【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种用于制造多个光电子半导体芯片（100）的方法，所述方法包括至少下述方法步骤：?提供至少一个半导体本体（1），所述半导体本体具有表面（11）以及至少一个适合于产生辐射的有源区（12）；?借助于至少一个结构化工艺（3）经由所述半导体本体（1）的所述表面（11）将至少一条沟道（2）引入到所述半导体本体（1）中，其中?在所述沟道（2）的区域中去除所述半导体本体（1）的一部分，以及?使所述沟道（2）在竖直的方向（V）上贯通所述有源区（12）；?将至少一个清洁工艺（4）至少应用到所述半导体本体（1）在所述沟道（2）的区域中的空出的部位上，其中?所述清洁工艺（4）包括至少一个等离子清...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：马丁·罗伊费尔，马库斯·毛特，托尼·阿尔布雷希特，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：
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