【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种CMOS比较器的前置放大器电路，其特征在于包括NMOS晶体管MN1、NMOS晶体管MN2、NMOS晶体管MN0、PMOS晶体管MP1、PMOS晶体管MP2、开关S1、开关S2、开关S3、开关S4、存储电容C1和存储电容C2；NMOS晶体管MN1和NMOS晶体管MN2作为差分输入对管；PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2作为负载，开关S1和S2分别连接在PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2的栅?漏之间；失调存储电容C1和失调存储电容C2的一端分别连接到PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2的栅极，失调存储电容C1和失调存储电容C2的另一端连接到电源VDD上；NMOS晶体管MN1和NMOS晶体管MN2的栅极分别连接输入信号VINP和VINN，并通过开关S3和开关S4连接到共模电平VCM上；NMOS晶体管MN0作为尾电流源，NMOS晶体管的栅极连接偏置电压VB，NMOS晶体管漏极与NMOS晶体管MN1和NMOS晶体管MN2管的源极连接，NMOS晶体管源极接地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，魏廷存，李博，高武，郑然，胡永才，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。