【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本专利技术的图案化的方法使用如下的蚀刻液，即作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液。【专利说明】本申请是申请号为200780036318.3、专利技术名称为“”的分案申请。
本专利技术是关于导电性高分子用蚀刻液、及将导电性高分子予以图案化的方法。
技术介绍
目前，透明导电膜虽然主要是使用含有铟(In)的ITO(氧化铟锡)，但是In(铟)是一种可采蕴藏量为三千吨的稀少元素，因此也有如果提前，则可采蕴藏量即将在2011年至2013年的时候被耗尽的预测，因此正在进行不使用In (铟)的ITO替代材料的研究。导电性高分子的导电率是已有惊人的改善，因此导电性高分子是有希望用作为ITO的替代材料。该导电性高分子是具有导电性、光的透射性、发光性、制膜后也呈可挠性的特征，因此已在进行对于透明导电膜、电解电容器、抗静电剂、电池、及有机EL组件等的应用的研究，且有一部分已...
【技术保护点】
一种将导电性高分子予以图案化的方法，其中使用以下的蚀刻液，即有效氯浓度为0.06重量％以上并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液。
【技术特征摘要】
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