一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路制造技术

本发明专利技术公开了一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，包括：上位功率管M1驱动电路和下位功率管M2驱动电路，上位功率管M1驱动电路包括：自举供电线路、上位推挽驱动线路、上位负压生成线路和上位保护线路；下位功率管M2驱动电路包括：低压直流稳压电源、下位推挽驱动线路、下位负压生成线路和下位保护线路；本发明专利技术有益效果：解决了传统自举供电基础上不能有效增加负压线路,导致上桥臂MOSFET/IGBT不能可靠关断，并且大负载时容易导致上下桥臂直通，最终烧毁设备的问题；既保证了线路的简洁性，又能保证功率管的可靠关断。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有负压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，包括：上位功率管M1驱动电路和下位功率管M2驱动电路，其特征是，上位功率管M1驱动电路包括：自举供电线路、上位推挽驱动线路、上位负压生成线路和上位保护线路依次串联连接；所述上位负压生成线路串接在上位推挽驱动线路的限流电阻与上位功率管M1的栅极之间；下位功率管M2驱动电路包括：低压直流稳压电源、下位推挽驱动线路、下位负压生成线路和下位保护线路依次串联连接；所述下位负压生成线路串接在下位推挽驱动线路的限流电阻与下位功率管M2的栅极之间；所述上位负压生成线路或者下位负压生成线路中的电容在功率管导通时充电，功率管关断时放电。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：侯典立，张庆范，刘晓，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：