阵列基板及其制造方法、以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示器制备领域，提供了一种阵列基板及其制造方法、以及显示装置。本发明专利技术的阵列基板包括：像素区、数据线端子区以及栅线端子区；像素区包括：像素电极、TFT的栅极、TFT的源漏电极、连接电极、以及公共电极；数据线端子区包括绝缘层、半导体层、数据线、以及数据线连接端子，数据线与源漏电极同层同材料；栅线端子区包括栅线、绝缘层、以及栅线连接端子，栅线与栅极同层同材料，栅线连接端子与所述源漏电极同层同材料。本发明专利技术中通过利用多阶调掩膜版（MTM，Multi?Tone?Mask）与光刻胶离地剥离（lift?off）技术，达到减少掩膜版曝光次数的效果，降低了制造成本，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、以及显示装置
本专利技术涉及显示器制备领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、以及包括该阵列基板的显示装置。
技术介绍
近年来显示技术发展很快，平板显示器以其完全不同的显示和制造技术使之同传统的视频图像显示器有很大的差别。平板显示器具有完全平面化、轻、薄、省电等特点符合未来图像显示器发展的必然趋势。目前主要的平板显示器包括:薄膜晶体管液晶显不器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称 TFT-LCD)、等离子体显不器(Plasma display panel)、有机发光二极管显不器(Organic light-emitting diodedisplays)等。薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。目前，TFT-LCD在各种大中小尺寸的产品上得到了广泛的应用，几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品，如液晶电视、高清晰度数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：像素区、数据线端子区以及栅线端子区；所述像素区包括：像素电极、TFT的栅极、TFT的源漏电极、用于将所述像素电极和TFT的漏极电连接的连接电极、以及公共电极，所述像素电极设置在基板的上表面，所述TFT的栅极和连接电极同层同材料，所述源漏电极与所述栅极之间形成有半导体层，所述半导体层与所述栅极之间形成有绝缘层，所述像素电极通过所述连接电极与所述TFT的漏极电连接，所述公共电极包括与所述源漏电极同层同材料的部分，且与所述源漏电极同层同材料的部分与所述像素电极之间依次形成有所述半导体层以及绝缘层；所述数据线端子区包括绝缘层、半导体层、数据线、以及数据线连接端子，所述数...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括:像素区、数据线端子区以及栅线端子区； 所述像素区包括:像素电极、TFT的栅极、TFT的源漏电极、用于将所述像素电极和TFT的漏极电连接的连接电极、以及公共电极，所述像素电极设置在基板的上表面，所述TFT的栅极和连接电极同层同材料，所述源漏电极与所述栅极之间形成有半导体层，所述半导体层与所述栅极之间形成有绝缘层，所述像素电极通过所述连接电极与所述TFT的漏极电连接，所述公共电极包括与所述源漏电极同层同材料的部分，且与所述源漏电极同层同材料的部分与所述像素电极之间依次形成有所述半导体层以及绝缘层； 所述数据线端子区包括绝缘层、半导体层、数据线、以及数据线连接端子，所述数据线与所述源漏电极同层同材料； 所述栅线端子区包括栅线、绝缘层、以及栅线连接端子，所述栅线与所述栅极同层同材料，所述栅线连接端子与所述源漏电极同层同材料。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，形成于所述像素区的最上层、所述数据线端子区的最上层除所述数据线连接端子外的部分、以及栅线端子区的最上层除所述栅线连接端子外的部分。3.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 使用两次多阶调掩膜工艺和两次光刻胶离地剥离处理制作阵列基板。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述两次多阶调掩膜工艺和两次光刻胶离地剥离处理为: 在基板上依次形成透明薄膜层和栅金属层； 在基板上形成光刻胶后，利用多阶调掩膜工艺进行第一次曝光，经过显影，使保留的光刻胶厚度分为3级； 对没有光刻胶保留的栅金属层和透明薄膜层进行刻蚀； 对保留的光刻胶进行第一次刻蚀，将此时光刻胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴松，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：