【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低损耗串联电容均压装置，其特征在于：它包括串联于直流母线正负极之间的电容器组C1和C2，以及分别与电容器组C1和C2并联的开关管Q1和Q2；所述开关管Q1为N沟道MOS管，其漏极接直流母线的正极，源极电连接有用于限制放电电流的电阻R1，该电阻R1另一端与电容器组C1和C2的串联中点电连接，栅极与源极之间电连接有电阻R2；所述开关管Q2为P沟道MOS管，其漏极接直流母线的负极，源极与开关管Q1的源极电连接，栅极与漏极之间电连接有电阻R3；所述开关管Q1的栅极与开关管Q2的栅极电连接，且电阻R2和R3的阻值相同。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杜强，沈煜，张晋茂，
申请(专利权)人：浙江省能源与核技术应用研究院，
类型：实用新型
国别省市：
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