切割方法技术

本发明专利技术提供能够在加工对象物的表面上不发生熔融或者偏离切割预定线的分割而切割加工对象物的激光加工方法以及激光加工装置，其中，在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物(1)的内部对准焦点(P)，在加工对象物(1)的表面(3)的切割预定线(5)上照射脉冲激光(L)，通过使聚光点(P)沿着切割预定线(5)移动，沿着切割预定线(5)在加工对象物(1)的内部形成改质区，通过从改质区开始，沿着切割预定线(5)分割加工对象物(1)，能够用比较小的力切割加工对象物(1)，由于在激光(L)的照射过程中，在加工对象物(1)的表面(3)上几乎不吸收脉冲激光(L)，因此即使形成改质区也不会熔融表面(3)。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
(本申请是申请日为2001年9月13日、申请号为200910171080.6、专利技术名称为“激光加工方法以及激光加工装置”的专利申请的分案申请。)
本专利技术涉及在半导体材料基板，压电材料基板或者玻璃基板等加工对象物的切割中使用的激光加工方法以及激光加工装置。
技术介绍
激光的应用之一是切割，由激光进行的一般的切割如下。例如，在半导体晶片或者玻璃基板这样的加工对象物的切割位置，照射加工对象物吸收的波长的激光，通过激光的吸收在切割的位置从切割对象物的表面向背面进行加热熔融，切割加工对象物。但是，在该方法中，在加工对象物的表面中成为切割位置的区域周围也被熔融。由此，在加工对象物是半导体晶片的情况下，在形成于半导体晶片的表面的半导体元件中，有可能熔融位于上述区域附近的半导体元件。作为防止加工对象物的表面熔融的方法，例如有在特开2000— 219528号公报或者特开2000—15467号公报中公开的由激光进行的。在这些公报的中，通过激光加热加工对象物的切割位置，然后通过冷却加工对象物，使在加工对象物的切割位置中产生热冲击，切割加工对象物。但是，在这些公报的中，如果在加工对象物中产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割方法，特征在于：在切割对象材料的内部对准聚光点照射激光，沿着所述切割对象材料的切割图形移动激光的聚光点，在所述切割对象材料的表面以及背面不发生损伤的情况下，仅在所述切割对象材料的内部沿着所述切割图形形成改质部分，使裂纹从所述改质部分向所述切割对象材料的表面以及背面生长，从而沿着所述切割图形切割所述切割对象材料。

【技术特征摘要】
2000.09.13 JP 2000-2783061.一种切割方法,特征在于: 在切割对象材料的内部对准聚光点照射激光，沿着所述切割对象材料的切割图形移动激光的聚光点，在所述切割对象材料的表面以及背面不发生损伤的情况下，仅在所述切割对象材料的内部沿着所述切割图形形成改质部分，使裂纹从所述改质部分向所述切割对象材料的表面以及背面生长，从而沿着所述切割图形切割所述切割对象材料。2.如权利要求1所述的切割方法，特征在于: 所述切割对象材料是半导体晶片或压电元件晶片。3.如权利要求1或2所述的切割方法，特征在于: 具备沿着切割图形切割为各个芯片的工序。4.如权利要求3所述的切割方法，特征在于: 所述切割图形是网格形状。5.如权利要求2所述的切割方法，特征在于: 在所述半导体晶片或压电元件晶片的表面包括将被切割分离的多个器件芯片，各个芯片分别具备电路部分， 沿着在相邻的电路部分之间形成的切割图形，仅在晶片的内部形成所述改质部分。6.如权利要求1~4中的任意一项所述的切割方法，特征在于: 具备:通过向所述切割对象材料施加物理外力，使裂纹从仅在切割对象材料的内部形成的所述改质部分向表面以及背面生长，从而切割所述切割对象材料的工序。7.如权利要求5所述的切割方法，特征在于: 在沿着所述切割图形形成所述改质部分之后， 具备:通过向所述切割对象材料施加物理外力，使裂纹从仅在切割对象材料的内部形成的所述改质部分向表面以及背面生长，从而切割为多个所述器件芯片的工序。8.如权利要求6所述的切割方法，特征在于: 切割所述切割对象材料的工序中，经由保持所述切割对象材料的晶片板向所述切割对象材料施加应力。9.如权利要求7所述的切割方法，特征在于: 切割为所述器件芯片的工序中，经由保持所述半导体晶片或压电元件晶片的晶片板向所述切割对象材料施加应力。10.如权利要求1~9中的任意一项所述的切割方法，特征在于: 在照射激光时，所述半导体晶片或压电元件晶片被晶片板保持着。11.一种切割方法,特征在于: 在切割对象材料的内部对准聚光点照射激光，沿着所述切割对象材料的切割图形移动激光的聚光点，在所述切割对象材料的表面以及背面不发生损伤的情况下，仅在所述切割对象材料的内部沿着所述切割图形形成裂纹区，使裂纹区向所述切割对象材料的表面以及背面生长，从而沿着所述切割图形切割所述切割对象材料。12.如权利要求11所述的切割方法，特征在于: 所述切割对象材料是半导体晶片或压电元件晶片。13....

【专利技术属性】
技术研发人员：福世文嗣，福满宪志，内山直己，和久田敏光，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：