电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电子装置，包括一本体与一形状记忆合金元件，其中本体形成有一表面与设置于表面上的一散热开口，形状记忆合金元件设置于散热开口上。当形状记忆合金元件的温度低于一临界温度时，形状记忆合金元件呈现一第一形状，并遮蔽散热开口；当形状记忆合金元件受热使温度上升并超越临界温度时，形状记忆合金元件产生形变并凸出于表面，此时形状记忆合金元件呈现一第二形状，并与本体之间形成一通道，使热能可通过通道离开电子装置，进而能提高电子装置的散热效率，并延长其内部元件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
电子装置
本专利技术涉及一种电子装置，特别涉及一种具有形状记忆合金元件的电子装置。
技术介绍
散热问题长久以来一直是笔记型电脑、平板电脑等可携带式电子装置在机构设计上的一大难题，常见的电子装置通常利用风扇搭配散热孔的设计来进行散热，但由于目前电子装置的机体设计日趋轻薄，其内部可利用的散热空间相对减少，使整体的散热效率并不理想，无法满足目前高运算速度的电子装置的散热需求。有鉴于此，如何突破既有的散热限制，成为一重要的课题。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种电子装置，包括一本体以及一形状记忆合金元件，其中本体形成有一表面与一散热开口，其中散热开口设置于表面上，形状记忆合金元件设置于散热开口上，当形状记忆合金元件的温度低于一临界温度时，形状记忆合金元件呈现一第一形状，并遮蔽散热开口；当形状记忆合金元件受热使温度上升并超越临界温度时，形状记忆合金元件产生形变并凸出于表面，此时形状记忆合金元件呈现一第二形状，并与本体之间形成一通道。于一实施例中，当前述形状记忆合金元件冷却并使温度降低至临界温度以下时，形状记忆合金元件由第二形状恢复至第一形状，并遮蔽散热开口。于一实施例中，前述临界温度介于40℃至65℃之间。于一实施例中，前述形状记忆合金元件具有双程记忆效应。于一实施例中，前述形状记忆合金元件的材质包括铁基合金、镍-钛合金或铜基合金。于一实施例中，当前述形状记忆合金元件受热使温度上升并超越临界温度时，至少一部分的形状记忆合金元件由麻田散体（马氏体）状态转换成沃斯田体（奥氏体）状态。于一实施例中，前述形状记忆合金元件形成有多个狭缝，当形状记忆合金元件的温度低于临界温度时，狭缝呈现一闭合状态；当形状记忆合金元件受热使温度上升并超越临界温度时，形状记忆合金元件产生形变，并使狭缝扩张至一开启状态。于一实施例中，前述狭缝为间隔排列。于一实施例中，前述本体包括一滑槽，形状记忆合金元件容置于滑槽内。于一实施例中，当前述形状记忆合金元件产生形变时，形状记忆合金元件于滑槽内移动。附图说明图1表示本专利技术的一实施例的形状记忆合金元件呈现第一形状时的示意图；图2表示本专利技术的一实施例的形状记忆合金元件呈现第二形状时的示意图；图3表示本专利技术的另一实施例的形状记忆合金元件呈现第一形状时的示意图；图4表示沿图3中A-A’方向的剖视图；图5表示本专利技术的另一实施例的形状记忆合金元件呈现第二形状时的示意图；以及图6表示沿图5中B-B’方向的剖视图。其中，附图标记说明如下：本体1；形状记忆合金元件2；散热开口11；散热孔12；滑槽13；狭缝21；电子装置E；通道P；表面S1。具体实施方式首先请一并参阅图1、图2，其示出本专利技术的一实施例的电子装置E，例如为笔记型电脑或平板电脑，主要包括一本体1以及一形状记忆合金元件2，其中本体1形成有一表面S1以及设置于表面S1上的一散热开口11，在本实施例中，散热开口11例如为一矩形开口。前述形状记忆合金元件2大致为一矩形结构并设置于散热开口11上，其中形状记忆合金元件2形成有多个狭缝21，且狭缝21均朝同一方向延伸并间隔排列。如图2所示，形状记忆合金元件2可在其温度高于一临界温度时产生形变，并与本体1之间形成一通道P，以提高电子装置E的散热效率。需特别说明的是，前述形状记忆合金元件2的材质为具有双程记忆效应（two-wayshapememoryeffect）的合金，例如可为铁基合金、镍-钛合金或铜基合金。在图1中，当电子装置E尚未开始运作或温度较低时，由于形状记忆合金元件2的温度低于一临界温度，因此呈现大致为平坦的板状（第一形状），其中临界温度可介于40℃至65℃之间，且此时形状记忆合金元件2完全遮蔽散热开口11。由于狭缝21在此时为闭合状态，故可防止灰尘等异物经由狭缝21或散热开口11进入电子装置E而造成损坏。接着请参阅图2，当电子装置E开始运作且其内部的电子元件产生大量的热能时，部分热能会传递至形状记忆合金元件2并使其受热。当形状记忆合金元件2的温度上升并超越临界温度时，至少一部分形状记忆合金元件2的合金材料会由麻田散体状态转换成沃斯田体状态，使形状记忆合金元件2开始产生形变，此时形状记忆合金元件2会凸出于表面S1并形成弧状（第二形状），同时与本体1之间形成两个通道P，使热能可通过通道P散出，进而提高电子装置E的散热效率，并延长其内部元件的使用寿命。特别地是，当形状记忆合金元件2受热而使其温度上升并超越临界温度时，形状记忆合金元件2会变形成弧状，并使其上的狭缝21扩张至开启状态（如图2所示）。因此，热能亦可同时经由扩张的狭缝21迅速离开电子装置E，进一步达到散热的功效。相对地，当形状记忆合金元件2冷却并使温度降低至临界温度以下时，形状记忆合金元件2会由弧状（第二形状）恢复至平坦的板状（第一形状），并再次遮蔽散热开口11，此时狭缝21则会由开启状态回复至闭合状态。接着请一并参阅图3、图4，其中图4表示沿图3中A-A’方向的剖视图。本专利技术的另一实施例的电子装置E还包括多个散热孔12（图3）与多个滑槽13（图4），前述形状记忆合金元件2邻近散热孔12。当形状记忆合金元件2的温度低于临界温度时，形状记忆合金元件2呈现平坦的板状（第一形状）并遮蔽散热开口11，此时电子装置E仅通过散热孔12进行散热。如图4所示，滑槽13设置于散热开口11的两侧边，形状记忆合金元件2的两侧边缘则容置于滑槽13内。再请一并参阅图5、图6，其中图6表示沿图5中B-B’方向的剖视图。当形状记忆合金元件2的温度上升并超越临界温度时，形状记忆合金元件2会开始产生形变而形成弧状（第二形状），同时与本体1之间形成一个通道P，其中通道P邻近于散热孔12，此时热能可同时通过通道P以及散热孔12离开电子装置E，进而使电子装置E更有效率地散热。如图6所示，当形状记忆合金元件2产生形变时，形状记忆合金元件2的边缘部分可于滑槽13内滑移，此时形状记忆合金元件2的中央部分会向上凸出，并与本体1之间形成通道P。综上所述，本专利技术提供一种电子装置，主要包括一本体以及一形状记忆合金元件，其中本体形成有一表面与设置于表面上的一散热开口，形状记忆合金元件设置于散热开口上。当形状记忆合金元件的温度低于一临界温度时，形状记忆合金元件呈现一第一形状，并遮蔽散热开口；当形状记忆合金元件受热使温度上升并超越临界温度时，形状记忆合金元件产生形变并凸出于表面，此时形状记忆合金元件呈现一第二形状，并与本体之间形成一通道，使热能可通过通道离开电子装置，进而能提高电子装置的散热效率，并延长其内部元件的使用寿命。虽然本专利技术以前述的实施例揭露如上，然其并非用以限定本专利技术。本专利技术所属
的技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可做许多的更动与变更。因此本专利技术的保护范围以随附权利要求书界定的范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置，包括：一本体，形成有一表面与一散热开口，其中该散热开口设置于该表面上；以及一形状记忆合金元件，设置于该散热开口上；其中，当该形状记忆合金元件的温度低于一临界温度时，该形状记忆合金元件呈现一第一形状，并遮蔽该散热开口；当该形状记忆合金元件受热使温度上升并超越该临界温度时，该形状记忆合金元件产生形变，此时该形状记忆合金元件呈现一第二形状，并与该本体之间形成一通道。

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，包括：一本体，形成有一表面与一散热开口及一滑槽，其中该散热开口设置于该表面上；以及一形状记忆合金元件，设置于该散热开口上并容置于该滑槽内；其中，当该形状记忆合金元件的温度低于一临界温度时，该形状记忆合金元件呈现一第一形状，并遮蔽该散热开口；当该形状记忆合金元件受热使温度上升并超越该临界温度时，该形状记忆合金元件产生形变，此时该形状记忆合金元件呈现一第二形状，并与该本体之间形成一通道。2.如权利要求1所述的电子装置，其中当该形状记忆合金元件冷却并使温度降低至该临界温度以下时，该形状记忆合金元件由该第二形状恢复至该第一形状，并遮蔽该散热开口。3.如权利要求1所述的电子装置，其中该临界温度介于40℃至65℃之间。4.如权利要求1所述的电子装置，其中该形状记忆合金元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗勋，
申请(专利权)人：宏碁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：