(46)，该凹槽的宽度小于所用投射光的波长。12.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：R弗赖曼，B比特纳，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：
国别省市：