本发明专利技术提供一种相对介电常数和交流破坏电压高、介电损耗低、且温度特性以及烧结特性良好的电介质陶瓷组合物。本发明专利技术的电介质陶瓷组合物具备由（Ba1-x-y,Cax,Sry）m（Ti1-z-a,Zrz,Sna）O3的组成式所表示的主成分、第1副成分、第2副成分以及第3副成分。0.03≤x≤0.30；0.00＜y≤0.05；0.02＜z≤0.2；0≤a≤0.2；0.04≤z+a≤0.3；0.97≤m≤1.03。第1副成分为氧化锌，第2副成分为选自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一种的氧化物，第3副成分为选自Al、Ga、In、Mg、Cu、Ni、Co、Fe以及Si中的至少一种的氧化物。相对于所述主成分100重量%，第1副成分的含量为0.45～10重量%，第2副成分的含量以氧化物换算为大于0.0重量%且0.3重量%以下，第3副成分的含量以氧化物换算为0.02～1.5重量%。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种相对介电常数和交流破坏电压高、介电损耗低、且温度特性以及烧结特性良好的电介质陶瓷组合物。本专利技术的电介质陶瓷组合物具备由（Ba1-x-y,Cax,Sry）m（Ti1-z-a,Zrz,Sna）O3的组成式所表示的主成分、第1副成分、第2副成分以及第3副成分。0.03≤x≤0.30；0.00＜y≤0.05；0.02＜z≤0.2；0≤a≤0.2；0.04≤z+a≤0.3；0.97≤m≤1.03。第1副成分为氧化锌，第2副成分为选自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一种的氧化物，第3副成分为选自Al、Ga、In、Mg、Cu、Ni、Co、Fe以及Si中的至少一种的氧化物。相对于所述主成分100重量%，第1副成分的含量为0.45～10重量%，第2副成分的含量以氧化物换算为大于0.0重量%且0.3重量%以下，第3副成分的含量以氧化物换算为0.02～1.5重量%。【专利说明】电介质陶瓷组合物以及电子元件
本专利技术涉及电介质陶瓷组合物以及电子元件。
技术介绍
近年来，伴随于急速发展的电气设备的高性能化，电路的小型化以及复杂化也在急速进展。因此，要求电子元件进一步的小型化和高性能化。即，既要维持良好的温度特性又要即使作为小型化也要为了维持静电容量而提高相对介电常数，并且进一步为了在高电压下使用而要求交流破坏电压高的电介质陶瓷组合物以及电子元件。一直以来，作为陶瓷电容器、层叠电容器、高频用电容器以及高电压用电容器等而被广泛利用的高介电常数电介质陶瓷组合物，已知如专利文献I-4那样将BaTiO3-BaZrO3-CaTiO3-SrTiO3类的陶瓷组合物作为主成分的物质。但是，像这样现有的BaTiO3-BaZrO3-CaTiO3-SrTiO3类的陶瓷组合物由于具有铁电性(ferroelectricity),因此难以维持高静电容量以及低介电损耗不变并确保高交流破坏电压。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开1994-302219号公报专利文献2:日本特开2003-104774号公报专利文献3:日本特开2003-109430号公报专利文献4:日本特开2004-238251号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术是鉴于这样的实际状况而完成的，其目的在于提供一种相对介电常数以及交流破坏电压高、介电损耗低、且温度特性以及烧结性良好的电介质陶瓷组合物。另外，本专利技术的目的还在于提供一种具有由这样的电介质陶瓷组合物构成的电介质层的电子元件。解决技术问题的手段本专利技术人等为了达到上述目的而进行悉心研究，其结果发现，通过将电介质陶瓷组合物的组成设定为特定成分并将这些成分的比率设定为规定范围，从而能够完成上述目的，至此完成本专利技术。即，解决了上述技术问题的本专利技术所涉及的电介质陶瓷组合物是具备由(Ba1-x-y, Cax, Sry) m (Ti1-z-a, Zrz, Sna) O3的组成式所表示的主成分、第I副成分、第2副成分以及第3副成分的电介质陶瓷组合物，所述组成式中的X为0.03≤X≤0.30，所述组成式中的y为0.00 < y≤0.05，所述组成式中的z为0.02 < z≤0.2，所述组成式中的a为O≤a≤0.2，所述组成式中的z+a为0.04≤z+a≤0.3，所述组成式中的m为0.97≤m≤1.03，所述第I副成分为氧化锌，所述第2副成分为选自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一种的氧化物，所述第3副成分为选自Al、Ga、In、Mg、Cu、N1、Co、Fe以及Si中的至少一种的氧化物，相对于所述主成分100重量％，所述第I副成分的含量为0.45-10重量％,相对于所述主成分100重量％，所述第2副成分的含量以氧化物换算为大于0.0重量％且0.3重量％以下，相对于所述主成分100重量％，所述第3副成分的含量以氧化物换算为0.02-1.5重量％。根据本专利技术，能够提供一种相对介电常数以及交流破坏电压高、介电损耗低、且温度特性以及烧结性良好的电介质陶瓷组合物。本专利技术的实施方式所涉及的电子元件具有由所述电介质陶瓷组合物构成的电介质层。作为本专利技术的实施方式所涉及的电子元件并没有特别的限定，例如可以例示为单板型陶瓷电容器、贯通型电容器、层叠陶瓷电容器、压电元件、片式电感器、片式压敏电阻、片式热敏电阻、片式电阻以及其它表面贴装(SMD)片型电子元件。【专利附图】【附图说明】图1 (A)是本专利技术的一个实施方式所涉及的陶瓷电容器的主视图，图1 (B)是本专利技术的一个实施方式所涉及的陶瓷电容器的侧面截面图。符号说明2…单板型陶瓷电容器4…保护树脂6、8…引接端子10…电介质层12、14…端子电极【具体实施方式】以下根据附图所表示的实施方式来说明本专利技术。陶瓷电容器2如图1 (A)所示，本专利技术的实施方式所涉及的陶瓷电容器2具有电介质层10、形成于其相对表面的一对端子电极12，14、和分别连接于该端子电极12，14的引接端子6，8而构成，并且这些构件被保护树脂4覆盖。陶瓷电容器2的形状可以根据目的或用途来适当决定，优选电介质层10成为圆板形状的圆板型电容器。另外，其尺寸可以根据目的或用途来适当决定，通常直径为3-20mm左右,优选为3-15mm左右。电介质层10的厚度没有特别的限定，可以根据用途等来适当决定，优选为0.3-2mm。通过将电介质层10的厚度控制在这样的范围内，从而适合运用于中高压用途中。端子电极12，14是由导电材料构成的。作为用于端子电极12，14的导电材料，例如可以列举Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、In-Ga合金等。电介质层10陶瓷电容器2的电介质层10是由本专利技术的实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物构成的。本专利技术的实施方式所涉及的电介质陶瓷组合物是具备由(Bai_x_y，Cax, Sry) m(Tim Zrz, Sna) O3的组成式所表示的主成分、第I副成分、第2副成分以及第3副成分的电介质陶瓷组合物。组成式中的X表示Ca的比率，其范围为0.03≤X≤0.30。通过以该范围来含有Ca，从而倾向于能够提高相对介电常数、交流破坏电压以及烧结性，并且温度特性变良好。从这样的观点出发，X优选为0.03≤X≤0.17，更加优选为0.08≤X≤0.16。所述组成式中的y表示Sr的比率,其范围为0.00 < y < 0.05。通过以该范围来含有Sr，从而倾向于能够提高相对介电常数，并且低温侧和高温侧双方的温度特性变良好。从这样的观点出发，I优选为0.006≤ y ≤ 0.03，更加优选为0.006 ≤ y ≤ 0.02。所述组成式中的z表示Zr的比率,其范围为0.02 < z < 0.2。通过以该范围来含有Zr，从而倾向于能够提高相对介电常数以及交流破坏电压，降低介电损耗，并且低温侧和高温侧双方的温度特性变良好。从这样的观点出发，z优选为0.06 < z < 0.16，更加优选为 0.06 ≤ z≤ 0.15。所述组成式中的a表示Sn的比率,其范围为O < a < 0.2。通过以该范围来含有Sn，从而倾向于能够提高相对介电常数以及交流破坏电压，并且温度特性变良好。从这样的观点出发，a优选为O≤a≤0.16，更加优选本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电介质陶瓷组合物，其中，所述电介质陶瓷组合物具备由（Ba1?x?y,Cax,Sry）m（Ti1?z?a,Zrz,Sna）O3的组成式所表示的主成分、第1副成分、第2副成分以及第3副成分，所述组成式中的x为0.03≤x≤0.30，所述组成式中的y为0.00＜y≤0.05，所述组成式中的z为0.02＜z≤0.2，所述组成式中的a为0≤a≤0.2，所述组成式中的z+a为0.04≤z+a≤0.3，所述组成式中的m为0.97≤m≤1.03，所述第1副成分为氧化锌，所述第2副成分为选自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一种的氧化物，所述第3副成分为选自Al、Ga、In、Mg、Cu、Ni、Co、Fe以及Si中的至少一种的氧化物，相对于所述主成分100重量%，所述第1副成分的含量为0.45～10重量%，相对于所述主成分100重量%，所述第2副成分的含量以氧化物换算为大于0.0重量%且0.3重量%以下，相对于所述主成分100重量%，所述第3副成分的含量以氧化物换算为0.02～1.5重量%。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：大津大辅，阿部贤，广瀬正和，梅田裕二，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。