【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种场致发射电子源的驱动控制电路，包括场致发射电子源，还包括脉冲信号输入端、保护电阻、可调电阻以及开关管；所述脉冲信号输入端与所述保护电阻的一端连接，用于输入脉冲信号；所述保护电阻的另一端连接所述开关管的控制端，所述开关管的低压端接地，所述开关管的高压端与所述可调电阻的一端连接，所述可调电阻的另一端连接所述场致发射电子源的场发射阴极，所述场致发射电子源的栅控门极用于连接直流电源。本专利技术在IGBT的输入极（即栅极）接入保护电阻，当有过冲电流时，保护电阻两端电压增大，IGBT栅极与发射极之间的电压减小，从而抑制电流过冲。【专利说明】场致发射电子源的驱动控制电路
本专利技术涉及场致发射装置，特别是涉及一种场致发射电子源的驱动控制电路。
技术介绍
X射线源是计算机断层扫描(CT)系统的关键核心部件之一，一定程度上决定着CT系统的成像方式与成像性能。传统X射线源采用热阴极作为电子源，通过热电子发射的方式产生电子束。阴极在加热到1000°c以上的温度时，大量的电子获得大于发射体表面势垒的动能而逸出。这种X射线管体积较大、频率响应慢，且需要...
【技术保护点】
一种场致发射电子源的驱动控制电路，包括场致发射电子源，其特征在于，还包括脉冲信号输入端、保护电阻、可调电阻以及开关管；所述脉冲信号输入端与所述保护电阻的一端连接，用于输入脉冲信号；所述保护电阻的另一端连接所述开关管的控制端，所述开关管的低压端接地，所述开关管的高压端与所述可调电阻的一端连接，所述可调电阻的另一端连接所述场致发射电子源的场发射阴极，所述场致发射电子源的栅控门极用于连接直流电源。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈垚，郑海荣，胡信菊，曾成志，李彦明，张其阳，洪序达，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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