有机发光二极管显示器制造技术

一种有机发光二极管显示器包括：基板，该基板上的用于传输扫描信号的扫描线，与该扫描线交叉且用于传输数据信号的数据线，与该扫描线交叉且用于传输驱动电压的驱动电压线，联接至该扫描线和该数据线的开关薄膜晶体管，联接至该开关薄膜晶体管的开关漏电极的驱动薄膜晶体管，以及联接至该驱动薄膜晶体管的驱动漏电极的有机发光二极管（OLED），其中该驱动薄膜晶体管的驱动半导体层被弯曲且位于与该基板基本平行的平面内。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器
所描述的技术总地涉及有机发光二极管显示器。
技术介绍
有机发光二极管显示器包括两个电极和夹在这两个电极之间的有机发光层，从一个电极注入的电子和从另一电极注入的空穴在有机发光层内彼此结合，从而形成激子，并且当激子放出能量时发出光。有机发光二极管显示器包括多个像素，每个像素包括属于自发光元件的有机发光二极管以及用于驱动该有机发光二极管的多个薄膜晶体管和电容器。多个薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管。在开关薄膜晶体管中，在栅电极和半导体层之间形成薄的栅绝缘层，以能够进行快速切换操作。由于减少了与开关薄膜晶体管形成在同一层上的驱动薄膜晶体管的栅绝缘层的厚度，所以向驱动薄膜晶体管的栅电极施加的栅电压的驱动范围变窄。因此，可能难以控制驱动薄膜晶体管的栅电压Vgs的幅度来保证大量灰度。在该背景部分中公开的上述信息仅用于加深理解所描述的技术背景，因此可以包含不构成在本国为本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
所描述的技术提供一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器扩展驱动薄膜晶体管的驱动范围来显示相对大量的灰度(gray level)。本专利技术的示例性实施例提供一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括:基板，所述基板上用于传输扫描信号的扫描线，与所述扫描线交叉且用于传输数据信号的数据线，与所述扫描线交叉且用于传输驱动电压的驱动电压线，联接至所述扫描线和所述数据线的开关薄膜晶体管，联接至所述开关薄膜晶体管的开关漏电极的驱动薄膜晶体管，以及联接至所述驱动薄膜晶体管的驱动漏电极的有机发光二极管(0LED)，其中所述驱动薄膜晶体管的驱动半导体层被弯曲且位于与所述基板基本平行的平面内。所述有机发光二极管显示器可以进一步包括:覆盖所述驱动半导体层的第一栅绝缘层，以及位于所述第一栅绝缘层且与所述驱动半导体层重叠的存储电容器。所述存储电容器可以包括:位于所述第一栅绝缘层且与所述驱动半导体层重叠的第一存储电容器板，覆盖所述第一存储电容器板的第二栅绝缘层，以及位于所述第二栅绝缘层且与所述第一存储电容器板重叠的第二存储电容器板。所述驱动半导体层可以包括多个弯曲部。所述驱动半导体层可以包括:沿第一方向延伸的多个第一延展部，以及沿不同于所述第一方向的第二方向延伸的多个第二延展部，并且其中所述弯曲部联接所述第一延展部和所述第二延展部中的各第一延展部和各第二延展部。所述有机发光二极管显示器可以进一步包括:联接至所述驱动薄膜晶体管且用于补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压的补偿薄膜晶体管。所述驱动半导体层可以进一步包括从所述弯曲部起分叉的分叉部。所述存储电容器可以与所述分叉部重叠。所述有机发光二极管显示器可以进一步包括:用于传输发光控制信号的发光控制线，以及发光控制薄膜晶体管，所述发光控制薄膜晶体管被配置为通过所述发光控制信号导通来将来自所述驱动薄膜晶体管的所述驱动电压传输至所述0LED，其中所述发光控制薄膜晶体管位于所述驱动漏电极和所述OLED之间。所述有机发光二级管显示器可以进一步包括晶体管连接部，所述晶体管连接部用于将所述补偿薄膜晶体管的补偿源电极联接至所述发光控制薄膜晶体管的发光控制源电极，其中所述存储电容器延伸至与所述晶体管连接部重叠。所述驱动半导体层可以延伸至与所述晶体管连接部重叠。所述有机发光二极管显示器可以进一步包括位于所述第二栅绝缘层上的夹层绝缘层，其中所述晶体管连接部位于与所述数据线相同的层且通过所述夹层绝缘层中的接触孔联接至所述补偿源电极和所述发光控制源电极。所述驱动半导体层可以包括:联接至所述补偿薄膜晶体管的第一路径半导体层，以及联接至所述发光控制薄膜晶体管的第二路径半导体层，并且所述第一路径半导体层的长度可以小于所述第二路径半导体层的长度。所述存储电容器可以与所述第一路径半导体层和所述第二路径半导体层重叠。所述有机发光二极管显示器可以进一步包括:覆盖所述第二存储电容器板的夹层绝缘层，位于所述夹层绝缘层且通过所述第二栅绝缘层和所述夹层绝缘层中的第一接触孔联接至所述第一存储电容器板的连接构件，以及覆盖所述夹层绝缘层和所述连接构件的保护层，其中所述连接构件联接至所述补偿薄膜晶体管的补偿漏电极。所述扫描线位于与所述第一存储电容器板相同的层，并且所述数据线和所述驱动电压线可以位于与所述连接构件相同的层。所述驱动电压线可以通过所述夹层绝缘层中的第二接触孔联接至所述第二存储电容器板。所述有机发光二极管显示器可以进一步包括操作控制薄膜晶体管，所述操作控制薄膜晶体管被配置为通过由所述发光控制线传输的所述发光控制信号导通，以将所述驱动电压传输至所述驱动薄膜晶体管，其中所述操作控制薄膜晶体管位于所述驱动电压线和所述驱动薄膜晶体管的驱动源电极之间。所述有机发光二极管显不器可以进一步包括:用于传输前一扫描信号的前一扫描线，用于将初始化电压传输至所述驱动薄膜晶体管的初始化电压线，以及初始化薄膜晶体管，所述初始化薄膜晶体管被配置为根据所述前一扫描信号导通来将所述初始化电压传输至所述驱动薄膜晶体管的驱动栅电极，其中所述初始化薄膜晶体管位于所述驱动栅电极和所述初始化电压线之间。所述有机发光二极管显示器可以进一步包括:用于传输旁通控制信号的旁通控制线，以及旁通薄膜晶体管，所述旁通薄膜晶体管用于根据所述旁通控制信号传输由所述驱动薄膜晶体管传输的驱动电流的一部分，其中所述旁通薄膜晶体管位于所述初始化电压线和所述发光控制薄膜晶体管的发光控制漏电极之间。本专利技术的另一示例性实施例提供一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括:基板，所述基板上用于传输扫描信号的扫描线，所述基板上用于传输初始化电压的初始化电压线，与所述扫描线交叉用于传输数据信号的数据线，与所述扫描线交叉用于传输驱动电压的驱动电压线，联接至所述扫描线和所述数据线的开关薄膜晶体管，联接至所述开关薄膜晶体管的开关漏电极的驱动薄膜晶体管，联接至所述驱动薄膜晶体管的驱动漏电极的有机发光二极管(0LED)，位于所述驱动漏电极和所述OLED之间的发光控制薄膜晶体管，以及位于所述初始化电压线和所述发光控制薄膜晶体管的发光控制漏电极之间的旁通薄膜晶体管，其中所述旁通薄膜晶体管根据由旁通控制线传输的旁通控制信号传输由所述驱动薄膜晶体管传输的驱动电流的一部分。所述驱动薄膜晶体管的驱动半导体层被弯曲且位于与所述基板基本平行的平面内。所述有机发光二极管显示器可以进一步包括:覆盖所述驱动半导体层的第一栅绝缘层，以及位于所述第一栅绝缘层且与所述驱动半导体层重叠的存储电容器。所述存储电容器可以包括:位于所述第一栅绝缘层且与所述驱动半导体层重叠的第一存储电容器板，覆盖所述第一存储电容器板的第二栅绝缘层，以及位于所述第二栅绝缘层且与所述第一存储电容器板重叠的第二存储电容器板。所述驱动半导体层可以包括多个弯曲部。所述驱动半导体层可以包括:沿第一方向延伸的多个第一延展部，以及沿不同于所述第一方向的第二方向延伸的多个第二延展部。所述弯曲部可以联接所述第一延展部和所述第二延展部中的各第一延展部和各第二延展部。所述有机发光二极管显示器可以进一步包括补偿薄膜晶体管，所述补偿薄膜晶体管联接至所述驱动薄膜晶体管且用于补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。所述有机发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，包括：基板；在所述基板上的扫描线，用于传输扫描信号；数据线，与所述扫描线交叉且用于传输数据信号；驱动电压线，与所述扫描线交叉且用于传输驱动电压；开关薄膜晶体管，联接至所述扫描线和所述数据线；驱动薄膜晶体管，联接至所述开关薄膜晶体管的开关漏电极；以及有机发光二极管，联接至所述驱动薄膜晶体管的驱动漏电极，其中所述驱动薄膜晶体管的驱动半导体层被弯曲且位于与所述基板平行的平面内。

【技术特征摘要】
2012.08.02 KR 10-2012-00849761.一种有机发光二极管显不器，包括: 基板； 在所述基板上的扫描线，用于传输扫描信号； 数据线，与所述扫描线交叉且用于传输数据信号； 驱动电压线，与所述扫描线交叉且用于传输驱动电压； 开关薄膜晶体管，联接至所述扫描线和所述数据线； 驱动薄膜晶体管，联接至所述开关薄膜晶体管的开关漏电极；以及 有机发光二极管，联接至所述驱动薄膜晶体管的驱动漏电极， 其中所述驱动薄膜晶体管的驱动半导体层被弯曲且位于与所述基板平行的平面内。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括: 第一栅绝缘层，覆盖所述驱动半导体层；以及 存储电容器，位于所述第一栅绝缘层且与所述驱动半导体层重叠。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述存储电容器包括: 第一存储电容器板，位于所述第一栅绝缘层且与所述驱动半导体层重叠； 第二栅绝缘层，覆盖所述第一存储电容器板；以及 第二存储电容器板，位于所述第二栅绝缘层且与所述第一存储电容器板重叠。4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述驱动半导体层包括多个弯曲部。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中所述驱动半导体层包括: 多个第一延展部，沿第一方向延伸；以及 多个第二延展部，沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，并且其中所述弯曲部联接所述第一延展部和所述第二延展部中的各第一延展部和各第二延展部。6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，进一步包括: 补偿薄膜晶体管，联接至所述驱动薄膜晶体管且用于补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中所述驱动半导体层进一步包括从所述弯曲部起分叉的分叉部。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述存储电容器与所述分叉部重叠。9.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，进一步包括: 发光控制线，用于传输发光控制信号；以及 发光控制薄膜晶体管，被配置为通过所述发光控制信号导通，以将来自所述驱动薄膜晶体管的所述驱动电压传输至所述有机发光二极管， 其中所述发光控制薄膜晶体管位于所述驱动漏电极和所述有机发光二极管之间。10.根据权利要求9所述的有机发光二级管显示器，进一步包括: 晶体管连接部，用于将所述补偿薄膜晶体管的补偿源电极联接至所述发光控制薄膜晶体管的发光控制源电极， 其中所述存储电容器延伸至与所述晶体管连接部重叠。11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中所述驱动半导体层延伸至与所述晶体管连接部重叠。12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，进一步包括: 夹层绝缘层，位于所述第二栅绝缘层上， 其中所述晶体管连接部位于与所述数据线相同的层，并且通过所述夹层绝缘层中的接触孔联接至所述补偿源电极和所述发光控制源电极。13.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述驱动半导体层包括: 第一路径半导体层，联接至所述补偿薄膜晶体管，以及 第二路径半导体层，联接至所述发光控制薄膜晶体管，并且 其中所述第一路径半导体层的长度小于所述第二路径半导体层的长度。14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中所述存储电容器与所述第一路径半导体层和所述第二路径半导体层重叠。15.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，进一步包括: 夹层绝缘层，覆盖所述第二存储电容器板； 连接构件，位于所述夹层绝缘层且通过所述第二栅绝缘层和所述夹层绝缘层中的第一接触孔联接至所述第一存储电容器板；以及 保护层，覆盖所述夹层绝缘层和所述连接构件， 其中所述连接构件联接至所述补偿薄膜晶体管的补偿漏电极。16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中所述扫描线位于与所述第一存储电容器板相同的层，并且 其中所述数据线和所述驱动电压线位于与所述连接构件相同的层。17....

【专利技术属性】
技术研发人员：金世镐，朴晋佑，李元世，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：