【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】用于处理衬底或衬底对的装置。本专利技术涉及用于处理衬底、尤其晶片（15）的一种装置，该装置具有至少一个预处理模块（9）、至少一个后处理模块（11）以及至少一个主处理模块（10），其中该预处理模块（9）和该后处理模块（11）作为该主处理模块（10）的闸是可开关的。【专利说明】 用于处理衬底或衬底对的装置
本专利技术涉及一种根据权利要求1所述的用于处理衬底或衬底对、尤其是作为晶片对的晶片的装置。
技术介绍
半导体技术的处理设备或装置大多是模块化构造的。所述处理设备或装置通常由不同的小室组成，在这些小室中执行不同的处理步骤。因此例如为了对晶片进行预处理考虑晶片处理步骤——如湿式清洗、等离子处理、蚀刻或加热，而对于晶片的主处理则考虑接合、涂漆、打印、压印和曝光。在已知的处理设备中，晶片或晶片堆叠随着箱盒在处理设备或处理设备的模块之间被运输。在运输期间可能导致污染、损坏、变脏或氧化，并从而可能导致对其他处理步骤的影响。在对相继晶片的处理之间、也即在加载和卸载晶片时主处理小室的污染也是成问题的。另外，在主处理时必须克服从大气压力直至非常低的10_6巴或更小...
【技术保护点】
用于处理衬底或衬底对的装置，具有至少一个预处理模块和至少一个后处理模块，所述预处理模块和所述后处理模块耦合到主处理模块，使得主处理模块定义用于相邻的预处理模块和/或相邻的后处理模块的真空密封的闸。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：P林德纳，PO杭维尔，
申请(专利权)人：EV集团有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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