压控振荡器制造技术

技术编号:9492100 阅读:147 留言:0更新日期:2013-12-26 01:45
一种压控振荡器,包括输入PMOS管、电流镜电路、全差分环形振荡器和差分转单端电路,其中,所述电流镜电路的输出端连接所述输入PMOS管的源极和所述全差分环形振荡器的正电源端,所述全差分环形振荡器的输出端连接所述差分转单端电路的输入端,所述压控振荡器还包括适于将压控振荡器的控制电压降低后输入所述输入PMOS管栅极的电平下移电路。本发明专利技术技术方案提供的压控振荡器能够扩大控制电压的调节范围,在低电源电压下输出高频率信号。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种压控振荡器,包括:输入PMOS管、电流镜电路、全差分环形振荡器和差分转单端电路,其中,所述电流镜电路的输出端连接所述输入PMOS管的源极和所述全差分环形振荡器的正电源端,所述全差分环形振荡器的输出端连接所述差分转单端电路的输入端,其特征在于,所述压控振荡器还包括适于将压控振荡器的控制电压降低后输入所述输入PMOS管栅极的电平下移电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄从朝
申请(专利权)人:昆山锐芯微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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