本发明专利技术揭示了一种有机发光二极管的抗反射结构，包括四分之一波长延迟板，设置在有机发光二极管之上；偏光板，设置在四分之一波长延迟板上，并供有机发光二极管所发出的光线的第一偏极方向通过，并供其第二偏极方向部分通过；偏光板具有(50%+T%)的穿透率，50%穿透率供其第一偏极方向通过，T%穿透率供其第二偏极方向部分通过，T%穿透率小于50%；偏光板的(50%+T%)穿透率为20%~95%；由此，无需增加额外复杂工艺，即可提高有机发光二极管所发射出的光线的穿透率。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术揭示了一种有机发光二极管的抗反射结构，包括四分之一波长延迟板，设置在有机发光二极管之上；偏光板，设置在四分之一波长延迟板上，并供有机发光二极管所发出的光线的第一偏极方向通过，并供其第二偏极方向部分通过；偏光板具有(50%+T%)的穿透率，50%穿透率供其第一偏极方向通过，T%穿透率供其第二偏极方向部分通过，T%穿透率小于50%；偏光板的(50%+T%)穿透率为20%~95%；由此，无需增加额外复杂工艺，即可提高有机发光二极管所发射出的光线的穿透率。【专利说明】有机发光二极管的抗反射结构
本专利技术与有机发光二极管有关，特别是关于一种有机发光二极管的抗反射结构。
技术介绍
一般有机发光二极管(OLED)的抗反射结构I’是如图1所示，其是包括四分之一波长延迟板2’及偏光板3’。环境光线L2’是依序经过偏光板3’、四分之一波长延迟板2’，再经有机发光二极管4’反射而经过四分之一波长延迟板2’，最后即被偏光板3吸收，达到完全抗反射的功效。再者，四分之一波长延迟板2’是可设置在有机发光二极管4’上，偏光板3’是可设置在四分之一波长延迟板2’上；其中，目前市面上及工艺上，是将偏光板3’完全吸收从有机发光二极管4’所发出的光线LI’其中一偏极方向，而让光线LI’的另一偏极方向通过，但因为实际工艺上的原因，导致光线LI’通过四分之一波长延迟板2’及偏光板3’的穿透率是仅小于50%，导致有机发光二极管4’所呈现出来的出光效率不佳。基于上述问题，专利技术人提出了一种有机发光二极管的抗反射结构，以克服现有技术的缺陷。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种无需增加额外复杂工艺，即可提高有机发光二极管所发射出的光线的穿透率的有机发光二极管的抗反射结构。为达上述目的，本专利技术是提供一种有机发光二极管的抗反射结构，包括:一四分之一波长延迟板，设置在一有机发光二极管之上；一偏光板，是设置在该四分之一波长延迟板上，该偏光板是供该有机发光二极管所发出的一光线的一第一偏极方向通过，并供该光线的一第二偏极方向部分通过。其中，该偏光板具有50%(1+T%)的穿透率，其中，该50%穿透率是供该光线的该第一偏极方向通过，该50%*Τ%穿透率是供该光线的该第二偏极方向部分通过，该Τ%穿透率范围是10%?90%。其中，该偏光板的该50%(1+Τ%)穿透率为55%?95%。其中，一环境光线依序经过该偏光板、该四分之一波长延迟板，再经该有机发光二极管反射而依序经过该四分之一波长延迟板、该偏光板出射的光量相较于入射的环境光线的光量，是等于或小于τ%。其中，该第一偏极方向是为X方向，该第二偏极方向是为y方向；或者是，该第一偏极方向是为y方向，该第二偏极方向是为X方向。其中，该T%的穿透率是由在该偏光板上加入碘染料的浓度进行调整。通过上述结构，相较于现有技术的结构(穿透率小于50%)而言，是无须在增加额外复杂工艺的条件下，即可获得较高的穿透率50%(1+Τ%);另虽然环境光线L2入射有机发光二极管的抗反射结构I会产生有Τ%的反射光量，但仍在实际应用上尚在可接受的范围内。【专利附图】【附图说明】图1是表示现有有机发光二极管的抗反射结构的剖视示意图；图2是表示本专利技术有机发光二极管的抗反射结构的示意图；图3是表示本专利技术有机发光二极管的抗反射结构中光线各偏极方向的穿透的示意图；图4是表示本专利技术有机发光二极管的抗反射结构中光线转移的一实施例的示意图；图5是表示本专利技术有机发光二极管的抗反射结构中该实施例环境光线的反射状态示意图。附图标记说明:1-抗反射结构；2_四分之一波长延迟板；3_偏光板；4_有机发光二极管；L1_光线；L2-环境光线；Lx-第一偏极方向分量；Ly-第二偏极方向分量；R-反射率；P1_第一偏极方向；P2_第二偏极方向；I’ -抗反射结构；2’ -四分之一波长延迟板；3’ -偏光板；4’ -有机发光二极管；LI’ -光线；L2’ -环境光线。【具体实施方式】虽然本专利技术使用了几个较佳实施例进行解释，但是下列图式及【具体实施方式】仅仅是本专利技术的较佳实施例；应说明的是，下面所揭示的【具体实施方式】仅仅是本专利技术的例子，并不表示本专利技术限于下列图式及【具体实施方式】。请同时参阅图2及图3，其中，图2是表示本专利技术有机发光二极管的抗反射结构的示意图，而图3是表示本专利技术有机发光二极管的抗反射结构中光线各偏极方向的穿透的示意图。本专利技术的有机发光二极管的抗反射结构I是包括一四分之一波长延迟板2及一偏光板3。四分之一波长延迟板2是可设置在一有机发光二极管4之上，且是可相互间隔一段距离而设置，但并不以此为限。偏光板3是设置在四分之一波长延迟板2上，偏光板3是可供有机发光二极管4所发出的一光线LI的一第一偏极方向Pl通过，并供光线LI的一第二偏极方向P2部分通过；其中，第一偏极方向Pl是可为X方向，第二偏极方向P2是可为y方向(图未不)，或者是，第一偏极方向Pl是可为y方向，第二偏极方向P2是可为X方向(如图3所示)。请参考图4，是表示本专利技术有机发光二极管的抗反射结构中光线转移的一实施例的示意图。假设有机发光二极管4所发出的光线LI的光量(Luminance)为L，其具有第一偏极方向分量Lx与第二偏极方向分量Ly，其中Lx的光量为50%的L，Ly的光量为另外50%的L。因此可视为光线LI的光量L:L=Lx+Ly=L*50%+L*50%其中Lx的光量为50%的L，Ly的光量为另外50%的L。由于偏光板3是供光线LI的第一偏极方向Pl的光量Lx通过,并供光线LI的第二偏极方向P2的光量Ly部分通过，假设Ly的穿透率为T%。因此有机发光二极管4的光线LI通过四分之一波长延迟板2及一偏光板3的穿透光量Lt: LT=Lx+Ly*T%=L*50%+L*50%*T%=L*50% (1+Τ%);因此，对有机发光二极管 4 而言可视为偏光板3具有50%(1+Τ%)的穿透率，其中，50%穿透率是供光线LI的第一偏极方向Pl通过，50%*Τ%穿透率是供光线LI的第二偏极方向Ρ2部分通过，此Τ%穿透率的范围可是10%至90%，较佳为20%至80%，本实例中以50%为例。Τ%的穿透率是由在偏光板3上加入”碘”染料的浓度进行调整；因此偏光板3供该光线通过的穿透率可为55%~95%。请再参考图5，是表示本专利技术有机发光二极管的抗反射结构中该实施例环境光线的反射状态示意图。当一环境光线L2经由偏光板3入射有机发光二极管的抗反射结构I的光量(Luminance)为L,其具有第一偏极方向分量Lx与第二偏极方向分量Ly,其中Lx的光量为50%的L，Ly的光量为另外50%的L。因此可视为环境光线L2的光量L:L=Lx+Ly=L*50%+L*50%其中Lx的光量为50%的L，Ly的光量为另外50%的L。由于偏光板3是供环境光线L2的第一偏极方向Pl的光量Lx通过,因此当环境光线L2入射偏光板3时，其第一偏极方向分量Lx并不会衰减损耗，其经由波长延迟板2将偏极方向变化成圆形极化后，再经由有机发光二极管4反射成相反方向的圆形极化，此反方向的圆形极化再度通过四分之一波长延迟板2后会变成与第二偏极方向P2相同方向的线性极化，由于偏光板3供环境光线L2的第二偏极方向P2部分通过，且其穿透率为T%。因此环境本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机发光二极管的抗反射结构，其特征在于，包括：一有机发光二极管；一四分之一波长延迟板，设置在该有机发光二极管之上；一偏光板，是设置在该四分之一波长延迟板上，其中该偏光板是供该有机发光二极管所发出的一光线的一第一偏极方向通过，并供该光线的一第二偏极方向部分通过。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吕建民，黄彪岳，张静潮，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，奇美电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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