本发明专利技术提供一种树脂组合物，其含有粘合剂树脂(A)、放射线敏感性化合物(B)、硅烷改性树脂(C)及抗氧化剂(D)，其中，所述硅烷改性树脂(C)的含量相对于所述粘合剂树脂(A)100重量份为0.1～150重量份，所述抗氧化剂(D)的含量相对于所述粘合剂树脂(A)100重量份为0.1～10重量份，且使用所述树脂组合物形成厚度2～3μm的树脂膜、并于230℃对形成的树脂膜进行了烧制时，其翘曲量为14μm以下。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种树脂组合物，其含有粘合剂树脂(A)、放射线敏感性化合物(B)、硅烷改性树脂(C)及抗氧化剂(D)，其中，所述硅烷改性树脂(C)的含量相对于所述粘合剂树脂(A)100重量份为0.1～150重量份，所述抗氧化剂(D)的含量相对于所述粘合剂树脂(A)100重量份为0.1～10重量份，且使用所述树脂组合物形成厚度2～3μm的树脂膜、并于230℃对形成的树脂膜进行了烧制时，其翘曲量为14μm以下。【专利说明】树脂组合物及半导体元件基板
本专利技术涉及树脂组合物和具备由该树脂组合物形成的树脂膜的半导体元件基板，更详细而言，涉及可以获得平坦性高、耐光性、耐热性优异的树脂膜的树脂组合物、以及具备由该树脂组合物形成的树脂膜的半导体元件基板。
技术介绍
在有机EL元件、液晶显示元件等各种显示元件、集成电路元件、固体摄像元件、滤色片、黑色矩阵等电子部件中，作为用于防止其劣化及损伤的保护膜、用于使元件表面及配线平坦化的平坦化膜、用于保持电绝缘性的电绝缘膜等，设置有各种树脂膜。另外，在有机EL元件中，为了分离发光体部，设置有作为像素分离膜的树脂膜，另外，在薄膜晶体管型液晶用的显示元件、集成电路元件等元件中，为了使以层状配置的配线之间绝缘，设置有作为层间绝缘膜的树脂膜。以往，作为用于形成这些树脂膜的树脂材料，通用的是环氧树脂等热固性树脂材料。近年来，随着配线及器件的高密度化，对于这些树脂材料，还要求开发出低介电性等电特性优异的新的树脂材料。为了对应这些要求，例如在专利文献I中公开了一种可形成绝缘膜的光敏性树脂组合物，其含有碱可溶性树脂(A)、交联剂(B)及放射线敏感性产酸剂(C)。但是，就使用该专利文献I中记载的树脂组合物而得到的树脂膜而言，烧制之后的树脂膜的平坦性、耐光性及耐热性差，期待加以改善。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-197181号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于提供一种可以获得平坦性高、耐光性、耐热性优异的树脂膜的树脂组合物、以及具备由这种树脂组合物形成的树脂膜的半导体元件基板。特别是，本专利技术的目的在于提供一种能够获得在烧制后也具有高平坦性、优异耐光性、耐热性的树脂膜的树脂组合物、以及具备由这种树脂组合物形成的树脂膜的半导体元件基板。解决问题的方法本专利技术人为了实现上述目的而进行了深入研究，结果发现，利用下述树脂组合物，能够实现上述目的，所述树脂组合物含有粘合剂树脂、放射线敏感性化合物、硅烷改性树脂及抗氧化剂，并且，利用该树脂组合物以指定厚度形成树脂膜、并在指定条件下对所形成的树脂膜进行烧制时，其翘曲量可控制于指定范围，本专利技术人基于此而完成了本专利技术。S卩，本专利技术提供一种树脂组合物，其含有粘合剂树脂(A)、放射线敏感性化合物(B)、硅烷改性树脂(C)及抗氧化剂(D)，所述硅烷改性树脂(C)的含量相对于所述粘合剂树脂(A) 100重量份为0.1?150重量份，所述抗氧化剂(D)的含量相对于所述粘合剂树脂(A) 100重量份为0.1?10重量份，并且，使用所述树脂组合物形成厚度2?3 μ m的树脂膜、并于230°C对形成的树脂膜进行了烧制时，其翘曲量为14μπι以下。优选所述放射线敏感性化合物(B)的含量相对于所述粘合剂树脂(A) 100重量份为20?100重量份。优选所述硅烷改性树脂(C)是选自聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酸、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂及酚醛树脂中的至少一种高分子材料和硅化合物进行化学键合而形成的化合物。优选所述硅化合物为下式表示的硅化合物和/或下式表示的硅化合物的部分水解缩合物。(R8)r-Si_(0R9)4_r(上述式中，r为O?3的整数；R8为可以具有与碳原子直接键合的官能团的碳原子数I?10的烷基、碳原子数6?20的芳基或碳原子数2?10的不饱和脂肪族基团，在R8为多个的情况下，多个R8各自相同或不同。R9为氢原子、或可以具有与碳原子直接键合的官能团的碳原子数I?10的烷基，在R9为多个的情况下，多个R9各自相同或不同。)优选所述粘合剂树脂(A)为具有质子性极性基团的环状烯烃聚合物、丙烯酸树脂或聚酰亚胺。优选本专利技术的树脂组合物还含有交联剂(E)。另外，本专利技术提供一种具备由上述任一种树脂组合物形成的树脂膜的半导体元件基板。专利技术的效果根据本专利技术，可提供一种能够获得平坦性高、耐光性、耐热性优异的树脂膜的树脂组合物、以及具备由这种树脂组合物形成的树脂膜的半导体元件基板。特别是，根据本专利技术，可提供一种能够获得在烧制后也具有高平坦性、优异耐光性、耐热性的树脂膜的树脂组合物、以及具备由这种树脂组合物形成的树脂膜的半导体元件基板。【具体实施方式】本专利技术的树脂组合物为含有粘合剂树脂(A)、放射线敏感性化合物(B)、硅烷改性树脂(C)及抗氧化剂(D)的树脂组合物，其中，所述硅烷改性树脂(C)的含量相对于所述粘合剂树脂(A) 100重量份为0.1?150重量份，所述抗氧化剂(D)的含量相对于所述粘合剂树脂(A) 100重量份为0.1?10重量份，并且，使用所述树脂组合物形成厚度2?3 μ m的树脂膜、并于230°C对形成的树脂膜进行了烧制时，其翘曲量在14μπι以下的范围。(粘合剂树脂(A))作为本专利技术中使用的粘合剂树脂(A)，没有特别限定，优选为具有质子性极性基团的环状烯烃聚合物(Al)、丙烯酸树脂(Α2)、聚酰亚胺(A3)、卡多(Cardo)树脂(Α4)或聚硅氧烷(Α5)，其中，特别优选具有质子性极性基团的环状烯烃聚合物(Al)。这些粘合剂树脂㈧可以分别单独使用，也可以将2种以上组合使用。作为具有质子性极性基团的环状烯烃聚合物(Al)(以下，简称为“环状烯烃聚合物(Al) ”)，可列举I个或2个以上环状烯烃单体的聚合物、或I个或2个以上环状烯烃单体与能够与其共聚的单体形成的共聚物，在本专利技术中，作为用于形成环状烯烃聚合物(Al)的单体，优选使用至少具有质子性极性基团的环状烯烃单体(a)。这里，所述质子性极性基团，指的是氢原子直接键合在属于元素周期表第15族或第16族的原子上而形成的基团。在属于元素周期表第15族或第16族的原子中，优选属于元素周期表第15族或第16族的第I或第2周期的原子，更优选氧原子、氮原子或硫原子，特别优选氧原子。作为这样的质子性极性基团的具体例，可列举:羟基、羧基(羟基羰基)、磺酸基、磷酸基等具有氧原子的极性基团；伯氨基、仲氨基、伯酰胺基、仲酰胺基(酰亚胺基)等具有氮原子的极性基团；硫羟基等具有硫原子的极性基团；等等。其中，优选具有氧原子的极性基团，更优选为羧基。本专利技术中，对于具有质子性极性基团的环状烯烃树脂上键合的质子性极性基团的个数没有特别限定，另外，也可以包含不同种类的质子性极性基团。作为具有质子性极性基团的环状烯烃单体(a)(以下，适当称为“单体(a)”)的具体例，可列举:2_羟基羰基双环庚-5-烯、2-甲基-2-羟基羰基双环庚-5-烯、2-羧基甲基-2-羟基羰基双环庚-5-烯、2-羟基羰基-2-甲氧基羰基甲基双环庚-5-烯、2-羟基羰基-2-乙氧基羰基甲基双环庚_5_烯、2-羟基羰基-2-丙氧基羰基甲基双环庚-5-烯、2-羟基羰基-2- 丁氧基羰基甲基双环庚-5-烯、2-羟基羰基-2-戊氧基羰基甲本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种树脂组合物，其含有粘合剂树脂(A)、放射线敏感性化合物(B)、硅烷改性树脂(C)及抗氧化剂(D)，其中，相对于所述粘合剂树脂(A)100重量份，所述硅烷改性树脂(C)的含量为0.1～150重量份，相对于所述粘合剂树脂(A)100重量份，所述抗氧化剂(D)的含量为0.1～10重量份，并且，使用所述树脂组合物形成厚度2～3μm的树脂膜、并于230℃对所形成的树脂膜进行了烧制时，其翘曲量为14μm以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：大迫由美，
申请(专利权)人：日本瑞翁株式会社，
类型：
国别省市：
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