一种提高NAND flash控制器读写速度的方法技术

一种提高NAND?flash控制器读写速度的方法，属于集成电路设计领域。NAND?flash控制器一端连在系统总线上,另一端与NAND?flash直接相连，从NAND?flash中读出其页大小的参数，动态分配NAND?flash控制器内部的缓存，生成多个适应NAND?flash的页的大小的缓存分页，通过外部控制命令对当前使用的缓存分页进行选择，选择出当前使用的缓存页，使得外部控制命令可以直接对其进行操作。此方法的优点在于，可以使控制器很好地适应不同型号的NAND?flash，并最大限度地利用自身有限的缓存资源，为外部控制命令提供更为灵活的缓存操作方式，提高对NAND?flash的读写速度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种提高NAND?flash控制器读写速度的方法，属于集成电路设计领域。NAND?flash控制器一端连在系统总线上,另一端与NAND?flash直接相连，从NAND?flash中读出其页大小的参数，动态分配NAND?flash控制器内部的缓存，生成多个适应NAND?flash的页的大小的缓存分页，通过外部控制命令对当前使用的缓存分页进行选择，选择出当前使用的缓存页，使得外部控制命令可以直接对其进行操作。此方法的优点在于，可以使控制器很好地适应不同型号的NAND?flash，并最大限度地利用自身有限的缓存资源，为外部控制命令提供更为灵活的缓存操作方式，提高对NAND?flash的读写速度。【专利说明】—种提高NAND flash控制器读写速度的方法
本专利技术涉及一种以动态配置NAND flash控制器内部缓存分页大小来提高控制器对NAND flash器件的读写速度的方法，属于数字集成电路设计
。
技术介绍
随着芯片的集成度越来越高，当今的手机、平板电脑等都集成了上网、游戏、音乐播放、视频播放、照相等常用的数码功能，越来越多的功能自然也对存储提出了更高的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高NAND?flash控制器读写速度的方法，由以下系统来实现，该系统包括NAND?flash控制器、NAND?flash和外部控制命令，NAND?flash控制器一端连在系统总线上,另一端直接和NAND?flash相连，外部控制命令能直接操作NAND?flash控制器；NAND?flash控制器包括主控逻辑、一个缓存器、多组缓存控制逻辑、一个分页选择模块和一个分页记录模块，主控逻辑内带有ECC校验模块；缓存器用于缓存读写的数据，缓存控制逻辑与缓存器连接，用于缓存器的动态分配；分页选择模块与缓存控制逻辑、主控逻辑相连，用于从多组缓存分页中选择当前使用的缓存分页，是能够由外部控制命令进行设置...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周莉，孙皓，孙涛，陈鹏，董启凡，马召宾，汪洋，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：