【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种量子点敏化太阳电池，包括有两相对的透光导电基底，一个透光导电基底表面镀有贵金属层或硫化亚铜层作为对电极，一个透光导电基底表面附有含量子点的p型透明导电氧化物半导体纳米材料层，含量子点的p型透明导电氧化物半导体纳米材料层作为光阴极。对电极和光阴极之间有电解质。本专利技术可以利用量子点的高消光系数降低光阴极层的厚度，降低了电池的成本，同时也为以后发展高效的光伏器件奠定基础。【专利说明】一种量子点敏化太阳电池
本专利技术涉及太阳能电池领域，具体为一种量子点敏化太阳电池。
技术介绍
量子点敏化太阳能电池(QDSCs)是染料敏化太阳能电池(DSCs)的重要分支，其结构与DSCs是一致的。QDSCs与DSCs的主要区别在于，采用无机窄禁带的量子点(QDs)取代染料作为吸收太阳光的敏化剂。QDs的诸多优势，使得QDSCs成为目前科学研究的热点。(I)可以选择的QDs的种类丰富，目前应用于QDSCs的量子点主要是CdS、CdSe、PbS、CuInS2等。每种量子点的本征吸收带边和最佳吸收光的波长范围是不一样的。(2)可以改变QDs的尺寸来改...
【技术保护点】
一种量子点敏化太阳电池，包括有两个相对的透光导电基底，其特征在于：一个透光导电基底表面镀有贵金属层或硫化亚铜层作为对电极，另一个透光导电基底表面附有含量子点的p型透明导电氧化物半导体纳米材料层，所述含量子点的p型透明导电氧化物半导体纳米材料层作为光阴极，所述对电极和光阴极位置相对，且对电极和光阴极之间有电解质。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓赞红，方晓东，董伟伟，邵景珍，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：
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