一种硫化镉纳米花阵列的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种在透明导电玻璃基底上硫化镉纳米花阵列的制备方法。主要步骤如下：（一）将清洗干净的透明导电玻璃基底置于含镉前躯体、含硫前躯体和还原谷胱甘肽组成的水溶液中加热，反应完全后将透明导电玻璃基底从溶液中取出，用去离子水冲洗干净，制得硫化镉纳米棒阵列；（二）将长有硫化镉纳米棒阵列的透明导电玻璃基底进行氧等离子体清洗处理或者用稀酸处理其表面；（三）将透明导电玻璃基底再次置于含镉前躯体、含硫前躯体和还原谷胱甘肽组成的水溶液中加热，反应完全后将透明导电玻璃基底从溶液中取出，用去离子水冲洗干净，制得硫化镉纳米花阵列。本发明专利技术操作简单可控，有利于直接制备电子器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硫化镉纳米花阵列的制备方法，包括以下步骤：（1）将清洗干净的透明导电玻璃基底置于含镉前躯体、含硫前躯体和还原谷胱甘肽组成的水溶液中加热，反应完全后将透明导电玻璃基底从溶液中取出，用去离子水冲洗干净，制得硫化镉纳米棒阵列；含镉前躯体为硝酸镉、醋酸镉或硫酸镉；含硫前躯体为硫脲、氨基硫脲、升华硫或硫代乙酰胺；含镉前躯体、含硫前躯体和还原谷胱甘肽的摩尔比为：1:1:0.1~1:4:1；反应温度为120?250℃，反应时间为1?24h；（2）将长有硫化镉纳米棒阵列的透明导电玻璃基底进行氧等离子体清洗处理或用稀酸处理其表面；氧等离子体清洗处理的功率为50?200W，压力为0.1?1mbar，处理时间为5?30min；稀酸为体积比为1%~30%的氢氟酸、盐酸或硝酸，处理时间为5s~30min；（3）将处理过表面的长有硫化镉纳米棒阵列的透明导电玻璃基底再次置于含镉前躯体、含硫前躯体和还原谷胱甘肽组成的水溶液中加热，反应完全后将透明导电玻璃基底从溶液中取出，用去离子水冲洗干净，制得硫化镉纳米花阵列；含镉前躯体为硝酸镉、醋酸镉或硫酸镉；含硫前躯体为硫脲、氨基硫脲、升华硫或硫代乙酰胺；含镉前躯体、含硫前躯体和还原谷胱甘肽的摩尔比为：1:1:0.1~1:4:1；反应温度为120?250℃，反应时间为1?24h。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张文华，李灿，杨春燕，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：