用于太阳电池的硫化铅/铋掺杂硫化镉共敏化剂制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于敏化太阳电池的硫化铅／铋掺杂硫化镉共敏化剂及制备方法，该方法是将Bi杂质原子掺入到CdS半导体量子点中，并与PbS形成PbS／Bi掺杂CdS共敏化剂后组装成量子点敏化太阳能电池。Bi掺杂CdS半导体量子点相对未掺杂CdS半导体量子点在光吸收特性存在明显红移，利于吸收光子。通过优化电池内部电子空穴的传输路径，从而使得电子空穴可以更加快速的分离，而使得电子更有效的注入到TiO2的导带中，抑制了暗电流的产生。在短路电流与开路电压相对未掺杂电池持平的情况下明显改善填充因子，提高了太阳能电池的短路电流和光电转换效率。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于敏化太阳电池的硫化铅／铋掺杂硫化镉量子点共敏化剂，其特征在于所述方法是以作为杂质的Bi原子的可溶性盐与半导体量子点Cd离子的可溶性盐的质量摩尔浓度比为1：1?1：1000对硫化镉量子点进行掺杂；与硫化铅量子点形成共敏化剂后组装成量子点敏化太阳电池。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹小平，高彦艳，
申请(专利权)人：北京信息科技大学，
类型：发明
国别省市：