具有室温铁磁效应的Cr掺杂TiO2纳米磁性薄膜的制备方法技术

具有室温铁磁效应的Cr掺杂TiO2纳米磁性薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。本发明专利技术采用电化学阳极氧化工艺但不限于阳极氧化工艺制备的TiO2纳米管阵列薄膜作为起始材料，首先采用CrNO3水溶液浸泡方式的新型均相低温Cr掺杂，然后结合高温退火处理，在TiO2纳米管阵列薄膜引入复合空位和氧气空位缺陷，得到具有室温铁磁性能、可控性高、成本低廉、重复性好、且可大规模制造的TiO2纳米磁性薄膜。本发明专利技术具有工艺简单、成本低、可控性好和适于大批量生产的特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
具有室温铁磁效应的Cr掺杂TiO2纳米磁性薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：制备TiO2纳米管薄膜；所述TiO2纳米管薄膜采用电化学阳极氧化工艺但不限于阳极氧化工艺制备；步骤2：采用CrNO3水溶液对步骤1制备的TiO2纳米管薄膜进行浸泡处理，浸泡处理后的TiO2纳米管薄膜经去离子水冲洗后自然晾干，得到Cr掺杂TiO2纳米管薄膜；步骤3：将步骤2所得Cr掺杂TiO2纳米管薄膜进行高温退火处理后得到具有室温铁磁性的Cr掺杂TiO2纳米磁性薄膜；其中退火温度为450～600℃，退火时间为1～4小时，退火气氛为空气、氮气、氧气或氩气。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖宇龙，张怀武，白飞明，钟智勇，贾利军，李颉，周廷川，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：