光电子装置制造方法及图纸

提出一种光电子装置（1），所述光电子装置具有光电子器件（21），所述光电子器件设置为用于接收或者用于产生辐射并且具有主辐射穿透面（210），其中所述器件分配有孔（51），所述孔限定了用于穿过所述主辐射穿透面的辐射的辐射锥体（71），以及所述孔具有内面（510），所述内面具有倾斜地离开所述主辐射穿透面的区域（61）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】提出一种光电子装置（1），所述光电子装置具有光电子器件（21），所述光电子器件设置为用于接收或者用于产生辐射并且具有主辐射穿透面（210），其中所述器件分配有孔（51），所述孔限定了用于穿过所述主辐射穿透面的辐射的辐射锥体（71），以及所述孔具有内面（510），所述内面具有倾斜地离开所述主辐射穿透面的区域（61）。【专利说明】光电子装置
本申请涉及一种光电子装置。
技术介绍
在接近传感器中，散射辐射可能导致测量结果的扭曲，所述接近传感器检测由辐射源发射的并且在目标物体上被反射的辐射。
技术实现思路
本申请的目的在于，提出一种可简单地并且成本有利地制造的光电子装置，其中减小了散射辐射的影响。这个目的通过权利要求1的对象来实现。设计方案和改进方案是从属权利要求的对象。在一个实施方式中，光电子装置具有光电子器件，所述光电子器件设置为用于接收或者用于产生辐射并且具有主辐射穿透面。器件分配有孔，所述孔限定了用于穿过主辐射穿透面的辐射的辐射锥体。孔具有内面，所述内面具有倾斜地离开主辐射穿透面的区域。“倾斜地离开主辐射穿透面”在本文中意味着，在垂直于主辐射穿透面伸展的竖直方向上，倾斜的区域与主辐射穿透面的间距随着倾斜的区域在垂直于竖直方向伸展的横向方向上离主辐射穿透面的距离增加而增加。在一个优选的设计方案中，主辐射穿透面和倾斜的区域彼此设置为，使得在主辐射穿透面和倾斜的区域之间不存在直接的辐射路径。换句话说，在主辐射穿透面和倾斜的区域之间的辐射走向没有直接的辐射路径。在本文中将两个部位或者区域之间的直接的辐射路径理解为辐射能够直线地并且没有偏转地在光电子装置的内部或外部从所述的一个部位到达另一个并且反之亦然。在侧面的倾斜的区域上定向的或者扩散地被反射的辐射因此能够仅射在主辐射穿透面上，如果它在之前经历了偏转。类似地，穿过主辐射穿透面的被发射的辐射不能直接地射在倾斜的区域上，而是仅在前述的偏转之后才射在倾斜的区域上。在孔的内面上反射之后被发射的或者被反射的辐射占总的被发射或者被反射的辐射的份额因此能够以简单并且成本有利的方式减小。术语辐射锥体一般而言表示一个区域，在辐射检测器的情况下辐射从所述区域离开穿过孔射在主辐射穿透面上或者在辐射发射器的情况下辐射从主辐射穿透面穿过孔发射到所述区域中。在孔的背离主辐射穿透面的一侧上，辐射锥体能够随着与主辐射穿透面的间距增大而在横截面上增大。辐射锥体的横截面能够具有圆形的、椭圆形的或者多边形的基本形状。在一个优选的设计方案中，倾斜的区域在垂直于主辐射穿透面伸展的方向上与主辐射穿透面间隔开。在另一个优选的设计方案中，孔借助于倾斜的区域的朝向光电子器件的边界形成。倾斜的区域的边界因此局部地限定了辐射锥体。通过孔的内面引起的散射辐射份额因此能够以简单的方式减小。在另一个优选的设计方案中，倾斜的区域的延长线在主辐射穿透面的背离倾斜的区域的一侧上穿过主辐射穿透面。因此在任意的角度下在倾斜的区域上被反射的辐射不能直接地射在主辐射穿透面上。类似地，从主辐射穿透面射出的辐射不能直接地射在倾斜的区域上。在另一个优选的设计方案中，孔的内面在倾斜的区域的朝向器件的一侧上具有底切的区域。在横向的方向上底切的区域与倾斜的区域相比因此至少在局部上离器件更远。在一个优选的改进方案中，内面借助倾斜的区域和底切的区域构成为，使得以相对于竖直方向最大的角度穿过孔的射束的在底切的区域上的交点与主辐射穿透面相比在竖直方向上离孔特别是离倾斜的区域的边界至少一样远。通过孔直接射在底切的区域上的并且在该处扩散地或者定向地被反射的辐射因此不能直接地从底切的区域射在主辐射穿透面上。类似地，从主辐射穿透面发出的并且直接射在底切的区域上的辐射不能直接从底切的区域穿过孔射出。在另一个优选的设计方案中，孔的倾斜的区域与孔的内面的另一个区域相比更倾斜地离开光电子器件。特别地，另一个区域设置在孔的与倾斜的区域相对置的一侧上，内面的另一个区域也能够在竖直方向上伸展。器件优选固定在载体上。作为载体，电路板例如是适合的，例如印刷电路板(Printed Circuit Board, PCB)。此外优选的是，孔借助于框架形成。特别地，在框架中能够构成留空部，所述留空部形成孔。框架符合目的地设置在载体上并且此外优选固定在其上。 在一个优选的改进方案中，框架，特别是孔的内面，构成为有针对性地吸收待接收的或待产生的辐射。有针对性地吸收意味着，框架吸收辐射超出由于技术原因不可避免的剩余吸收。优选吸收至少60%，特别是优选至少80%的射入的辐射。吸收越高，在框架上被反射的辐射的份额越小。框架能够由进行吸收的材料制成或者设置有这样的材料，例如被涂层。特别优选的是，框架对于人眼而言构成为是黑色的。优选光电子装置具有另一个光电子器件，所述另一个光电子器件与光电子器件形成发射器-检测器-对。所述器件因此能够构成为发射器并且所述另一个器件构成为检测器或者反之亦然。所述器件优选设计为半导体器件。发射器优选构成为荧光二极管，特别是构成为发光二极管。也能够使用激光二极管。检测器优选构成为二极管、光电晶体管或者作为对福射敏感的集成电路(Integrated Circuit, 1C)。之前关于器件所提到的特征也能够用于另一个器件。特别地，另一个器件优选分配有另一个孔，所述另一个孔限定了用于穿透过另一个主辐射穿透面的辐射的辐射锥体。另一个孔优选具有另一个内面，所述另一个内面具有另一个倾斜地离开主辐射穿透面的区域。此外优选的是，另一个主辐射穿透面和另一个倾斜的区域彼此设置为，使得在所述另一个主辐射穿透面和所述另一个倾斜的区域之间不存在直接的辐射路径。在一个优选的改进方案中，另一个倾斜的区域在另一个孔的内面的进一步离开光电子器件的侧上构成。此外优选的是，倾斜的区域在孔的内面的进一步离开另一个光电子器件的侧上构成。从器件到另一个器件或者从另一个器件到器件的散射辐射的份额因此能够进一步减小。所描述的光电子装置可特别紧凑地并且成本有利地制造并且因此适合于多种应用。光电子装置在一个优选的设计方案中构成为接近传感器。特别地，光电子装置适合于作为电子设备中例如手持设备例如手机中的接近传感器。【专利附图】【附图说明】结合附图从下述对实施例的描述中得出其它的特征、设计方案和符合目的性。其示出:图1在示意性的剖视图中示出用于光电子装置的第一个实施例；图2在示意性的剖视图中示出用于光电子装置的第二个实施例；图3在示意性的剖视图中示出用于光电子装置的第三个实施例；以及图4在示意性的剖视图中示出用于光电子装置的第四个实施例。相同的、相同类型的或者起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和在附图中所描述的元件彼此的大小关系不视为是按比例的。相反，为了更好的描述和/或为了更好的理解能够夸张大地描述各个元件。【具体实施方式】用于光电子装置的第一个实施例在图1中在示意性的剖视图中被示出。在这个实施例中，光电子装置构成为接近传感器。光电子装置I包括器件21和另一个器件22，所述器件和所述另一个器件形成发射器-检测器-对。在所示出的实施例中，示范性地，器件构成为发射器并且另一个器件构成为检测器。器件21，22设置在载体3上，例如电路板上，例如印刷电路板上。器件21和另一个器件22本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡贝特·哈尔布里特，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：