阵列基板及其制作方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置，属于显示技术领域。其中，该阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成金属层，去除所述金属层表面的金属氧化物。本发明专利技术的技术方案能够去除金属电极表面的金属氧化物，提高阵列基板上薄膜晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置，属于显示
。其中，该阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成金属层，去除所述金属层表面的金属氧化物。本专利技术的技术方案能够去除金属电极表面的金属氧化物，提高阵列基板上薄膜晶体管的性能。【专利说明】阵列基板及其制作方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
技术介绍
随着科技的不断进步，用户对液晶显示设备的需求日益增加，TFT-1XD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)也成为了手机、平板电脑等产品中使用的主流显示器。薄膜晶体管(TFT)的性能决定了液晶显示器的显示品质，现有的TFT阵列基板一般依次包括有衬底基板、公共电极、栅电极、栅绝缘层、半导体层、欧姆接触层、源电极和漏电极、钝化层和像素电极，其中栅电极、源电极和漏电极一般采用导电性能比较好的金属制备。为了提高金属电极的导电性能，一般采用Cu或Cu合金来制备金属电极，但是Cu是一种容易被氧化的金属，在采用Cu或Cu合金制备金属电极之后，金属电极的表面会出现一层Cu氧化物，造成金属电极阻抗增加，导电性能下降；并且还会使得金属电极表面比较粗糙，使得覆盖在金属电极上的绝缘层脱落，出现短路现象，将会严重影响TFT的性能，导致显示器不能正常显示。采用其他金属如银、铝或合金制备金属电极，也存在金属电极容易被氧化，影响TFT性能的问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，能够去除金属层表面的金属氧化物，提高TFT的性能。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下:一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括:在基板上形成金属层，去除所述金属层表面的金属氧化物。进一步地，上述方案中，所述去除所述金属层表面的金属氧化物包括:采用有机酸或乙醇胺溶液对形成有所述金属层的基板进行清洗，以去除所述金属层表面的金属氧化物。进一步地，上述方案中，所述采用有机酸或乙醇胺溶液对形成有所述金属层的基板进行清洗包括:在25?40摄氏度的环境下，采用有机酸或乙醇胺溶液对形成有所述金属层的基板进行30秒以上的清洗。进一步地，上述方案中，所述金属层为对金属薄膜进行构图工艺后形成的金属图案。进一步地，上述方案中，所述金属图案包括栅电极和/或源漏电极。进一步地，上述方案中，所述方法包括:形成金属薄膜；通过一次构图工艺形成包括栅电极的所述金属图案；通过清洗工艺去除包括栅电极的所述金属图案的表面的金属氧化物。进一步地，上述方案中，所述方法包括:形成金属薄膜；通过一次构图工艺形成包括源漏电极的所述金属图案；通过清洗工艺去除包括源漏电极的所述金属图案的表面的金属氧化物。进一步地，上述方案中，所述方法包括:提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成第一透明导电层和第一金属薄膜；通过一次构图工艺形成包括公共电极的第一透明导电层图案、包括栅电极的第一组金属图案，通过清洗工艺去除包括栅电极的第一组金属图案的表面的金属氧化物；形成栅绝缘层 、半导体层、欧姆接触层和第二金属薄膜，通过一次构图工艺形成半导体层图案、欧姆接触层图案、包括源漏电极的第二组金属图案，通过清洗工艺去除包括源漏电极的第二组金属图案的表面的金属氧化物；形成钝化层，通过一次构图工艺形成包括有过孔的钝化层图案；形成第二透明导电层，通过一次构图工艺形成包括像素电极的第二透明导电层图案，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。进一步地，上述方案中，所述金属层采用Cu、Pt、Ru、Au、Ag、Mo、Cr、Al、Ta和W的一种或多种制成。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板采用如权利要求1-9任一项所述的制作方法制作，所述阵列基板的金属层的表面未覆盖有金属氧化物。进一步地，上述方案中，所述阵列基板的金属层包括阵列基板的薄膜晶体管的栅极层和/或源漏极层。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果:上述方案中，在形成金属层之后，去除金属层表面的金属氧化物，这样就不会让金属氧化物影响金属层的导电性能，并且能够使得金属层的表面比较光滑，覆盖在金属层上的绝缘层不会脱落，保证TFT的性能以及显示器的正常显示。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术的阵列基板的结构示意图；图2为现有技术中阵列基板的制作方法流程图；图3为本专利技术实施例阵列基板的制作方法流程图；图4为本专利技术实施例阵列基板的结构示意图。附图标记I公共电极2栅电极3栅绝缘层4半导体层5欧姆接触层6-1源电极6-2漏电极7钝化层8像素电极a TFT b 过孔【具体实施方式】为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例针对现有技术中在使用易氧化的金属制作金属电极后，金属电极表面形成的金属氧化物造成金属电极阻抗增加，导电性能下降；并且还会使得金属电极表面比较粗糙，使得覆盖在金属电极上的绝缘层脱落，出现短路现象，严重影响TFT的性能，导致显示器不能正常显示的问题，提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，能够去除金属层表面的金属氧化物，提高TFT的性能。本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括:在基板上形成金属层，去除所述金属层表面的金属氧化物。其中，所述基板可以为没有形成其他膜层的衬底基板，也可以是已形成有其他膜层的基板。金属层包括单质金属和合金，金属层不仅仅为金属电极，还包括与金属电极同时形成的信号线，比如栅线和数据线等。金属层可以采用Cu、Pt、Ru、Au、Ag、Mo、Cr、Al、Ta和W的一种或多种制成。本专利技术的阵列基板的制作方法，在形成金属层之后，去除金属层表面的金属氧化物，这样就不会让金属氧化物影响金属层的导电性能，并且能够使得金属层的表面比较光滑，覆盖在金属层上的绝缘层不会脱落，保证TFT的性能以及显示器的正常显示。具体地，可以采用清洗工艺去除所述金属层表面的金属氧化物，清洗工艺为采用有机酸或乙醇胺溶液对形成有所述金属层的基板进行清洗，以去除所述金属层表面的金属氧化物。另外，清洗工艺所采用的清洗剂需对金属层没有影响，且保证一定时间内可完全去除金属氧化物，不影响工艺节拍时间。进一步地，可以在25?40摄氏度的环境下，采用有机酸或乙醇胺溶液对形成有所述金属层的基板进行30秒以上的清洗。优选地，在室温下对基板进行清洗。在采用有机酸溶液进行清洗时，有机酸与金属氧化物中的金属离子形成复合物，从而溶解去除金属氧化物。比如，在利用Cu形成金属层时，由于Cu容易被氧化，在金属层表面形成一层氧化铜，影响金属层的导电性能。本专利技术中，在利用Cu制作金属层之后，采用氧化铜清洗剂对基板进行清洗，可以去除Cu表面的氧化铜。其中，所述金属层可以是金属薄膜，也可以是对金属薄膜进行构图工艺后形成的金属图案。金属图案包括栅电极、源电极、漏电极、栅线、数据线、公共电极等等。具体地，所述金属图案包括栅电极和/或源漏电极。进一步地,所述制作方法具体包括:形成金属薄膜；通过一次构图工艺形成包括栅电极的所述金属图案；通过清洗工艺去除包括栅电极的所述金属图案的表面的金属氧化物。进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成金属层，去除所述金属层表面的金属氧化物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李登涛，郑在纹，郑载润，崔大永，王世凯，金童燮，耿军，吕世伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：