激光转印方法和该方法使用的激光转印装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种激光转印方法和该方法使用的激光转印装置。本发明专利技术涉及一种有机EL面板，不使用蒸镀掩模形成有机EL面板的发光层的有机EL层。与在支承基板（20）上形成有有机EL膜（21）的金属施主基板（220）相对，配置具有有机EL元件形成部（110）的电路基板（101）。对金属施主基板（220）照射激光，使支承基板（20）内产生冲击波，在电路基板（101）侧形成有机EL层，实现高精细、大画面且制造成本低的有机EL面板。

【技术实现步骤摘要】
激光转印方法和该方法使用的激光转印装置
本专利技术涉及有机EL面板、有机TFT、有机太阳能电池等功能性有机膜的制造方法。另外，涉及有机EL面板的制造装置和有机EL面板制造方法，特别涉及高效、稳定地形成有机EL发光层的技术。
技术介绍
目前，作为包含有机EL面板的发光层的有机EL层的颜色区分方法，使用掩模蒸镀法。但是，掩模蒸镀法所使用的蒸镀掩模价格较高，并且经营成本也高，由于使器件基板与蒸镀掩模接触，因此异物的影响较大，制造成品率低。因此，成为制造成本高、有机EL面板单价高的掩模蒸镀法。另外，相对有机EL面板的大型化?高精细化、工件尺寸扩大，蒸镀掩模制造技术和掩模蒸镀工艺已经显得落后。为了解决这些问题，正在研究“白色光+彩色滤光片(CF)”法或颜色转换法、喷墨法或胶印法等溶液工序等不使用掩模蒸镀的方法。在“白色光+ CF”法或颜色转换法、喷墨法或胶印法等使用了涂敷工序的有机EL面板中，发光效率低，寿命也短。因此，为了实现使用这些技术的有机EL面板，必须等待发光效率高、可实现长寿命的材料的开发。另外，“白色光+ CF”法是在整个像素中形成白色光的有机EL层，每个像素使用多种颜色的CF形成彩色图像的方法。作为替代掩模蒸镀的颜色区分方法的其它的方法，能够列举有激光转印法。在激光转印法中，能够进行高精细对应且能够对应大面积基板。在专利文献I中报告有通过升华法使材料蒸镀至有机EL面板的激光转印法(LIPS、Laser Patternwise Sublimation)。 另外，在专利文献2中报告有利用转印板的热膨胀使有机材料转印到有机EL面板上的激光转印法(LIT1、Laser Induced Thermal Imaging)。在专利文献3中，公开了一种无掩模构图，其对施主基板的规定部位照射激光，利用形成于施主基板上的吸收层吸收激光，由此,产生冲击波,使施主基板上的发光材料剥离而转印到有机EL面板上。另外,有机EL (电致发光；Electro luminescence)元件具有自发光性、高速响应和宽视角等优异的性能。由于这些优异的性能，近年来，有机EL元件作为表现高画质的动态映像的显示器面板用的器件正积极地开发。有机EL元件在阴极和阳极之间具有将有机空穴传输层、有机电子传输层、有机发光层等层叠而形成的多层结构。作为成为有机EL显示装置的发光层等的较薄的有机EL膜的成膜方法，一般使用掩模蒸镀法。掩模蒸镀法是利用图案状地形成有开口部的蒸镀掩模将基板覆盖，通过开口部蒸镀有机物质，在基板上形成有机EL膜的方法。由于有机EL显示装置的像素的精细度高，蒸镀掩模的开口非常小。在掩模蒸镀法中，在覆盖基板的掩模上也堆积有机EL膜，因开口径发生变化，蒸镀掩模需要进行定期的更换、清洗或维护，存在生产力低的问题。另外，在掩模蒸镀法中，由于受到来自蒸发源的热辐射，掩模本身发生热膨胀，因此不能确保母基板的周边部的掩模开口位置和电路基板上的规定蒸镀`地址的对齐精度，成为阻碍向母基板大型化、面板高精细化的对应的主要原因。为了解决这些问题，提倡有无掩模转印方式，该无掩模转印方式使预先蒸镀有有 机层的施主基板与进行元件形成的基板密接或接近，通过对施主基板照射激光束，使有机 EL层升华或剥离而向元件基板转印。作为在预先形成有机层的施主基板上照射激光而在电路基板上的所希望区域转 印有机层的方式，在专利文献4中公开了一种技术，S卩，通过对在玻璃基板整个面上涂敷有 发光材料的施主基板照射激光，使发光材料升华，由此在相对设置的器件基板上形成有机 EL层。另外，在专利文献5中公开有一种使涂敷有发光材料的施主薄膜与器件基板密接而 在规定部位热转印发光层的方式。现有技术文献专利文献1:日本专利3789991号公报专利文献2:日本特表2002 - 534782号公报专利文献3:日本特开2010 - 40380号公报专利文献4:日本特开2002 - 302759号专利文献5:日本特开2006 — 216563号
技术实现思路
专利技术想要解决的问题专利文献I所示的LIPS法，是通过对在玻璃基板整个面上形成有发光材料的施主 基板照射激光，使发光材料升华，由此在相对设置的器件基板上形成有机EL层。通过对成 膜部分有选择地照射激光，而实现无掩模构图。在该方法中，由于是一层一层地进行蒸镀， 因用于升华的蓄热层的温度上升，而容易受到蒸镀气氛的影响。因此，工序数变长，也容易 产生膜质劣化。另外，在LIPS法中，理论上一次仅能够进行一层构图，随着行分离形成的层 数增加，存在转印的工序数也会增加的缺点。另外，由于是利用激光能量进行热转换，因此， 有时产生转印气氛温度上升引起的杂质混入等，使有机EL元件的特性劣化。另外，在专利文献2所示的LITI法中，使形成有发光材料的施主薄膜与器件密接， 通过对规定部位照射激光而实现无掩模构图。LITI法基本上是热转印法，因此，能够进行多 层转印。但是，需要附加压力、温度，有时层数增加或进行厚膜化时膜质产生劣化。因此，即 使是LITI法，实际上也是I?2层，因此，在层数增加的情况下，需要反复进行转印或与蒸 镀法并用。另外，当存在异物时，由于是在夹着异物的状态下施加压力，因此缺陷增加。另外，在专利文献3中，未公开用于产生冲击波的具体的激光照射方法，考虑基于 与LIPS法一样的升华进行的发光材料的蒸镀，具有与LIPS法一样的课题。在专利文献4中公开有一种技术，即，通过对在玻璃基板整个面上涂敷有发光材 料的施主基板照射激光，使发光材料升华，从而在相对设置的器件基板上形成有机EL层。 但是，由于将激光能量转换成热，发光材料加热到充分升华的温度，因此容易产生转印气氛 的温度上升造成的杂质混入等，存在有机EL元件特性容易劣化的问题。专利文献5中公开有一种方式，即，使涂敷有发光材料的施主薄膜与器件基板密 接，在规定部位热转印发光层。但是，由于使器件基板和施主薄膜密接，因此，当存在异物 时，在夹着异物的状态下施加压力，因此存在形成器件时异物引起的黑点缺陷增加的问题。本专利技术的课题在于，克服以上各种问题点，不使用蒸镀掩模，高成品率地形成包含发光层的多个有机膜层。本专利技术的第二目的在于，解决上述现有技术的课题，提供一种在激光转印工艺中，不产生伴随温度上升的元件发光特性的劣化、因混入异物造成的黑点缺陷的激光转印方法或转印装置。另外，本专利技术的第二目的在于，提供一种能够将施主基板上的有机层闻速且闻稳定性地转印至电路基板的激光转印方法或转印装置。用于解决课题的技术方案本专利技术提供一种激光转印方法，将形成于金属施主片上的薄膜转印到与金属施主片相对的基板上，该激光转印方法的特征在于，将多个脉冲激光串沿着一定方向进行扫描对金属施主片背面进行照射，照射第二脉冲光进行扫描，使得第二脉冲光的至少一部分与照射了第一脉冲光的部分重叠。另外，本专利技术提供一种使用激光转印方法的激光转印装置，将形成于金属施主片上的薄膜转印到与金属施主片相对的基板上，该激光转印装置的特征在于，具有:转印部，其使多个脉冲激光串沿一定方向进行扫描向金属施主片背面进行照射，照射第二脉冲光进行扫描，使得第二脉冲光的至少一部分与照射了第一脉冲光的部分重叠；和在金属施主片上作为薄膜形成有机膜的薄膜形成部。另外，本专利技术的特征在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光转印方法，将形成于金属施主片上的薄膜转印到与所述金属施主片相对的基板上，所述激光转印方法的特征在于：将多个脉冲激光串沿一定方向进行扫描对所述金属施主片背面进行照射，照射第二脉冲光进行扫描，使得第二脉冲光的至少一部分与照射了第一脉冲光的部分重叠。

【技术特征摘要】
2012.07.20 JP 2012-161370;2012.09.27 JP 2012-21391.一种激光转印方法，将形成于金属施主片上的薄膜转印到与所述金属施主片相对的基板上，所述激光转印方法的特征在于:将多个脉冲激光串沿一定方向进行扫描对所述金属施主片背面进行照射，照射第二脉冲光进行扫描，使得第二脉冲光的至少一部分与照射了第一脉冲光的部分重叠。2.如权利要求1所述的激光转印方法，其特征在于:使用具有在照射所述第一脉冲光之后至照射所述第二脉冲光的时间，从被照射了所述第一脉冲光的所述金属施主片背面部分至热扩散长区域的温度比所述薄膜的蒸镀温度低的重复频率的所述脉冲激光串。3.如权利要求1所述的激光转印方法，其特征在于:使用在照射所述第一脉冲光之后至照射所述第二脉冲光的时间，从被照射了所述第一脉冲光的所述金属施主片背面部分至热扩散长区域的温度比所述薄膜的蒸镀温度低的板厚的所述金属施主片。4.如权利要求1所述的激光转印方法，其特征在于:使用在照射所述第一脉冲光之后至照射所述第二脉冲光的时间，从被照射了所述第一脉冲光的所述金属施主片背面部分至热扩散长区域的温度比所述薄膜的蒸镀温度低的脉冲能量的所述第一脉冲光。5.如权利要求1所述的激光转印方法，其特征在于:在所述金属施主片和所述基板之间具有间隙。6.如权利要求5所述的激光转印方法，其特征在于:所述间隙取为?ο μ m以上且100 μ m以下。7. 如权利要求1所述的激光转印方法，其特征在于:所述薄膜是从所述金属施主片侧起依次层叠有载流子输送层、有源层的层叠膜，或者是从所述金属施主片侧依次层叠有有源层、载流子输送层的层叠膜。8.如权利要求1所述的激光转印方法，其特征在于:所述薄膜是从所述金属施主片侧起依次层叠有有源层、载流子输送层的层叠膜。9.如权利要求1所述的激光转印方法，其特征在于:所述薄膜是从所述金属施主片侧起依次层叠有载流子输送层、有源层、载流子输送层的层叠膜。10.如权利要求1所述的激光转印方法，其特征在于:所述薄膜是从所述金属施主片侧起依次层叠有电极层、载流子输送层、有源层的层叠膜。11.如权利要求1所述的激光转印方法，其特征在于:所述薄膜是从所述金属施主片侧起依次层叠有多个载流子输送层、有源层、多个载流子输送层的层叠膜。12.如权利要求1所述的激光转印方法，其特征在于:在所述基板上形成有电极，所述脉冲激光串的扫描方向为所述电极的长边方向。13.如权利要求12所述的激光转印方法，其特征在于:所述电极是图像显示装置的像素电极，所述像素电极被分类为具有至少三种以上的发光色的子像素电极，所述脉冲激光沿规定的发光色的所述子像素电极的长边方向扫描。14.如权利要求13所述的激光转印方法，其特征在于:所述子像素电极以镶嵌排列或三角排列配置，所述脉冲激光在规定的发光色的所述子像素电极相邻的方向扫描。15.如权利要求1所述的激光转印方法，其特征在于:形成有所述金属施主片的板厚不同的区域，不被照射所述脉冲激光串的区域的金属施主片的板厚，比被照射所述脉冲激光串的区域的金属施主片的板厚厚。16.如权利要求1所述的激光转印方法，其特征在于:所述金属施主片形成为双层构造，被照射所述脉冲激光串的一侧的金属板的热扩散率，比形成有所述薄膜的一侧的金属板的热扩散率大。17.—种激光转印装置，将形成于金属施主片上的薄膜转印到与所述金属施主片相对的基板上，所述激光转印装置的特征在于:具有转印部和薄膜形成部，其中，所述转印部执行如下激光转印方法:使多个脉冲激光串沿一定方向进行扫描并向所述金属施主片背面进行照射，照射第二脉冲光进行扫描，使得第二脉冲光的至少一部分与照射了第一脉冲光的部分重叠，所述薄膜形成部在所述金属施主片上形成有机膜作为所述薄膜。18.如权利要求17所述的激光转印装置，其特征在于:所述基板具有至少三种以上的发光色的子像素电极用于彩色图像显示，对第一发光色的子像素电极进行所述激光转印，对第二发光色的子像素电极进行所述激光转印，对第三发光色的子像素电极进行所述激光转印。19.如权利要求17所述的激光转印装置，其特征在于:所述基板具有至少三种以上的发光色的子像素电极用于彩色图像显示，对第一发光色的子像素电...

【专利技术属性】
技术研发人员：石原慎吾，松崎永二，松浦宏育，矢崎秋夫，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：