迁移抑制层形成用处理液以及具有迁移抑制层的层叠体的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种迁移层形成用处理液，其用以形成抑制配线间的铜离子的迁移，并提升配线间的绝缘可靠性的迁移抑制层。本发明专利技术的迁移抑制层形成用处理液是用以形成抑制铜配线或铜合金配线中的离子迁移的迁移抑制层的处理液，其含有唑化合物与水，且溶解氧量为7.0ppm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的目的在于提供一种迁移层形成用处理液，其用以形成抑制配线间的铜离子的迁移，并提升配线间的绝缘可靠性的迁移抑制层。本专利技术的迁移抑制层形成用处理液是用以形成抑制铜配线或铜合金配线中的离子迁移的迁移抑制层的处理液，其含有唑化合物与水，且溶解氧量为7.0ppm以下。【专利说明】
本专利技术涉及一种迁移(migration)抑制层形成用处理液、以及具有使用该处理液所获得的迁移抑制层的层叠体的制造方法。
技术介绍
近年来，伴随电子机器的高功能化等的要求，电子零件的高密度集成化、高密度安装化等正在发展，这些电子零件中所使用的印刷线路板(printed wiring board)等也正进行小型化及高密度化。此种状况下，印刷线路板中的配线(wiring)的间隔进一步狭小化，为了防止配线间的短路，还要求配线间的绝缘可靠性进一步提升。作为阻碍铜或铜合金的配线间的绝缘性的因素之一，已知有所谓的铜离子的迁移。其为如下的现象:若在配线电路间等产生电位差，则构成配线的铜因水分的存在而离子化，所溶出的铜离子移动至邻接的配线。通过此种现象，所溶出的铜离子随时间经过得到还原而成为铜化合物并成长为树枝状结晶(dendrite)(树枝状晶)状，结果使配线间短路。作为防止此种迁移的方法，提出有形成使用了苯并三唑的迁移抑制层的技术(专利文献I及专利文献2)。更具体而言，在这些文献中，在配线基板上形成用以抑制铜离子的迁移的层，而谋求配线间的绝缘可靠性的提升。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特开2001-257451号公报专利文献2:日本专利特开平10-321994号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题另一方面，如上所述，近年来，配线的微细化正急速地发展，而要求配线间的绝缘可靠性进一步提升。本专利技术人等人对专利文献I及专利文献2中所记载的使用了苯并三唑的迁移抑制层进行了研究，结果在配线间确认到铜的树枝状结晶的连结，其迁移抑制效果未满足最近所要求的水平，而需要进一步的改良。鉴于上述实际情况，本专利技术的目的在于提供一种迁移层形成用处理液，其用以形成抑制配线间的铜离子的迁移，并提升配线间的绝缘可靠性的迁移抑制层。另外，本专利技术的目的还在于提供一种具有使用该处理液所获得的迁移抑制层的层叠体的制造方法。解决问题的技术手段本专利技术人等人努力研究的结果，发现可通过以下的构成来解决上述课题。(I) 一种迁移抑制层形成用处理液，其用以形成抑制铜配线或铜合金配线中的离子迁移的迁移抑制层，上述迁移抑制层形成用处理液含有唑(azole)化合物与水，且溶解氧量(dissolved oxygen content)为 7.0ppm 以下。(2)如(I)所述的迁移抑制层形成用处理液，其中溶解氧量未满4.0ppm。(3)如⑴或⑵所述的迁移抑制层形成用处理液，其中唑化合物包含1，2，3_三唑及/或1，2，4-三唑。(4) 一种具有迁移抑制层的层叠体的制造方法，其包括:层形成步骤，使具有基板以及配置于基板上的铜配线或铜合金配线的带有配线的基板、与如(I)至(3)中任一项所述的迁移抑制层形成用处理液接触，其后利用溶剂清洗带有配线的基板，而在铜配线或铜合金配线表面上形成包含唑化合物的迁移抑制层；以及 绝缘层形成步骤，在设置有迁移抑制层的带有配线的基板上形成绝缘层。(5) 一种具有迁移抑制层的层叠体的制造方法，其包括如下的层形成步骤:使含有露出配线的层叠体与如(I)至(3)中任一项所述的迁移抑制层形成用处理液接触，其后利用溶剂清洗含有露出配线的层叠体，而在所露出的铜配线或铜合金配线表面上形成迁移抑制层，上述含有露出配线的层叠体具有基板、配置于基板上的铜配线或铜合金配线以及绝缘层，上述绝缘层配置于基板上，且以使铜配线或铜合金配线的一部分露出的方式覆盖铜配线及铜合金配线。专利技术的效果根据本专利技术，可提供一种迁移层形成用处理液，其用以形成抑制配线间的铜离子的迁移，并提升配线间的绝缘可靠性的迁移抑制层。另外，根据本专利技术，可提供一种具有使用该处理液所获得的迁移抑制层的层叠体的制造方法。【专利附图】【附图说明】图1 (a)?图1 (d)是依次表示本专利技术的具有迁移抑制层的层叠体的制造方法的第I实施形态中的各步骤的示意性剖面图。图2是本专利技术中所使用的含有露出配线的层叠体的一部分的立体剖面图。图3(a)?图3(c)是依次表示本专利技术的具有迁移抑制层的层叠体的制造方法的第2实施形态中的各步骤的示意性剖面图。图3(a)为图1(a)?图1(d)的A-A线剖面图。图4是本专利技术的具有迁移抑制层的层叠体的第2实施形态的一部分的立体剖面图。【具体实施方式】以下，对本专利技术的迁移抑制层形成用处理液、以及具有使用该处理液所获得的迁移抑制层的层叠体的制造方法的优选形态进行说明。首先，对现有技术的问题与本专利技术的特征进行详述。本专利技术人等人对现有技术(专利文献I中所记载的专利技术)的问题进行研究的结果，首先，发现若存在于处理液中的溶解氧量多，则所形成的迁移抑制层的功能并不充分。若处理液中的溶解氧量多，则铜配线或铜合金配线表面的腐蚀得到促进。因此，尤其在高湿、过电压(overvoltage)环境下会加速铜离子的产生，而导致迁移抑制层的离子捕捉能力下降，作为结果，无法显现充分的迁移抑制功能。另外，本专利技术人等人发现若在铜配线或铜合金配线(以下，也简称为配线)间的基板上残存有苯并三唑等现有的迁移抑制剂，则在配线间，在带有配线的基板上所设置的绝缘层与基板之间产生密接不良等，而成为短路的原因。另一方面，若为了去除此种配线间所存在的迁移抑制剂而进行基板的清洗，则铜配线或铜合金配线上的迁移抑制剂也同时被去除，而显现不出所期望的效果。本专利技术人等人基于上述见解，发现通过使用包含唑化合物、并显示规定的溶解氧量的迁移抑制层形成用处理液，可解决上述现有技术的问题。S卩，通过使用溶解氧量为规定值以下的处理液，而进一步抑制铜配线或铜合金配线的腐蚀，并维持唑化合物对于铜离子的配位能力。作为结果，铜离子的迁移得到抑制。进而，通过使用作为杂5员环化合物的唑化合物，即便是利用溶剂的清洗处理，配线上的唑化合物也会残存，因此，可去除可能成为配线间的短路的原因的残存于配线间的迁移抑制剂，并在配线上形成迁移抑制层。首先，对本专利技术中所使用的迁移抑制层形成用处理液进行详述，其后对具有使用该处理液所获得的迁移抑制层的层叠体的制造方法进行详述。本专利技术的迁移抑制层形成用处理液(铜离子扩散抑制层形成用处理液)是用以形成抑制铜配线或铜合金配线中的离子迁移的迁移抑制层的处理液。该处理液含有唑化合物与水，且溶解氧量为7.0ppm以下。以下，对处理液中所含有的成分(唑化合物、水等)进行详述。(唑化合物)本处理液中所含有的唑化合物是在环内包含I个以上氮原子的单环式的杂5员环化合物。例如可列举:氮原子数为2个的二唑、氮原子数为3个的三唑、及氮原子数为4个的四唑等。更具体而言，可列举:I，2，3-三唑、I，2，4-三唑、I，2，4-三唑-3-羧基酰胺、四唑等。其中，就铜离子的迁移抑制效果更优异的观点而言，优选为1，2，3_三唑、及1，2，4_三唑。处理液中也可含有2种以上的唑化合物。另外，只要无损本专利技术的效果，则该唑化合物也可具有烷基、羧基、羟基、氨基等取代基。处理液中的唑化合物的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种迁移抑制层形成用处理液，其特征在于，用以形成抑制铜配线或铜合金配线中的离子迁移的迁移抑制层，所述迁移抑制层形成用处理液含有唑化合物与水，且溶解氧量为7.0ppm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：南一守，佐藤真隆，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：
国别省市：