【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置。该制造方法具有：准备工序，准备具有形成有在厚度方向上贯通的通孔的硬质的支承板和以覆盖通孔的方式层叠在支承板的厚度方向一侧的表面的粘合层的支承片；半导体元件配置工序，将半导体元件配置在粘合层的在厚度方向上与贯通孔相对的厚度方向一侧的表面；半导体元件覆盖工序，利用密封层覆盖半导体元件，从而获得覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，通过使推压部件从厚度方向另一侧插入上述通孔，从而将覆有密封层的半导体元件从粘合层剥离下来。【专利说明】覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置
本专利技术涉及覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置，详细地说，涉及 覆有密封层的半导体元件的制造方法、通过该制造方法而获得的覆有密封层的半导体元 件，以及具有该覆有密封层的半导体元件的半导体装置。
技术介绍
以往，对于含有发光二极管装置(以下，简称为LED装置。)、电子装置等的半导体 装置而言，公知有如下的制造方法:首先，在基板上安装多个半导体元件(包括发光二极管 元件(以下，简称为LED。...
【技术保护点】
一种覆有密封层的半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：准备工序，准备具有粘合层和硬质的支承板的支承片，该硬质的支承板形成有在厚度方向上贯通的通孔，该粘合层以覆盖上述通孔的方式层叠在上述支承板的厚度方向一侧的表面；半导体元件配置工序，将半导体元件配置在上述粘合层的在上述厚度方向上与上述贯通孔相对的上述厚度方向一侧的表面；半导体元件覆盖工序，利用密封层覆盖上述半导体元件，从而获得具有上述半导体元件和覆盖上述半导体元件的上述密封层的覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，通过使推压部件从上述厚度方向另一侧插入上述通孔，相对于上述支承板向上述厚度方向一侧推压上述粘合层的与...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：江部悠纪，片山博之，木村龙一，大西秀典，福家一浩，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。