本发明专利技术提供一种可高速地测定半导体发光元件的发光状况，并根据其测定结果检查该半导体发光元件的半导体发光元件检查装置。半导体发光元件检查装置(3)为对从LED(101)发射的发光状况进行检查的LED(101)检查装置(3)，具有：CCD(105)，其配置于LED(101)的发光中心轴上，且与LED(101)相向配置，其接收从LED(101)发射的光，可在多个地点测定每个地点所接收的受光状况；反射部(123)，其反射从LED(101)发射的光，并将其导光至CCD(105)；存储部(161)，其存储作为比较基准的基准信息，用于与CCD(105)所得到的多个地点的受光状况相关的受光信息进行比较；以及检测器(151)，其将基准信息与受光信息进行比较检查。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种可高速地测定半导体发光元件的发光状况，并根据其测定结果检查该半导体发光元件的半导体发光元件检查装置。半导体发光元件检查装置(3)为对从LED(101)发射的发光状况进行检查的LED(101)检查装置(3)，具有：CCD(105)，其配置于LED(101)的发光中心轴上，且与LED(101)相向配置，其接收从LED(101)发射的光，可在多个地点测定每个地点所接收的受光状况；反射部(123)，其反射从LED(101)发射的光，并将其导光至CCD(105)；存储部(161)，其存储作为比较基准的基准信息，用于与CCD(105)所得到的多个地点的受光状况相关的受光信息进行比较；以及检测器(151)，其将基准信息与受光信息进行比较检查。【专利说明】半导体发光元件检查装置
本专利技术涉及一种半导体发光元件检查装置，其接收来自LED等的半导体发光元件的光，并根据其发光状况检查该半导体发光元件。
技术介绍
专利文献I及专利文献2中公开了为测定与发光中心轴所成的角度的光强度即发光强度的分布(发光强度分布)，每次测定一个地方的技术。专利文献3中公开了为测量发光强度分布，同时测定多个地方的技术。【专利文献I】日本专利文献特开平5— 107107号公报【专利文献2】日本专利文献特开平8—114498号公报【专利文献3】日本专利文献特开2005— 172665号公报但是，专利文献1、专利文献2及专利文献3中任一记载的方法，为了以球坐标立体地测定半导体发光元件的发光状况(以下，只称为「发光状况」)，并且按此测定结果检查半导体发光元件，必须经过非常多次的测定。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其中一个目的在于提供一种可以高速地测定半导体发光元件的发光状况，并根据其测定结果检查该半导体发光元件的半导体发光元件检查装置。 本专利技术的半导体发光元件检查装置，用以接收半导体发光元件发射的光并进行发光状况的检查，具有:受光单元，其配置于所述半导体发光元件的发光中心轴上，且与所述半导体发光元件相向配置，其接收从所述半导体发光元件发射的光，可在多个地点测定所接收的受光状况；反射部，其反射从所述半导体发光元件发射的光，并将其导光至所述受光单元；存储单元，其存储作为比较基准的基准信息，用于与所述受光单元所得到的多个地点的光强度相关的受光信息进行比较；以及检查单元，其将所述基准信息与所述受光信息进行比较检查。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术的第I实施方式中的LEDlOl发光状况的说明图。图2是发光强度分布的说明图。图3是cos型LED的平面发光强度分布的说明图。图4是环型LED的平面发光强度分布的说明图。图5是用于对第I实施方式中的LEDlOl进行检查的发光元件用受光模块I的第一状态的说明图。图6是图5(b)侧面的说明图。图7是半导体发光元件检查装置的示意说明图。图8是入射至CXD的光的状况的说明图。图9是对图8的补充说明图。图10是使用CXD接收cos型LED的光时所得到的受光信息(图像信息)的说明图。图11是使用CXD接收环型LED的光时所得到的受光信息(图像信息)的说明图。图12是说明第2实施方式的说明图。【具体实施方式】<第I实施方式>以下，使用图1详细说明本专利技术的第I实施方式。图1是在本专利技术的第I实施方式中的LEDlOl的发光状况的说明图。如图1(a)所示，LED (Light Emitting Diode) 101 由发光面 IOla 发出光。将此LEDlOl的发光面IOla的法线称为发光中心轴(LCA)。此外，将包含发光面IOla的平面上的一方向当作基准轴(X轴)时，从该平面上的X轴逆时针旋转的角度定义为9。另外，在将q>固定的情况下，将与发光中心轴LCA所成的角度定义为0。从LEDlOl的发光面IOla发射的光强度会依据与发光中心轴LCA所成的角度0等而不同(参照图2)。此外，今后为了更精密地测定LEDlOl的发光状况，因此，可以想见更高速地进行LEDlOl分类的必要性将会提高。以下说明能满足此种需求的半导体发光元件的检查装置。一般是以LEDlOl在0相同时会显示相同的光强度为前提来构建检查过程的。但是，有时LEDlOl即使0相同，因9不同光强度也不同。为了以视觉方式表现光强度，使用如图1(b)的图进行说明。在图1(b)中，X轴与Y轴的交点部份以0=0°表示。接着，圆上的各点分别表示0=90°的各个9的位置。在图中，通过按照光强度付予浓淡度来表示光强度。并且，基于此浓淡度可从视觉上理解光强度(参照图3及图4)。图1(c)为9值在固定位置的剖面图。如此，在图1中，将距离LEDlOl相同距离位置上的光强度定义为发光强度。通过测定所制造的LEDlOl的此发光强度，可判断LEDlOl的特性。所谓特性的判断是例如做出全体的发光强度未到达一定程度、在固定e的位置上的发光强度未达到一定程度等的判断。此外，即使全体的发光强度到达一定程度，且在固定0的位置上的发光强度也到达一定程度，依据其程度等，做出分级等的判断。另外，通过此判断进行良品与不良品的分类、良品的分级等。此外，在以上的说明中，假设在距离LEDlOl够远的位置进行测定，则LEDlOl可被视为是一个点。在之后的说明中若无特别记载，皆假设LEDlOl为一个点。这是因为LEDlOl与一般的CCD105等(参照图3)相比极为渺小，因此可以做这样的假设。图2是发光强度分布的说明图。图2 (a)与图1(c)为相同的图。如图2(a)所示，从LEDlOl的距离r在固定位置中，在固定0角度下的光强度为发光强度。接着，测定各个0角度的此发光强度，将其绘制之后为发光强度分布。此外，测定各个e角度及各个cP角度，以球坐标表示的也称为发光强度分布(以下将在球坐标中的发光强度分布称为球面发光强度分布)。如果能求出此球面发光强度分布，就能够对LEDlOl的特性做精密地掌握及分类坐寸o但是，球面发光强度分布是以球坐标表示，因此，很难直接测量。另外，在本实施方式中所要求的并不是球面发光强度分布的测定，而是能够进行对LEDlOl是否满足一定的性能，或是满足性能时依据其程度分类的检查。因此，求出精密的球面发光强度分布并非必要。取而代之的是，预先测量接收满足一定性能的LEDlOl出射的光的(XD105(ChargeCoupled Device)所输出的受光信息(图像信息)，或是通过计算后储存(将此储存的信息称为基准信息)，将此基准信息与从接收检查对象的LEDlOI所出射的光的CCD105输出的受光信息(图像信息)进行比较。接着，针对比较结果为与基准信息的差异在一定范围内的LEDlOl作为满足相同一定性能进行分类。此外，不只储存基准信息为满足一定性能的LEDlOl的信息，也储存每个分类对象的信息，以使在满足一定性能之上的分类成为可能。在此，一般仅配置接收LEDlOl的光的(XD105接收受光信息(图像信息)的输出，但是仅单纯如此配置，就无法取得比直接入射至CCD105的光范围的受光信息(图像信息)的范围更宽的信息。因此，在本实施方式中，通过使用反射部123，取得广范围0的受光信息(图像信息)。另外，基准信息是在反射部123存在的状态下测量或是计算出的。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：望月学，藤森昭一，广田浩义，市川美穗，
申请(专利权)人：日本先锋公司，先锋自动化设备股份有限公司，
类型：
国别省市：
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