本发明专利技术提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置，该制造方法具有：准备工序，准备具有硬质的支承板的支承片；半导体元件配置工序，将半导体元件配置于支承片的厚度方向一侧；层配置工序，在半导体元件配置工序之后，将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的密封层以覆盖半导体元件的方式配置于支承片的厚度方向一侧；密封工序，使密封层固化，利用挠性的密封层密封半导体元件；切断工序，在密封工序之后，与半导体元件相对应的将挠性的密封层切断，从而获得具有半导体元件和覆盖半导体元件的密封层的覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，在切断工序之后，将覆有密封层的半导体元件从支承片剥离下来。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置，该制造方法具有：准备工序，准备具有硬质的支承板的支承片；半导体元件配置工序，将半导体元件配置于支承片的厚度方向一侧；层配置工序，在半导体元件配置工序之后，将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的密封层以覆盖半导体元件的方式配置于支承片的厚度方向一侧；密封工序，使密封层固化，利用挠性的密封层密封半导体元件；切断工序，在密封工序之后，与半导体元件相对应的将挠性的密封层切断，从而获得具有半导体元件和覆盖半导体元件的密封层的覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，在切断工序之后，将覆有密封层的半导体元件从支承片剥离下来。【专利说明】覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置
本专利技术涉及覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置，详细地说，涉及覆有密封层的半导体元件的制造方法、通过该制造方法而获得的覆有密封层的半导体元件，以及具有该覆有密封层的半导体元件的半导体装置。
技术介绍
以往，对于含有发光二极管装置(以下，简称为LED装置。)、电子装置等的半导体装置而言，公知有如下的制造方法:首先，在基板上安装多个半导体元件(包括发光二极管元件(以下，简称为LED。)、电子元件等);接着，设置密封层以覆盖多个半导体元件；之后，使各半导体元件单片化。尤其是，在半导体元件为LED，半导体装置为LED装置的情况下，在多个LED之间，发光波长、发光效率会产生偏差，所以在这种安装有LED的LED装置中，存在有在多个LED之间发光产生偏差的问题。为了克服上述问题，例如，研究出以下方法:以荧光体层来覆盖多个LED从而制作覆有荧光体层的LED，之后，将覆有荧光体层的LED按照发光波长、发光效率进行分选，之后，安装到基板上。例如，提出有通过以下方法而得到的芯片部件，借助粘合片将芯片粘贴在石英基板之上，接着，自芯片之上涂布树脂，从而制作由被树脂覆盖了的芯片构成的伪晶圆(日文:疑似一〃)，之后，将伪晶圆从石英基板及粘合片剥离下来，之后，将伪晶圆按芯片单位来切割从而使之单片化(例如，参照日本特开2001 - 308116号公报。)。之后，将日本特开2001 - 308116号公报的芯片部件安装到基板上，从而获得半导体装置。另外，提出有通过以下方法而得到的LED，将LED配置在粘合片之上，接着，涂布已分散混入有荧光体的陶瓷油墨，通过加热，使陶瓷油墨假固化，之后，与LED相对应地切割陶瓷油墨，之后，使陶瓷油墨完全固化从而使之玻璃化(例如，参照日本特开2012 - 39013号公报。)。之后，将日本特开2012 - 39013号公报的LED安装到基板上，从而获得LED装置。但是，在日本特开2001 - 308116号公报所述的方法中，在切割伪晶圆时，伪晶圆已经被从石英基板及粘合片剥离下来，所以这些石英基板及粘合片不再支承伪晶圆。因此，无法以优异的精度切割伪晶圆，其结果，存在所获得的芯片部件的尺寸稳定性较低这样的问题。另一方面，在日本特开2012 - 39013号公报所述的方法中，在切割陶瓷油墨之后，使陶瓷油墨完全固化，所以，在切割之后，陶瓷油墨中会产生由完全固化而产生的收缩所引起的尺寸误差，因此，存在所获得的LED的尺寸稳定性较低这样的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种能够以优异的尺寸稳定性来获得覆有密封层的半导体元件的覆有密封层的半导体元件的制造方法，通过该制造方法而获得的覆有密封层的半导体元件，以及具有该覆有密封层的半导体元件的半导体装置。本专利技术的覆有密封层的半导体元件的制造方法的特征在于，具有:准备工序，准备具有硬质的支承板的支承片；半导体元件配置工序，将半导体元件配置在上述支承片的厚度方向一侧；层配置工序，在上述半导体元件配置工序之后，将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的密封层以覆盖上述半导体元件的方式配置在上述支承片的上述厚度方向一侧；密封工序，使上述密封层固化，从而利用挠性的上述密封层密封上述半导体元件；切断工序，在上述密封工序之后，与上述半导体元件相对应地切断挠性的上述密封层，从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，在上述切断工序之后，将上述覆有密封层的半导体元件从上述支承片剥离下来。另外，在本专利技术的覆有密封层的半导体元件的制造方法中，优选的是，上述密封层由密封片形成。另外，在本专利技术的覆有密封层的半导体元件的制造方法中，优选的是，在上述层配置工序中，利用B阶段的上述密封层来覆盖上述半导体元件，在上述密封工序中，使上述密封层固化从而达到C阶段，利用C阶段的上述密封层来密封上述半导体元件。另外，在本专利技术的覆有密封层的半导体元件的制造方法中，优选的是，上述支承片还具有层叠在上述支承板的上述厚度方向一侧的表面的粘合层。另外，在本专利技术的覆有密封层的半导体元件的制造方法中，优选的是，在上述半导体元件剥离工序中，将上述覆有密封层的半导体元件从上述支承板及上述粘合层剥离下来。另外，在本专利技术的覆有密封层的半导体元件的制造方法中，优选的是，在上述切断工序之后，且在上述半导体元件剥离工序之前，还具有将上述支承板从上述粘合层剥离下来的支承板剥离工序，在上述半导体剥离工序中，将上述覆有密封层的半导体元件从上述粘合层剥离下来。另外，在本专利技术的覆有密封层的半导体元件的制造方法中，优选的是，上述半导体元件剥离工序具有将上述覆有密封层的半导体元件转印到能够在与上述厚度方向正交的正交方向延伸的延伸支承片上的工序，以及使上述延伸支承片在上述正交方向延伸，并且将上述覆有密封层的半导体元件从上述延伸支承片剥离下来的工序。另外，在本专利技术的覆有密封层的半导体元件的制造方法中，优选的是，在上述准备工序中，以预先设置在上述切断工序中作为切断基准的基准标记的方式来准备上述支承片。另外，在本专利技术的覆有密封层的半导体元件的制造方法中，优选的是，上述半导体元件为LED,上述密封层为荧光体层。另外，在本专利技术的覆有密封层的半导体元件的制造方法中，优选的是，上述密封层具有:覆盖部，其用于覆盖上述半导体元件；以及反射部，其含有光反射成分，以包围上述覆盖部的方式形成。另外，本专利技术的覆有密封层的半导体元件的特征在于，其是由如下的覆有密封层的半导体元件的制造方法获得的，该覆有密封层的半导体元件的制造方法具有:准备工序，准备具有硬质的支承板的支承片；半导体元件配置工序，将半导体元件配置在上述支承片的厚度方向一侧；层配置工序，在上述半导体元件配置工序之后，将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的密封层以覆盖上述半导体元件的方式配置在上述支承片的上述厚度方向一侧；密封工序，使上述密封层固化，从而利用挠性的上述密封层密封上述半导体元件；切断工序，在上述密封工序之后，与上述半导体元件相对应地切断挠性的上述密封层，从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，在上述切断工序之后，将上述覆有密封层的半导体元件从上述支承片剥离下来。另外，本专利技术的半导体装置的特征在于，具有基板和安装于上述基板的覆有密封层的半导体元件，上述覆有密封层的半导体元件是由如下的覆有密封层的半本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：准备工序，准备具有硬质的支承板的支承片；半导体元件配置工序，将半导体元件配置在上述支承片的厚度方向一侧；层配置工序，在上述半导体元件配置工序之后，将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的密封层以覆盖上述半导体元件的方式配置在上述支承片的上述厚度方向一侧；密封工序，使上述密封层固化，从而利用挠性的上述密封层密封上述半导体元件；切断工序，在上述密封工序之后，与上述半导体元件相对应地切断挠性的上述密封层，从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，在上述切断工序之后，将上述覆有密封层的半导体元件从上述支承片剥离下来。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：江部悠纪，片山博之，木村龙一，大西秀典，福家一浩，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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