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一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法技术

技术编号:9482676 阅读:89 留言:0更新日期:2013-12-25 17:42
本发明专利技术公开了一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法。Pt/硅纳米阵列复合材料的Pt为簇状,硅纳米阵列为规则孔状或线状,Pt位于所述硅纳米阵列顶端。Pt/硅纳米阵列结构复合材料的制备方法是通过调整电化学参数控制材料的微观形貌结构,本发明专利技术提供一种多电位阶跃法沉积金属,加快了光生载流子的转移速率,减少缺陷的形成,提高了光电转化效率,增强了太阳能的利用率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Pt/硅纳米阵列的复合材料,其特征在于,所述Pt为簇状,所述硅纳米阵列为规则孔状或线状,所述Pt位于所述硅纳米阵列顶端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:乔雷周明张爱娟李艳虹邓娟廖明佳肖鹏张云怀张胜涛
申请(专利权)人:重庆大学
类型:发明
国别省市:

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