用于发光装置的多孔膜制造方法及图纸

一些多孔膜，例如有机非聚合性多孔膜，可用于光输出耦合以增加发光装置的效率。多孔膜也可在其他装置中用于光散射以及用于与光传输相关的其他应用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于发光装置的多孔膜相关申请的交叉引用本申请根据35U. S. C. § 119(e)要求于2011年3月3日提交的美国临时申请第61/449，032号的优先权，通过引用以整体方式将其公开内容并入本文。专利技术背景专利
一些实施方案涉及多孔膜，例如用于装置（例如发光装置）的多孔膜。_5] 相关领域描述有机发光装置（OLED)可用于并入节能的照明仪器或装置。可惜的是，OLED的效率可能会在产生发射光以及发射光离开装置以提供照明的能力方面受到任何固有的效率不足的限制。发射光不能离开装置也可称为捕获（trapping)。由于捕获，装置效率可能减少至发射效率的约10-30%。光提取（light extraction)可减少捕获,从而基本上改善效率。专利技术简述一些实施方案可包括多孔膜。多孔膜可包括：非聚合性有机化合物，其具有在约I. I至约I. 8的范围内的折射率；多个不规则排列的纳米突起物、纳米颗粒或其聚集体；和/或多个空隙，其总体积为所述膜的体积的至少约50%，并且多个空隙中至少约10%具有在约O. 5 μ m至约5 μ m的范围内的最长尺寸。多孔膜可具有在约500nm至约20 μ m的范围内的厚度；和/或包括空隙的多孔膜的密度可为约O. 5皮克（picograms)/μ m3或更小。一些实施方案可包括发 光装置，其包括：多孔膜，所述多孔膜可包括：与发光装置中部分内反射层的第一界面，其中部分内反射层的折射率可高于多孔膜的折射率；与折射率低于多孔膜的折射率的物质的第二界面；并且其中第二界面可包括多个不规则排列的纳米突起物或纳米颗粒。一些实施方案可包括发光装置，其包括：可布置在阳极或阴极上方的多孔膜；其中多孔膜可具有低于阳极折射率和阴极折射率的折射率。一些实施方案包括发光装置，包括：发光二极管，其包括：阳极；阴极；布置于阳极与阴极之间的发射层；以及多孔膜；其中多孔膜可布置在阳极上或阴极上；或发光装置可还包括布置于阳极和多孔膜之间的透明层或是布置于阴极和多孔膜之间的透明层。在一些实施方案中，可通过包括以下方法来制备多孔膜：沉积有机膜并以约100°C至约290°C的温度加热有机膜。一些实施方案可包括发光装置，包括：发光二极管，其包括多孔膜；其中将多孔膜布置在内反射层上，所述内反射层选自：阳极；阴极；布置于阳极和多孔膜之间的透明层，或布置于阴极和多孔膜之间的透明层；其中内反射层的折射率高于多孔膜的折射率；其中多孔膜可包括本文所述的化合物。这些和其他实施方案详细描述于本文中。附图简述图I示出了辅助确定颗粒或突起物的X尺寸、y尺寸以及z尺寸。图2A示出了可被描述为当在Xz平面观察时为大致矩形的、准平面的或为纳米片的颗粒的理想化实例。图2B示出了可被描述为曲形或波形纳米片的颗粒的实例。图3示出了在平面中基本具有全部为大致直角的角的颗粒的理想化实例。图4示出了具有大致上不为直角的角的准平行四边形颗粒的理想化实例。图5示出了为大致胶囊形的颗粒的理想化实例。图6示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图7示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图8示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图9示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图10示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图11示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图12示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图13示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图14示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图15示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图16示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图17示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图18示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图19示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图20示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图21示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图22示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图23示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图24示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图25示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图26示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图27示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图28示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图29示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图30示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图31示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图32示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图33示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图34示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图35示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图36示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图37示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图38示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图39示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图40示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图41示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图42示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图43示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图44示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图45示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图46示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图47示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图48示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图49示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图50示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图51示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图52示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图53示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图54示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。图55为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。图56为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。图57A至图57B为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。图58为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。图59为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。图60为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。图61为示出制备发光装置的方法的实施方案中某些步骤的流程图。图62A为涉及本文所述的装置的实施方案的示意图。图63B为示出制备发光装置的方法的实施方案中某些步骤的流程图。图63为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。图64为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。图65为本文所述的装置的一些实施方案的功率效率与亮度的函数的图表。图66为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。图67示出了装置的多孔膜的表面SEM图像。图68为本文所述的装置的一些实施方案的功率效率与亮度的函数的图表。图69为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。图70为本文所述的装置的一些实施方案的功率效率与亮度的函数的图表。图71为包括本文所述化合物的多孔膜的功率效率与厚度的函数的图表。图72为用于测定在透明衬底的实施方案中的捕获的方法的示意图。图73为本文所述的装置的一些实施方案的功率效率与亮度的函数的图表。图74A至图74B为本文所述的装置的一些实施方案的照片。图75为本文所述的多孔膜的一些实施方案的照片。图76示出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.03.03 US 61/449,0321.发光装置，包括： 多孔膜，布置于阳极或阴极的上方；并且 其中所述多孔膜的折射率低于所述阳极的折射率以及所述阴极的折射率。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述多孔膜布置于所述阳极或所述阴极上。3.如权利要求2所述的发光装置，其中所述阳极的折射率以及所述阴极的折射率高于所述多孔层的折射率。4.如权利要求1所述的发光装置，还包括透明层，其位于所述多孔膜与所述阳极之间，或者位于所述多孔膜与所述阴极之间。5.如权利要求4所述的发光装置，其中所述透明层的折射率高于所述多孔层的折射率。6.如权利要求1-5中任一项所述的发光装置，其中所述多孔膜包括选自以下的至少一种化合物： 7.如权利要求1-6中任一项所述的发光装置，其中所述多孔膜包括： 8.如权利要求1-6中任一项所述的发光装置，其中所述多孔膜包括：9.发光装置，包括： 多孔膜，其包括： 与所述发光装置中的部分内折射层的第一界面，其中所述部分内折射层的折射率高于所述多孔膜的折射率； 与折射率低于所述多孔膜的折射率的物质的第二界面；并且 其中所述第二界面包括多个不规则排列的纳米突起物或纳米颗粒。10.如权利要求9所述的发光装置，其中所述纳米突起物或所述纳米颗粒具有在约400nm至约3000nm的范围内的平均x尺寸。11.如权利要求9或10所述的发光装置，其中所述纳米突起物或所述纳米颗粒具有在约IOnm至约IOOnm的范围内的平均z尺寸。12.如权利要求11所述的发光装置，其中所述纳米突起物或所述纳米颗粒具有在约IOOnm至约2000nm的范围内的平均y尺寸。13.如权利要求9所述的发光装置，其中所述纳米突起物或所述纳米颗粒包括纳米片。14.如权利要求9所述的发光装置，其中所述多孔膜的厚度在约0.1μπι至约ΙΟμπι的范围内。15.如权利要求9所述的发光装置，其中所述多孔膜的厚度在约Iμ m至约5 μ m的范围内。16.如权利要求9-15中任一项所述的发光装置，其中所述多孔固体包括多个孔洞，所述孔洞的总体积为所述多孔固体的体积的约50%至约99%。17.发光装置，包括： 发光二极管，其包括： 阳极；阴极；以及 布置于所述阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：望月周，马立平，郑世俊，萨扎杜尔·拉曼·卡恩，李胜，赖倩茜，大卫·T·希斯克，布雷特·哈丁，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：
国别省市：